化学镀BeCu/NiFeB丝巨磁阻抗效应研究

用化学镀的方法,在100 μm BeCu丝上沉积了NiFeB薄膜镀层.研究了退火温度和驱动电流频率对样品巨磁阻抗效应的影响.观察到200 ℃退火后样品最大巨磁阻抗效应为33％.在BeCu丝与NiFeB镀层之间加入绝缘层后,最大巨磁阻抗效应提高到83％.     

电流退火对NiFeP复合丝巨磁阻抗效应的影响

用化学镀方法在铜丝上镀NiFeP薄膜,采用电流退火的方法对复合结构丝进行热处理.电流退火使薄膜感生圆周磁各向异性,从而使样品磁阻抗效应有明显提高.退火电流及时间有一个最佳值,当退火电流为2.8 A,退火时间为2 min时,样品在475 kHz时的磁阻抗效应为53.2％.     

外镀铜层玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应

首先利用高频感应加热熔融拉丝法制备了Fe_(73.0)Cu_(1.0)Nb_(2.0)Si_(13.5)B_(9.0)玻璃包裹非晶丝;然后在氮气保护下480～650℃之间退火0.5 h;最后利用化学镀方法在570℃退火的玻璃包裹丝上沉积了一层铜,构成复合结构丝.利用扫描电镜测量了材料的几何尺寸,研究了玻璃包裹丝退火前后及复合结构丝的巨磁阻抗效应.结果表明,材料的软磁特性改善提高了材料的磁阻抗比,铜层与磁性层之间的电磁相互作用也影响磁阻抗比.     

溅射工艺对NiFe/Cu复合丝结构和性能的影响

利用射频磁控溅射法分别采用连续溅射和间歇溅射工艺制备了Ni80Fe20/Cu复合结构丝。通过扫描电镜和X射线衍射等手段研究了溅射模式对复合丝微观结构的影响.结果表明：间歇溅射使镀层之间形成明显的界面,镀层结晶度增加,晶粒较大.利用巨磁阻抗效应和磁滞回线手段分析了样品的磁性能,发现实验中溅射的磁性层具有良好的软磁性能,复合丝呈现出较大的巨磁阻抗效应.当采用间歇溅射工艺时,由于复合丝的镀层中存在明显界面,内、外磁层的磁化行为不同,出现两个各向异性场.该样品经退火后,释放了一部分内部应力,软磁性能提高,阻抗效应增强,且内、外磁层磁性能趋于一致.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mossbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2 μm,磁性层的厚度为1 μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应(英)

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mössbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2μm，磁性层的厚度为1μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应，在两磁性层之间加入了绝缘层SiO₂，在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大，磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

真空退火对Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝巨磁阻抗效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制备了Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝,研究了真空条件下退火对细丝巨磁阻抗效应及非对称性的影响.结果显示,随着退火温度的升高,玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应先增大后减小.退火温度为250℃时,巨磁阻抗效应最明显;退火后样品的磁阻抗曲线对称性大都有所改善;退火温度为330℃时,磁阻抗曲线对称性遭到破坏,可能是磁各向异性降低所引起的.     

Ni80F20复合结构多层膜的巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n＞1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小.由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.     

电流退火及长度对玻璃包裹丝GMI效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制各了Fe_(73.5)Cu_(1.0)Nb_(3.0)Si_(13.5)B_9非晶玻璃包裹丝.首先对制备态包裹丝进行电流退火,结果发现电流密度为4.2×10~7 A/m~2时,退火得到的玻璃包裹丝性能最佳,原因是此时有合适的纳米晶体积比例.进而研究了长度对其磁性和巨磁阻抗效应的影响.结果表明,随着长度的减小,微丝的各项异性场增大,磁阻抗比减小,采用退磁场模型给予了合理解释.     

LC共振增强巨磁阻抗效应

通过一种新的方法，直接在Fe基玻璃包裹丝外溅射一层铜.研究发现，玻璃绝缘层在复合结构丝中充当电介质的作用，内芯层与外层铜耦合形成附加电容，从而使复合丝形成LC回路,其巨磁阻抗效应从原先的250％增强到330％.通过改变外铜层长度，研究了共振频率对巨磁阻抗效应的影响.     

电流退火对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响

对直径为40 μm,长为5 cm的褪膜玻璃包裹钴基（Co_69.20Fe_4.16 Si_12.35B_10.77 Cr_3.42 Mo_0.1）非晶丝进行电流退火和电流应力退火,研究了退火对巨磁阻抗效应的影响.结果发现,随着退火电流密度和外加应力的增大,丝的磁阻抗变化对外加磁场的敏感度先增大后减小,在20 A/mm²和90 MPa的退火条件下,灵敏度最高,可达1%/( A·m^-1).以上述条件退火,敏感度最高可达19%/( A·m^-1).     

非晶Co基软磁合金巨磁阻抗效应研究

巨磁阻抗可应用于微型高灵敏度磁传感器．我们研究了三种非晶合金薄带的巨磁阻抗效应．实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高．其中成分为Ｃｏ７０Ｆｅ４．５Ｎｉ４Ｎｂ１Ｓｉ１２．５Ｂ８的非晶合金带的效应最显著,制备态非晶样品在频率为 ５ＭＨｚ下达 １２０％左右,经过退火处理的非晶样品在 ５ＭＨｚ下的效应可达４００％左右。     

A new type of longitudinally driven GMI effect of FeCo-based alloy

On investigating the longitudinally driven GMI effect of the DC annealed Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2 alloy ribbon, the current density was 3.2×10^7 A/m^2, the GMI effect responds sensitively （the sensitivity is as high as 2440.2%/（A-m^-1）） to weak magnetic field after a 600-second annealing. The experimental result shows that the sensitivity is closely related to annealing current density, driven current frequency and eroded thickness. GMI effect, current annealing, sensitivity, magnetic domain structure     

Ag/FePt/C薄膜的结构和磁性

采用直流和射频磁控溅射在Si(001)基片上制备Ag/FePt/C薄膜,并将其在不同温度下进行真空热处理,得到了具有高矫顽力的L10-FePt薄膜.利用X射线荧光(XRF)、X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)研究样品的成分、结构和磁性.结果表明,样品经400℃热处理后发生了无序—有序相转变,以Ag元素为底层可降低有序化温度,添加Ag和C可抑制晶粒生长.随着热处理温度的升高,FePt的晶粒尺寸和矫顽力逐渐增大,经600℃热处理后,样品中FePt的平均晶粒尺寸为14nm,垂直膜面和平行膜面的矫顽力分别为798.16kA/m和762.35kA/m.