半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

Ga(1-x)Al_xAs/GaAs量子阱束缚能级的计算

本文对于Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs单量子阱系统,利用电子在势阱作用中的柱对称性,建立了平面类氢原子与直线类氢原子复合量子阱模型。所求施主能级,在极限情况下,与已知的精确解一致,在势阱深度Vo有限,宽度L不为零的条件下,对X=0.1和X=0.4,分别计算了基态束缚能,其结果与实验较为接近。     

Paul阱中两离子的量子运动

发现了关于Ｐａｕｌ阱中一、二、三维两离子的薛定谔方程精确解。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,观测到在GaAs量子阱中上转换发光,首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷,探索了光谱的发光机理。     

量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式,并利用该表达式和Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量,与自恰的数值结果进行比较,结果吻合。     

量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,观测到在GaAs量子阱中上转换发光,首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷,探索了光谱的发光机理.     

库伦场对量子阱中磁极化子性质的影响

本文研究了在外加磁场作用下库伦束缚势对量子阱中极化子性质的影响,通过数值计算得到：随着库仑束缚势和阱宽的增加极化子的基态能量逐渐减小,随着磁场强度的增加极化子的基态能量逐渐增加.阱宽越小,量子尺寸效应越显著.     

GaN／InGaN应变层临界厚度的计算

本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN／InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析。发现PB模型比较能准确估计GaN／InGaN异质结应变层临界厚度．最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大．     

GaInP/GaAs/Ge太阳电池发展现状

作为航天飞行器能源的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照,同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照,导致电池的电学性能发生衰退.太阳电池空间粒子辐照损伤机理及在轨性能退化预测成 为目前研究的重点.     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

聚合物叠层太阳能电池结构的光学优化

利用中间电极将两层有机太阳能电池串联起来形成的叠层结构能够吸收不同波长的太阳光,从而有效地提高了有机太阳能电池的能量转换效率。本文基于光学薄膜传递矩阵方法(TMM),针对包含了P3HT:PCBM聚合物功能层与Al Cl Pc:C60的有机小分子吸收层的两个光吸收层并且结构为ITO/Al Cl Pc:C60/Ni O/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Li F/Al的叠层器件的光学吸收进行研究。通过优化有机层厚度,器件在780nm-900nm的光学吸收增加了0.2。     

CIGS薄膜太阳能电池光吸收层制备方法及国内相关专利的分析

CIGS光吸收层的制备工艺在CIGS薄膜太阳能电池的生产中起着关键性作用。本文主要介绍了CIGS光吸收层的真空沉积和非真空沉积的方法,以及国内相关专利的研究,以期能够有助于制备工艺的进一步研究。     

浆料的制备工艺对TiO2纳米晶染料敏化 太阳能电池性能的影响

在TiO2(P25)粉末中分别加入各种添加剂,经研磨后得到TiO2浆料,采用涂刮法制备TiO2纳米晶薄膜光阳极,并组装成染料敏化太阳能电池(DSSC).采用扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV)和光电流密度-电压(J-V)对样品进行形貌表征和光电性能测试,探索了浆料制备工艺对DSSC光电性能的影响.实验结果表明,依次缓慢添加各种添加剂,且各添加剂的研磨时间分别为20min时,制备的浆料可制成疏松多孔的TiO2纳米晶薄膜,其光电转化效率可以达到8.6％.     

空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应

从空间带电粒子辐照下Ga As太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律三个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机制的两个关键.由此,构建空间太阳电池辐照损伤机理的物理模型和理论体系.     

钻井布局问题

提出了“扩展单位方格”的概念及“变步长步进法”的算法思想,较好地解决了“９９创维杯全国大学生数学建模竞赛”Ｂ题的第一问题,克服了传统的定义探索法的繁琐、可靠性不高的缺点,本文的算法简单方便,编程计算的可操作性强。