离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析

用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。     

N+离子注入Ti-4Al-2V合金的表面分析研究

作者采用3×1017/cm2和8×1017cm2两种注量对Ti-4Al-2V合金样品进行了N+离子注入,N离子能量75keV,在注入过程中样品温度控制在200℃以下.对注入前后的样品进行了X射线衍射(XRD)以及光电子能谱(XPS)分析.由XRD衍射谱表明,离子注入后有新相TiN和TiO2生成.由XPS宽程扫描谱表明,注入后样品表面主要为Ti,C,N和O.对Ti2p和N1s的XPS窄程扫描谱也证明,离子注入后致使合金近表面形成了TiN和TiO2.     

Xe^＋离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱研究

分析了Xe~+离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱,对原始Q膜的拉曼谱线进行了指定.实验结果表明,随离子注入量的增加,其分子结构的特征谱线逐渐消失,当注入剂量达1×10~(17)Xe~+/cm~2时,注入层中原始膜的全部谱线消失,只在～1550cm~(-1)处出现宽的拉曼峰,说明注入层的分子结构遭到破坏,出现类似非晶碳的结构,注入层的电导率增加与其结构变化密切相关.     

N2/H2辉光放电等离子体电子碰撞电离的Monte Carlo模拟

采用N2/1-12直流辉光放电等离子体综合的Monte Carlo模型,通过计算N2/H2混合气体直流辉光放电等离子体电子碰撞电离及离解电离率,电子密度及电子能量分布函数,研究了H2的浓度对氮辉光放电等离子体电子碰撞电离过程的影响.研究结果表明:随着H2浓度的升高,电子的电离及离解电离碰撞率减少;但在一定的放电条件下,加入少量的H2,可以提高电子碰撞电离及离解电离率,即选取合适的放电参数,加入少量的氢,可以提高放电空间的电子及离子的密度.模型考虑了12种和电子相关的反应,在氮气中加氢的比例为0～30%.这些影响能通过放电中发生的碰撞过程及鞘层厚度的改变得到解释.研究结果为认识N2/H2混合气体辉光放电等离子体过程机理提供参考依据.     

低气压等离子体放电条件对电离系数α的影响

采用双流体动力学模型，考虑带电粒子的连续方程和泊松方程，利用数值方法研究了低气压等离子体放电条件对电离系数α的影响．研究表明，电离系数α在不同放电区域随放电条件变化的规律不同．当压强过高或过低时，α很小，辉光放电不能产生．     

P型ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性研究

采用电子柬蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜．借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性．结果表明：所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO：N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式（位于272．5,505．1和643．6cm-）,分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO：N薄膜向P型转变,其空穴浓度为7．73x10^17cm-3,迁移率为3．46cm2V-1s-1,电阻率为2．34Ωcm．然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO：N薄膜的P型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO：N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷（N2）o是P型不稳定的根本原因．     

羟基脱除烟气中SO2的实验研究

利用强电离放电，将烟气中大部分O2、N2、H2O等气体分子电离后再按羟基(OH)结构模型加工成高浓度OH，在120℃不用外加催化剂吸收剂的条件下，在等离子体反应室内将SO2直接氧化成H2SO4雾，再用予荷电宽极距电收雾器加以回收成重要化工原料H2SO4实验中分别研究了气体中的含水量、含氧量以及放电间隙内折合电场强度E／n等因素对脱硫效率的影响．实验结果表明，含水量、含氧量以及折合电场强度的增加，都可以使SO2脱除率显著提高，在适宜的条件下，SO2脱除率可达到100％．     

离子注入掺碘聚醚砜薄膜的红外光谱分析

测定了未注入掺碘聚醚砜(PES)膜和离子注入掺碘PES膜的红外光谱．发现两红外光谱不同．离子注入使掺碘PES膜的C—S键和C—O键断裂，但对掺碘PES膜的苯环没有破坏作用．Ar(苯环)—O—Ar吸收峰经离子注入后向低波数位移是由于离子注入导致键断裂．挥发性物质放出和富碳层的出现，并伴随着膜的致密化，使分子间的作用力显增大．膜结构的变化引起了膜的电学和光学性质的变化。     

绿色氧化反应过程的设计及应用研究

提出了绿色氧化反应过程的设计原则及设计程序、内容．从工程设计上保证从源头及化学反应过程就制止污染产生，实现零污染、零废物排放．介绍了强电离放电方法把O2、H2O电离后，再按自由基结构，在分子层次上加工成OH^ 、e^-aq(水合电子)等自由基，自由基的产生浓度、产成量均能满足工程上应用水平，剩余OH^ 等自由基分解成H2O、O2列举了绿色氧化反应过程的设计在治理海洋外来人侵有害生物、烟气资源化脱硫应用研究成功的事例．绿色氧化反应过程；零污染；强电离放电；羟基自由基     

低能N^＋离子注入对超氧化物歧化酶分子二级结构及其活性的影响

超氧化物歧化酶经低能N 离子注入,应用圆二色光谱分析不同剂量低能N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构的影响,并分析了酶蛋白的二级结构变化对酶活性的影响.结果表明,在1×1015～10×1015ions/cm2范围,N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构产生影响,且不同剂量N 离子注入对超氧化物歧化酶的α-螺旋、β-折叠、β-转角及无规卷曲二级结构单元相对含量的影响程度不同.低能N 离子注入使超氧化物歧化酶的活性增加,酶活性增加与其α-螺旋结构的变化具有较好的关联性.