深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型

采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制，该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾，并且大大提高了输出电阻.在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型.模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效应、短沟效应及迁移率的影响.在考虑可动电荷影响的情况下进行准二维分析，求解表面势，进而求出包括扩散分量和漂移分量的亚阈电流.模型计算结果得到良好的验证，正确反映了SOI推进型栅控混合管的电流特性.该模型同时对POCKET注入深亚微米MOSFET的电流模拟有重要参考意义.     

增强型AIGaN／GaN槽栅HEMT研制与特性分析

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型A1GaN／GaN HEMT．栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1．5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS／mm,阈值电压为0．12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0．53V．深入研究发现,当器件槽深15nm时,相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小,但阈值电压从0．12V提高到0．47V．利用不同刻蚀深度A1GaN／GaN异质结的C-V特性,深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系．     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

有机发光二极管中多种微观机制共存的有机磁效应

为了探究有机发光二极管(OLEDs)中三重态激子参与的多种机制共同作用下磁场效应的变化规律,揭示复杂环境下OLEDs的性能变化规律,本文在具有较高三重态激子能量的磷光材料m CP中掺入单重态与三重态激子能量共振(ES≈2ET)的荧光染料Rubrene,制备了Rubrene掺杂型的OLEDs.实验发现,掺杂器件的电致发光磁场效应(MEL)表现出了复杂变化,且MEL的低场(B≤5 m T)和高场(5 m T≤B≤500 m T)部分随着掺杂浓度的改变都发生了明显的变化.这些MEL曲线可归结为掺杂体系内超精细相互作用、单重态激子裂变和三重态-三重态激子淬灭三种微观过程共同作用的结果;而不直接产生荧光的三重态激子,可以通过一些自旋混合过程,改变单重态激子的比例,从而对器件发光产生重要影响.器件的工作温度和注入电流密度对磁场效应的影响进一步证实了本研究组的观点.     

高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型

文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.     

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型．文章首先根据短沟道MOSFET在亚闽值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组．求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式．该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同．文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果．计算值与二维数值模拟值高度吻合．     

基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法

自热效应SHE（self-heating effect）是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI（hot carrier injection）应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.     

AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量AlxGa1-xN/GaN HEMT性能的影响

采用数值算法自洽求解Poisson和Schrödinger方程, 计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响. 利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压的关系, 采用非线性电荷控制模型解析求解了应变弛豫度对Al_xGa_1-xN/GaN HEMT直流输出特性的影响. 计算表明, 应变弛豫度为0时所获得的Al_0.50Ga_0.500N/GaN HEMT的最大二维电子气薄层电荷密度为2.42×10¹³ cm^-2, 最大漏电流为2482.8 mA/mm; 应变弛豫度为1时所获得的最大二维电子气薄层电荷密度为1.49×10¹³ cm^-2, 最大漏电流为1149.7 mA/mm. 模拟结果同已有的测试数据相比, 符合较好. 对模拟结果的分析表明, 对高Al含量的AlGaN/GaN HEMT进行理论研究时需要考虑应变弛豫度的影响, 减小AlGaN势垒层的应变弛豫度可显著提高器件的性能.     

垂直喷淋式MOCVD反应器中射流影响的研究

针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温度场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.通过模拟发现:(1)在喷口下方的反应腔空间,射流速度、温度和浓度均存在周期性波动,此波动由衬底中心到衬底边缘逐渐衰减;(2)衬底中心处的垂直射流速度大于周边的速度,中心浓度高于边缘浓度,中心温度低于边缘温度;(3)增加反应腔高度,减小喷口间距,减小喷口速度、增加衬底转速,均有利于衬底上方轴向速度和反应前体浓度沿径向分布的平缓.     

InGaAs／InP DHBT的基极-集电极设计

研究了在InGaAs／InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响。提出了有效过渡层的概念。在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中。对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式。最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层,优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度。     

用于细胞培养的聚乙烯醇水凝胶力学性能模拟及定量控制

采用化学交联法制备聚乙烯醇（PVA）水凝胶,以此作为细胞体外培养基底。通过改进的拉伸法测量材料的杨氏模量（E）,并讨论交联剂与羟基单体的摩尔比（d）、PVA的初始浓度（C0）对E的影响。利用回归分析建立E与C0、d关系的数学模型,实现对E的定量控制,模拟细胞在体内生长的生物物理环境。结果表明：该数学模型模拟的相对误差不超过0．08,可实现对PVA力学性能的定量控制。此外,研究了基底硬度对L02细胞铺展及形态学特征的影响,细胞更倾向于在硬基底上铺展,在软的基底上,细胞的形态更趋近于圆形。     

IGBT 模块故障机理及其预报方法综述

以IGBT模块的内部结构和材料特性为基础,研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理;分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生机理;最后,分别给出了两大类故障的预报方法。     

内源性硫化氢与皮质发育障碍模型大鼠认知功能损害的相关性研究。

目的探讨皮质发育障碍DCDs（disorders of cortical development）模型鼠的认知功能与H2s的变化关系。方法用1射线照射孕15d Wistar大鼠,制作DCDs模型。采用Morris水迷宫法测试P30（出生后30天）、P60、P90F1代DCDs模型鼠和对照组大鼠的学习能力和空间记忆能力。用敏感硫电极法检测大鼠血液及海马组织中H2s浓度。用亚甲基蓝法测定大鼠海马神经元细胞胱硫醚,B-合酶CBS（cystathionine。beta-synthase）酶活性。结果水迷宫实验：P60、P90模型组大鼠较正常对照组潜伏期明显延长（P〈0．05）,且随月龄增加潜伏期越长。P60、P90模型纽大鼠较对照组血液也s浓度分别降低6．5、11．5μmol,／L、海马组织H2s含量分别减少3．2、5．6μLmol／L．mg,海马组织神经元细胞CBS酶活性降低24．94、34．46μmol／L．g．min。P30模型组与对照组的各项变化不明显。结论DCDs模型鼠脑内H,S含量及海马组织神经元细胞CBS酶活性降低,内源性H2s降低与DCDs认知功能损害可能具有相关性,并为治疗皮质发育障碍的认知功能损害可能提供治疗途径。     

带前置光放大的星间微波光子链路建模及性能优化

摘要考虑到星间微波光子链路中信号经远距离传输损耗大,利用前置光放大来提高链路的信噪比．建立了带前置光放大的星间微波光子链路模型,利用Bessel函数展开和Graf加法定理推导出了信噪比（SNR）的解析表达式．确定了对链路影响最大的主要噪声成分,在不同前置放大器增益的条件下,对调制器直流偏置相移进行了优化,使得在给定SNR要求下所需激光器输出光功率最小,并进一步分析了前置放大器增益对最小激光器输出功率和最优直流偏置相移的影响．数值仿真结果表明：随着前置放大器增益的增加,达到指定SNR所需的激光器输出功率变小,相应的最优直流偏置相移先减小后增大．对于QPSK调制信号,未加前置放大器时,SNR要达到15．56dB（BER=10-9）,激光器输出光功率至少为45dBm,而前置放大器增益为15dB时,只需要22．57dBm．     

双钙钛矿Sr2Mn1-xGaxMoO6（x=0．0～1．0）化合物的制备及其结构的研究

采用固相反应法制备了双钙钛矿Sr2Mn1-xGaxMoO6（x=0．0～1．0）掺杂化合物。室温下的高分辨率X射线衍射分析表明,Sr2MnMoO6具有单斜晶体结构,空间群为P21／n。Ga的掺杂没有改变化合物的晶体结构,但衍射峰整体向高角度漂移。结构精修分析表明,Sr2Mn1-xGaxMoO6样品的晶胞体积随Ga含量的增加而逐渐减小;B／B’位离子占位有序度伴随Ga的掺入而逐渐降低;此外,Ga的引入导致〈B—O〉键长的缩短,〈B’-O〉键长的伸长。     

宽带电力线通信系统的电磁干扰评估

提出了电力线电磁干扰的评估方法,可以获得符合FCC标准的PLC功率限值。首先基于计算电磁学理论,建立PLC传输模型和电磁辐射模型,并对PLC的电磁辐射进行近场测试;然后根据测试结果调整PLC传输模型参数,使得PLC空间的电磁辐射计算值与测试值趋于一致。最后计算观察点处的电磁辐射。可用于评测PLC与室内短波无线电、超宽带无线通信等系统的电磁共存性,并制定功率限值标准,实现绿色电磁环境：     

电动汽车锂离子动力电池充放电性能试验分析

根据电动汽车动力电池研发需求,对锂离子单体电池进行了一系列充放电试验,得到了该电池在不同放电倍率,以及不同温度条件下的充放电特性、开路电压、温升、内阻与效率特性.结果表明,锂离子电池具有比能量高、内阻小、放电效率高、放电特性良好等优点;锂电池的荷电状态与电池开路电压存在近似线性关系,这使得利用开路电压结合安时法估计电池的SOC成为现实.