基于静电放电击穿IC芯片分析与研究

电动按摩椅静电的产生原因 大家都有这样一个生活常识．当身着化纤类衣服．发生摩擦时会产生静电，尤其是在冬天。电动按摩椅也不例外，电动按摩椅的按摩头（合成橡胶类材质）与人体背部之间隔有数层化纤材质的布．当按摩头对人体按摩时．与化纤布之间产生摩擦．     

IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究

在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100 C/cm2减少至0.002 C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.     

空气击穿过程对人体静电放电的影响

讨论了手持小金属物体的带电人体产生的静电放电,即人体－金属ＥＳＤ,介绍了其放电电流波形的主要特点及影响它的主要因素,并结合气体击穿理论对人体－金属ＥＳＤ过程及其特点进行了分析。     

二氧化硅增强石英纤维复合材料高温电性能温度特性

运用静电学理论,建立计算二氧化硅增强石英纤维复合材料介电参数的经验模型,实现材料高温介电性能的温度特性模拟,并对材料介电性能的变化规律作出预测.模拟结果与实际结果基本相符,为材料改性提供依据.     

静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用.     

二氧化硅的氢氟酸缓冲腐蚀研究

本文讨论了二氧化硅在氢氟酸缓冲(BHF)腐蚀溶液中的腐蚀特性。研究了二氧化硅在腐蚀液中的腐蚀速率、表面粗糙度及腐蚀深度随着NH4F配比、HF配比及腐蚀液温度的变化规律。通过改变腐蚀液配比和腐蚀温度等条件,从腐蚀速率及表面形貌等方面进行了比较和分析,确定不同条件下二氧化硅的腐蚀速率,以及腐蚀条件对二氧化硅表面粗糙度及表面深度的影响。     

介质击穿模型参数对雷电先导放电数值模拟的影响

为研究介质击穿模型参数的选取对雷电先导放电数值模拟结果的影响,以雷云荷电模型和WZ模型为基础,模拟计算了三维先导放电通道在50 m空间分辨率下的分形维数和先导临近对地面电场峰值的增强程度.统计分析结果表明:分形维数随着概率指数和电场击穿阈值的增大而减小,但随着通道内电场的增大先减小而后基本趋于稳定,且概率指数对分形维数的影响程度最为剧烈,电场击穿阈值次之,通道内电场的影响相对最弱;地面电场峰值的增强程度随着通道内电场和电场击穿阈值的增大而减小,但随着概率指数的增大先减小而后基本趋于稳定,且通道内电场对地面电场峰值增强程度的影响最为剧烈,概率指数次之,电场击穿阈值的影响相对最弱.     

ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法

基于ESD应力下栅接地N型MOS管（GGNMOS）的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。     

界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁电阻效应影响的研究

本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻(magnetoresistance,MR)器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和1.2T磁场下达到了527%,磁阻性能提升了76%以上.通过对无磁场作用下伏安特性的测量,证明了氧化硅层的引入增加了界面电阻,通过等效电路分析,对相关机理进行了讨论.这项工作将为硅基磁电子器件的可能应用提供一种新的方法.     

二氧化硅处理杉木木材增重率与物性之间的关系

采用溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯为陶瓷前驱体,乙醇为溶剂,乙酸为催化剂(以1:1:0.01摩尔比混合)处理杉木(Cunninghamia lanceolata(Lamb.)Hook)边材,制备二氧化硅/木材复合增强材料,测定增强材料的增重率、密度、细胞壁膨胀率、吸湿稳定性及抗流失性,以了解二氧化硅处理杉木木材增重率与物性之间的关系.结果表明,二氧化硅增强材料的增重率随着与预处理材含水率的增大而增加,当预处理材为饱水材时,制备的增强材料由于细胞腔中生成大量的二氧化硅而达到最大值.二氧化硅增强材料的细胞壁膨胀率和密度随着增重率的增加而增大,增重率在48%以上的细胞壁膨胀率变化量要比增重率在48%以下的膨胀率变化量大,增重率大于7%的密度增大比增重率小于7%的增大明显.随着二氧化硅增强材料增重率增加其吸湿膨胀率减少,失重率增加.二氧化硅增强材料的增重率越大,增重余量也就越大,其抗流失性能良好.     

静电放电危害及防护技术研究

静电放电会使电子元器件失效或存在隐患,它对电子产品的生产和组装会造成难以预测的危害。在介绍静电产生的原因及静电放电对电子产品造成的危害基础上,重点探讨了静电放电的防护技术。