串联电阻对CdS/CdTe太阳电池稳定性的影响

在温度循环下对CdS／CdTe太阳电池的性能作了研究，测定了其I-V特性曲线，计算了串联电阻和并联电阻．结果表明：经温度循环后，串联电阻增加，并联电阻下降，导致转换效率下降，用ZnTe作背接触层可改善电池性能和其稳定性．     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了Ｅ１,Ｅ２,Ｅ３,Ｈ１,Ｈ２５个峰,其中氧离子注量超过４×１０＾１２ｃｍ＾－２时,Ｅ２能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响

对CdTe薄膜进行CdCl2 热处理是制备高效率CdTe/CdS多晶太阳能薄膜电池的关键步骤 .研究了CdTe薄膜CdCl2 气相热处理 ,用XRD ,SEM表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸、晶格常数及能带宽度的变化 .比较研究了有无CdCl2 热处理的CdTe薄膜的结构差异 .CdCl2 热处理对CdTe/CdS异质结界面互扩散的影响 ,比较研究了有无CdCl2 热处理时 ,对CdTe/CdS太阳能薄膜电池的光I-V特性曲线的影响 .     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

不同光强下石墨浆作背接触的碲化镉太阳电池的I-V特性

对石墨浆作背接触的碲化镉太阳电池进行了不同光强下发光二极管的I-V测试. 通过对发光二极管光照过程中I-V曲线的分析,表明：同一光照强度下,光照时间的增加使得电池的串联电阻下降,填充因子增加,理想因子减小,即电池的二极管特性得到了改善;不同光照强度时,光强的增加使填充因子减小,理想因子增加、反向饱和电流密度以及开路电压增加.     

CdS／CdTe异质结太阳电池极限效率的计算

讨论了Cds／CdTe异质结的电流电压特性，研究了Cds／CdTe太阳电池在AMl．5太阳光谱辐射下的转换效率，给出了不计所有损失的理想极限情况下，其电池转换效率可达27％。同时讨论了考虑部分材料参数影响的条件下，实际CdS／CdTe太阳电池的转换效率，在所选定的参数下为23％，从近期实际制备的CdS／CdTe太阳电池的进展，以及较为合理的理论推论和分析来看，此效率将有可能达到。     

一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS／CdTe

CdS/CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池，是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池，具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点，并且制作工艺简单、经济，易于大面积沉积，而且还具有环保价值。综述了CdS/CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展，同时还归纳了一些适应大面积和低成本的生产工艺。     

The properties of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe： Cu buffer layers

CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers improve the back contact characteristic properties, the diode characteristics of the forward junction and the short-wave spectral response of the CdTe solar cells. The ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers affect the solar cell conversion efficiency and its fill factor.     

CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究

采用在CdTe薄膜太阳能电池结构Glass/FTO/CdS/CdTe基础上制备的Glass/FTO/CdS/CdTe/CdS体系,通过XRD,SEM,Raman,XPS研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响.研究表明,样品的表面形貌在不同温度热处理后有剧烈的差异,经300～350℃热处理后,CdS晶粒从室温时的20nm迅速增大至70nm左右,这与CdS从立方相到六方相的相变温度符合.CdS/CdTe界面在350℃左右就开始比较明显地互扩散,550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15.CdS因与CdTe的相互扩散并生成CdSxTe1-x而被迅速消耗.450℃以上CdS/CdTe界面部分被氧化生成CdTeO3.拉曼光谱中CdS的1LO峰在350℃左右由强变弱同时向低波数移动表明开始生成CdSxTe1-x.光电子能谱验证了CdSxTe1-x和CdTeO3在热处理过程中的形成.CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成.     

多孔SiO_2减反射薄膜的制备研究及光伏应用

采用溶胶凝胶法,使用氨水催化正硅酸乙酯在乙醇溶剂中水解制备SiO_2溶胶,研究反应物浓度、退火温度及匀胶速率对多孔SiO_2减反射薄膜的光学性质的影响.结果表明,SiO_2溶胶颗粒尺寸随着乙醇用量的增加而减小,匀胶速率可以对薄膜厚度进行调整及制备出不同折射率的薄膜.乙醇用量为120 m L和转速为2000 r/min时,制备出的SiO_2薄膜具有最佳减反射性能.不同退火温度下,SiO_2溶胶颗粒尺寸、薄膜的光学性质均无明显改变.采用优化后的工艺制备出的多孔SiO_2减反射薄膜应用于Cd Te薄膜太阳电池上,在400 nm-800 nm波段,量子效率得到提高,积分短路电流密度提高了4.83%,光电转化效率由14.92%提高到15.45%.     

大面积CdS薄膜的沉积及其性质研究

采用化学水浴法(CBD)在30 cm x 40 cm TCO衬底上沉积了CdS多晶薄膜,研究了薄膜性质,并应用于太阳能光伏电池,制成了许多独立的小面积CdS/CdTe薄膜太阳电池.结果表明:刚沉积的CdS多晶薄膜性质具有较好的均匀性,适宜于制作大面积CdS/CdTe薄膜太阳电池组件.     

CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用

采用硝酸磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件．在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和（或）金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响．结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现CdTe与金属背电极的欧姆接触．     

多孔SiO2减反射薄膜的低温制备及光伏应用

采用溶胶凝胶法,使用氨水催化前驱物正硅酸乙酯（TEOS）水解制备SiO2胶体。通过改变溶液浓度调节胶体粒子大小,旋涂低温制备不同折射率纳米多孔SiO2薄膜。使用激光粒度仪和透射电镜分析胶粒大小及分布,粒子分布均匀且在几十纳米范围;使用椭圆偏振仪、紫外/可见分光光度计、扫描电子显微镜表征减反射薄膜的光学性质和表面形貌,发现薄膜表面呈颗粒状且折射率较低,在400nm至800nm波段的透过率平均提高了4%。将溶胶涂在CdS/CdTe太阳电池基底背面,测试结果发现,使用减反射薄膜后电池吸收波段内量子效率（QE）提高,短路电流密度提高了4.45%;光电转换效率由11.50%提高到11.94%。