MOSFET低温热载流子效应

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强，本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。     

a-St:H FET特性的研究

本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑到漏源电压对沟道表面势的影响,采用简便的方法和合理的近似推导出了较全面反映a-Si:H FET特性的解析表达式。同时在实验中,研制了用SiO_2或Si_3N_4作为栅绝缘层的a-Si:H FET,测量得到了不同绝缘层和不同沟道长度的各a-Si:H FET的直流特性。当栅压变化20V时,漏源电流可以变化10~4。最后,对理论计算及实验结果进行了分析和比较。     

低温ECL电路直流特性测试与分析

低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶体管饱和电流随温度下降而急剧下降，这是影响电路工作性能的主要因素．并指出，这种影响可通...     

MNOS可变阈值晶体管的研制

本文报导了用高纯氮气携带液氧蒸汽进入氧化炉生长约20A(?)的可隧穿的超薄SiO_2膜,以及用SiH_4—NH_3体系的LPCVD技术淀积具有电荷存储特性的Si_3N_4膜,从而制作出MNOS结构的可变阈值晶体管。这种晶体管的阈值电压窗口约17伏,且具有不破坏的读出特性。     

低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析

本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

MESFET倍频器的研究

本文提出了一种奇次ＡＢ倍频器，并对Ａ倍频器、Ｂ倍频器进行了全面的理论分析，进一步完善了单栅ＭＥＳＦＥＴ的倍频理论。研制了Ｃ波段宽带ＭＥＳＦＥＴ三倍频器和二倍频器，获得了良好的实验结果。     

开关式场效应管弧焊电源的研究

本文主要介绍新型的开关式场效应管弧焊电源的工作原理,通过采用电流负反馈获得恒流外特性,并提出了一种新颖的低压引弧电路。利用所研制的开关式场效应管弧焊电源进行引弧试验和工艺试验,结果表明此电源具有良好的引弧性能和工艺性能,是一种发展前景较远大的电子弧焊电源之一。     

低温高速双极晶体管基区的优化设计

本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。     

低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系,模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。     

Ni系低温钢的高温氧化行为研究

为研究Ni系低温钢的高温氧化行为,利用Setsys Evolution型高温同步热分析仪对Fe-3.5Ni和Fe-9Ni钢在700~1200℃的氧化行为进行了研究,采用电子探针(EPMA)、场发射扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等手段表征了氧化物微观形貌和物相组成.结果表明:700~1200℃条件下氧化2h后,Fe-3.5Ni钢和Fe-9Ni钢的氧化增重曲线规律相似,相同氧化温度条件下,单位面积Fe-9Ni钢的增重量低于Fe-3.5Ni钢.随氧化温度的升高,试样表面依次出现团絮状、晶须状和不规则多边形状Fe₂O₃.氧化分为内氧化和外氧化,内、外氧化层厚度随氧化温度的提高逐渐增加,且900℃是两种钢外氧化层厚度发生突变的临界温度.内氧化层由FeNi₃和混合物(FeO+Fe₃O₄)组成,外氧化层由Fe₂O₃,Fe₃O₄和FeO组成,且外氧化层内包裹着尖晶石相NiFe₂O₄;随着Ni含量增加,NiFe₂O₄增多并形成连续的薄带.     

增强型CCD微光图象探测灵敏阈研究

讨论了电子轰击型CCD摄象过程的数学模型，在此基础上建立了其微光图象探测灵敏阈方程，理论计算与实际结果很好吻合，分析结果后，提出了提高电子轰击型CCD微光图象探测能力的主要技术途径。     

包覆药装药低温感效应研究

该文提出了燃面温度系数的概念，研究了包覆药装药的低温感原理，采用中止燃烧试验，测试了包覆药９Ｂ、１１Ｂ的燃面温度系统特征值，研究了燃面温度系数与弹道温度系统的关系。     

常温低基质下厌氧氨氧化反应器的影响因素研究

以上向流生物滤柱为反应器,实验室内氧化沟回流污泥为接种污泥,在常温低基质下成功启动了厌氧氨氧化反应器.在此基础上,研究了pH,亚硝酸盐氮与氨氮之比和HRT对厌氧氨氧化反应的影响.结果表明:厌氧氨氧化反应的最适pH值为6.7～8.7;亚硝酸盐氮与氨氮的最适比值为(1.35～1.37)∶1;厌氧氨氧化反应的临界HRT是2h,随着HRT的缩短,总氮的去除率迅速降低.     

甘草萤叶甲发育起点温度与有效积温的研究

采用4个恒温(21，25，27，30℃)和1个室内变温(平均温度23℃)对甘草萤叶甲各虫态(龄)发育起点温度和有效积温进行了研究．结果表明，在21～30℃范围内，甘草萤叶甲发育历期总体上随温度的升高而缩短；卵、一龄幼虫、二龄幼虫、三龄幼虫、幼虫期、蛹期、产卵前期的发育起点温度分别为11．25，13．56，11．04，9．69，11．77，13．98，14．78℃，有效积温分别为136．77，53．70，57．66，66．22，176．11，63．67，108．82日度；整个世代发育起点温度为12．65℃，有效积温为492．75日度．     

曼地亚红豆杉的半致死温度与对低温的适应性

红豆杉树皮是一种最重要的提取紫衫醇的原料，但其生长缓慢，资源匮乏，而曼地亚红豆杉的自然杂交品种叶片中的紫衫醇的含量很高，生长迅速，可通过大力栽培解决原料不足的问题。在引种栽培蔓地亚红豆衫的试验过程中，抗寒性是决定其是否能够引种栽培成功的关键因素之一，而半致死温度能较直观，准确地反映植物的抗寒能力，半致死温度的测定常采用电导法。采用电导法对引种栽培的2个曼地亚红豆衫(T.media)品种Hicksii和Dark Green Spreader(DGS)进行低温半致死温度的测定，并与其生境中的自然温度变化相比较，结果表明，在自然降温的过程中，两个曼地亚红豆衫杂交品种的低温半致死温度随气温的下降而不断的降低，两品种的低温半致死温度分别为-13．3℃和-12．6℃，均对引种栽培地低温有较强的适应性，又Hicksii品种比Dark Green Spreader品种的抗寒能力略强。因此从理论上讲，两种曼地亚红豆衫品种均可在栽培地及与栽培地相同的生境下栽培成功。     

柴油机的低温起动

低温下粘附在柴油机各摩擦副之间的机油就会产生很大的阻力,而铅蓄电池容量下降,起动功率低,压缩空气在压缩行程中通过间隙泄漏的时间长、泄漏量多等使柴油机启动困难．通过一是提高柴油机的起动转速,从而可减少压缩行程过程中混合气泄漏造成的混合气压力的下降和减少混合气热量的散发时间;二是提高可燃混合气的温度;三是降低可燃混合气起动时的可着火温度,使之在低温下启动．     

鲁灰花岗岩蠕变特征转变温度门槛值的实验研究

采用中国矿业大学的"20MN高温高压岩体三轴试验机"进行了高温三维应力下大尺寸200 mm×400 mm鲁灰花岗岩蠕变特性的实验研究,研究发现:在300~400℃之间存在一个温度门槛值,在温度低于这个门槛值时,鲁灰花岗岩的蠕变变形具有瞬态蠕变阶段,在温度高于这个值时鲁灰花岗岩的蠕变变形不具有瞬态蠕变阶段,而直接进入到稳态蠕变阶段。鲁灰花岗岩蠕变变形发生这种现象是因为一方面应力闭合了裂隙,裂纹和孔隙的空隙使鲁灰花岗岩的可压缩性消失。另一方面温度造成了部分矿物或胶结物熔融,充填和堵塞原有的孔隙,裂隙和裂纹,使鲁灰花岗岩的可压缩性降低甚至消失。实验得到的结果对深入认识鲁灰花岗岩在高温下的蠕变变形规律有重要的意义。     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。