面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

实验研究了面内磁场Ｈｉｐ对处于直流偏磁场Ｈｂ作下的第Ⅱ类哑铃畴的稳定性的影响。     

面内场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与直流偏场关系的…

本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）ｆ１，当（Ｈｂ）ｆ１时，在面内场     

系列脉冲偏场作用下哑铃畴的行为

该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变方向以及丢失ＶＢＬ的现象。     

软畴段在面内磁场作用下的行为

实验研究发现Ｈｉｐ对软畴段的条泡转变场Ｈｓｂ和磁泡缩灭场ＨＯ有较大影响，而且Ｈｓｂ和ＨＯ随Ｈｉｐ的变化与样品晶向有关     

直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数.此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索.     

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.     

枝状畴形成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的一些行为

实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象．     

直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.     

面内场对第Ⅰ类哑铃畴"切尾"后畴壁内 VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H(1)ip,H*ip和H(2)ip.通过"切尾"实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.     

旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性

实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的.     

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示，在Ｈｂ的准静态变化过程中ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）数目保持不变     

面向场对处于直流偏磁场压缩状态下的ⅡD畴壁中布…

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场     

外磁场作用下缺陷区的磁畴变化

运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近导致磁荷聚集,形成微磁固定结点,由于微磁固定结点内磁化强度的法向分量不连续,缺陷区形成泄漏微磁场,泄漏微磁场的奇异特征包含了缺陷信息,为缺陷微磁生成机理和微磁检测研究提供了理论和实验支撑.     

温度对Ⅰ类哑铃畴缩灭场的影响

通过对不同温度下Ⅰ类哑铃畴缩灭场的测量。发现它(Hcol)随温度(T)的升高而降低,但比普通硬磁泡的Hcol-T曲线更陡峭些;另外,还测量了Ⅰ类哑铃畴在不同温度下的缩灭场分布。     

面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时，上述四个临界面内场随Ｈｂ的增加有不同程度的下降     

温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场H_(sb)和软泡缩灭场H_0有很大影响,而且H_(sb)和H_0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(H_(ip))d,不同温度下的软畴段对应着不同的(H_(ip))_d,而且(H_(ip))d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(H_(ip))_d是饱和磁化强度4πM_s的2倍.     

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。     

直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 ,并且随着直流偏场的增加而减小     

圆形电流面内的磁场分布研究

大学物理教材中只研究了圆形电流轴线上一点的磁感应强度(→B),而对圆面内任意一点的磁感应强度(→B)却未给出计算公式.本文运用毕奥-萨伐尔定律及西普森公式,计算出了圆形电流面内任意一点磁感应强度的表达式.