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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V·mm-1非线性系数为38.0,漏电流为0.58 μA.  相似文献   

2.
采用复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X线衍射对其显微组织和相成分进行分析,探讨复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理.研究结果表明:复合稀土掺杂可提高压敏瓷的综合性能,复合稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律;Sc2O3和La2O3复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随La2O3掺杂量的增加,电位梯度增加;在相同的La2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数增加;当掺杂0.12%(摩尔分数)Sc2O3,0.12% La2O3时,复合稀土掺杂氧化锌压敏瓷的电性能达到最优,电位梯度为325 V/mm,非线性系数为34.8,漏电流为0.19 μA.  相似文献   

3.
代礼彬  张谊  梁烛  张瑜 《科技资讯》2012,(21):74-76
分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。  相似文献   

4.
利用固相反应法制备Co2O3掺杂Zn O-Bi2O3-Ti O2-Mn O2系低压压敏陶瓷,系统研究掺杂量、烧结温度和时间对压敏陶瓷结构、压敏电压梯度、漏电流密度和非线性系数的影响.结果表明:Co2O3掺杂量摩尔分数为1.0%,烧结温度为1 200℃,烧结时间为5 h时过压保护综合性能最好,其压敏电压梯度为17.1 V/mm,非线性系数为15.7,漏电流密度为0.34μA/mm2;Zn O压敏陶瓷电阻由晶粒界面电阻和晶粒内禀电阻组成,当外加电压低于临界电压时,陶瓷样品表现为大电阻,且电压对电阻影响不明显,约为7×104Ω,主要由界面电阻贡献;当外加电压高于压敏临界电压时,界面被击穿,陶瓷样品电阻突然减小至~10Ω,表现为晶粒内禀电阻特性.1  相似文献   

5.
烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用不同的烧结温度(900~1300℃)制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。烧结温度越高,Bi2O3挥发越严重,氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大,电位梯度越低。研究结果表明,当烧结温度为1100℃时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1μA。  相似文献   

6.
Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器,利用新型Sol-Gel方法研究了Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响.复合先驱体溶液由Bi2O3,Sb2O3,MnO及Cr2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2,Bi2O3,Sb2C3,MnO及Cr2O3的溶胶中制成.研究结果表明:利用新型Sol-Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中,ZnCr2O4相在较低的Cr2O3添加量时出现,当Cr2O3的摩尔分数为0.75%时,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为7,压敏电压为6V,漏电流密度为0.7μA/mm^2。  相似文献   

7.
采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理.保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响.适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大.保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小.研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332 V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1 μA.  相似文献   

8.
采用室温固相化学法,并通过对反应物摩尔配比、球磨时间、前驱物洗涤方式等因素的控制,合成了掺杂ZnO纳米粉体.借助XRD,TEM,粒度分布测试等手段,对粉体的组成、形貌和粒度进行了表征,探讨了反应条件对粉体性能的影响.结果表明,在反应物配比为1.10,球磨时间为30min,采用含量为3%的PEG-2000作为表面改性剂的条件下,制备了粒径为20nm左右、形状为球状的掺杂ZnO粉体.将制备的粉体通过成型,在1080℃制备了电位梯度为791.64V/mm、非线性系数为24.36、漏电流为43μA的压敏电阻.借助XRD,SEM,电性能测试等手段,对ZnO压敏陶瓷的组成、结构及压敏电阻的性能进行了表征,探讨了工艺参数对压敏电阻性能的影响及其机理.  相似文献   

9.
利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料,详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因,用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压,压比和漏流,并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析,测试结果表明:在适合掺杂范围内,Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高,且漏流IL随掺杂量的增加减小,超出这一范围后,样品的电学性能将会恶化,物相分析表明在添加Bi2O3,Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中,存在ZnO相,Bi2O3相,Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。  相似文献   

10.
Y2O3掺杂对WO3压敏非线性及介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在Y2O3掺杂量(摩尔分数)为0.2%~2%的范围内研究了Y2O3掺杂对WO3的非线性伏安特性及介电性能的影响.实验结果表明:随Y2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Y2O3掺杂量为0.8%附近达到最大值(3.61);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)也是先增大后减小,其最大值(1.16×104)出现在Y2O3摩尔分数为1.2%附近的样品中.测量了各样品的阻抗频率依赖关系,并由此估算了不同Y2O3含量样品的晶粒电阻,利用德拜弛豫关系式解释了Y2O3掺杂引起WO3介电常数与晶粒电阻变化的关系.Y2O3掺杂的WO3陶瓷是一种新型的压敏电容材料.  相似文献   

11.
The structure of V2O5-P2O5-Sb2O3-Bi2O3 glass and its state of crystallization were studied by means of infrared spectroscopy and X-ray diffraction analysis. The results indicate that, in this glass, V and P exist mainly in the form of a single-stranded linear (VO3) n and an isolated (PO4) tetrahedral with no double bond. Partial V and P are connected through O, forming an amorphous structure of layered vanadium phosphate. Trivalent Sb3+ and Bi3+ open the V=O bond and appear in interlayers, so a weak three-dimensional structure is connected successfully. Along with the substitution of Sb2O3 for partial V2O5 or that of P2O5 for partial V2O5, the network structure of the glass is reinforced, and the crystallization is reduced.  相似文献   

12.
本文讨论了Bi2O3-PbO-B2O3玻璃的性质,介绍了该玻璃的配方及工艺,针对基础玻璃的颜色进行了研究,选用不同的着色剂,使基础玻璃着成了多种颜色。  相似文献   

13.
本文研究了在正规溶液的假设下,运用由二元相图提取活度的方法,分别计算了FeO—V2O3和V2O3-SiO2渣系相图在2500K温度下的活度。经加权平均计算,计算值和实验值的相对误差分别为13.34%和6.5%.这个精度处于Turkdogan提出的10%-30%的实验误差范围以内,可以作为进一步研究复杂含钒渣系时的热力学参考数据。  相似文献   

14.
The system Al2O3-B2O3-Ce2O3, with Al/B ratio varying from 4.5 to 2 and Ce/(Al+B) = 0.02, has been prepared at the temperature from 1 200 to 1 400°C. Relationship between luminescence and matrices in the system Al2O3-B2O3-Ce2O3 was investigated. It was found that some changes of the matrices occurred with Al/B ratio varying from 4.5 to 2. These results lead to a great change in luminescence properties, indicating variation of Ce-surroundings of crystal field. With the decrease of the ratio from 3 to 2, the excitation and emission peaks shift to shorter wavelengths. It was also found that a new type of rare earth luminescent materials was obtained with appropriate Al/B ratio.  相似文献   

15.
K2O-MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-F玻璃陶瓷的烧结析晶   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用弯曲试验、X射线衍射分析和扫描电镜等手段,研究了烧结K2O-MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-F玻璃陶瓷时烧结温度对材料密度、抗弯强度及析晶性能的影响.研究结果表明:在低温区(900℃)烧结时,玻璃陶瓷析晶少,密度和抗弯强度低;随烧结温度提高,烧结体密度、抗弯强度、析晶率不断提高,在1050℃时均达到最大值(密度约为2 39g/cm3,抗弯强度约为80MPa);温度继续升高到1100℃时,密度、抗弯强度和析晶率都有所降低.  相似文献   

16.
从理论上对铝热剂燃烧合成复相陶瓷Al2O3-TiC和Al2O3-TiB2的绝热温度及产物中Al2O3的熔化率进行了研究.随着预热温度的升高或稀释剂含量的降低,反应体系的绝热温度升高,但在2303K处均出现一个平台,其原因是Al2O3的熔化率不固定,在0~1之间变化.随预热温度的升高,燃烧反应能够自我维持的临界稀释剂的添加量也增多.  相似文献   

17.
通过混合焙烧的方法制备Fe2O3MoO3Sb2O3复合氧化物.采用X射线衍射(XRD)、同步热重差示扫描量热(TGDSC)和穆斯堡尔(Mssbauer)谱研究Fe2O3MoO3Sb2O3三组分体系在不同温度下的固相反应,并分别与Fe2O3MoO3和Fe2O3Sb2O3双组分体系的结果加以对比.结果表明,Sb2O3加入到Fe2O3MoO3体系中抑制了Fe2(MoO4)3的形成,而MoO3加入到Fe2O3Sb2O3体系,则可显著促进FeSbO4的生成.  相似文献   

18.
用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)结合超临界干燥技术(SCFD)制备Fe2O3/Al2O3二元超细复合材料,并用XRD,TEM进行检测。研究结果表明,采用该法,可制得红色、分散性好、粒径小于1μm的Fe2O3/Al2O3二元超细复合材料。  相似文献   

19.
采用传统熔融法制备了Dy2O3-Li2O-B2O3(DyLB)玻璃,并对其中7种组成的玻璃性质进行了研究.测定了它们的密度和显微硬度;测试了玻璃在人体模拟液(SBF)中的化学稳定性.实验结果表明:当Li2O质量分数固定为11%,Dy2O3在10%~22%区域内变化时,随Dy2O3含量的增加,DyLB玻璃的密度升高,玻璃的显微硬度先降低后升高,玻璃在SBF溶液中的溶出率降低,并且溶出率随浸泡时间的延长而增加.对其中1个组成的玻璃制备成玻璃微球,用中子反应堆对微球进行了辐射试验.DyLB微球辐照的数据表明,Li和B被激活成短寿命的核素8Li和12B,仅只有半衰期为2.4 h的165Dy核素存在,其放射的β射线可用于临床上的辐射治疗.  相似文献   

20.
用熔融法制备CaO-PbO-B2O3-SiO2系玻璃,以低温共烧法制备玻璃烧结体,研究不同Al2O3含量和烧成温度对玻璃的烧结性能和电性能的影响.结果表明:随着Al2O3含量的增加,玻璃的玻璃化转变温度升高,介电常数增加,介电损耗增加;X线衍射分析(XRD)显示G1玻璃在800℃析出CaSiO3和β-SiO2;G1玻璃于725℃保温30 min烧结,于10 MHz测试,介电常数(εr)=6.1,介电损耗(tanδ)=5.9×10-4;该玻璃有较低的玻璃化转变温度(tg=697.1℃)、较差的析晶能力、较低的介电损耗,适合作为低温共烧陶瓷(LTCC)的玻璃料使用.  相似文献   

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