SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了Bi2O3.3TiO2和PbTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响.实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是Bi2O3.3TiO2为9%,PbTiO3为18%.在1 250 ℃的温度下烧结获得了性能为:εr=3 295;Eb=10.2 kV/mm;tgδ=6×10-4;ΔC/C(-25～+85 ℃)≤±12%;绝缘电阻R=7.5×1012 Ω的高压陶瓷电容器材料.     

SrTiO3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系

采用二次烧结法制备SrTiO_3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1 440℃烧结2 h时达到最佳,介电常数为24 000,损耗在0. 02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中.     

添加物对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用

本文研究了Bi     

电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系

理论上,SrTiO_3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明,当电极/STO为非欧姆接触时,STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时,STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时,通过调整烧制Ag电极的温度和时间,当T=880℃,t=3. 5 h时,STO电容器的介电性能达到最佳,ε_r=22 850,tgδ=1. 0%.     

(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能

在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理.     

BaTiO_3 基半导体陶瓷的晶界效应

针对一固定的低电阻率ＰＴＣ配方，在实验手段允许的范围内，以及在能保证瓷体半导化的温度范围内波动时，改变ＰＴＣ瓷片的烧成温度、保温时间和冷却速度，均未实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变；通过涂敷受主氧化物进行热处理，并且热处理温度较低时就能实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变．基于本实验的现象和数据，对解释ＰＴＣ效应的Ｈｅｙｗａｎｇ模型，Ｄａｎｉｅｌｓ钡空位模型和较为普遍公认的晶界层电容器的双层模型进行总结和修正，提出了双势垒层模型，采用这一模型可圆满解释本实验中的某些现象和问题．     

添加剂对SrTiO3系高压介质介电性能的影响

研究了添加剂对 Sr Ti O3系高压介质介电性能的影响规律 ,并对各种添加剂的作用机理进行了解释。结果表明 Mn O2 的加入能降低介质的介质损耗 ,Dy2 O3的加入能提高介质的介电常数 ,Ca Ti O3、Mg Ti O3、Ni O的加入能降低该材料介电常数的温度变化率。     

测量电线电缆绝缘电阻的影响因素

绝缘电阻是电线电缆产品绝缘特性的主要指标,通过测定绝缘电阻可以发现产品在生产工艺中的的缺陷、所选用绝缘材料的优劣等。本文结合相关的国家标准,通过对电线电缆绝缘电阻的测量试验,阐述和分析了如何能更准确地测量电线电缆的绝缘电阻。     

Ti原子位置对立方SrTiO3电子结构的影响

基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算分析了Ti原子Z轴分数坐标的移动对立方SrTiO 3的能带结构、能态密度和Mulliken电荷布居方面的电子结构的影响。计算结果表明,随着Ti原子Z坐标的上移,O原子的电子逐渐转移到Ti原子上,使得O的部分电子能量升高,Ti的部分电子能量降低,价带与导带渐渐重叠,能隙消失,即Ti原子位置可以强烈影响SrTiO 3的电子结构。     

影响绝缘电阻试验结果的因素分析

本文介绍了兆欧表的结构及工作原理,阐述了测量绝缘电阻时应注意的问题,分析了外界电磁场干扰及表面泄漏等因素对绝缘电阻测量结果的影响,提出了正确使用兆欧表、消除测试误差的方法.     

粉体合成方法对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

为了深入研究粉体合成方法对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强(170V/cm)远小于固相法合成陶瓷(4 980V/cm),且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法(1.03MΩ)的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。     

添加物对SrTiO_3基高压电容器陶瓷的改性作用

本文研究了Bi2O3·nTiO2、Pb2 、Mn2 和Zn2 对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用,获得了2B4组的高压电容器瓷料,其性能指标如下:ε20℃=2000±100　　　tgδ≤50×10-4　　　ρv>1011Ω·cmΔε/ε20℃<±10%Ts=1200±10℃Eb>9kV/mm     

硼分布对Ni_3Al晶界的影响

用径迹显微照相技术(PTA)和TEM研究了含0.065wt％B的Ni_3Al合金中的硼分布对其晶界的影响。研究表明,当该合金于700、850、1000℃保温并空冷时,存在硼的晶界偏聚,且偏聚量随着保温温度的升高而减少,保温温度为1000℃时,偏聚量很少;保温温度为700℃或850℃时,偏聚量较大。硼晶界偏聚对该合金晶界内聚力的提高起着关键作用,硼的偏聚量较大时,合金呈完全穿晶断裂;硼的偏聚量较少时,合金呈完全沿晶断裂。     

绝缘电阻试验中屏蔽极对测量结果的影响研究

本文介绍了用兆欧表测量绝缘电阻的原理,通过实测数据分析了屏蔽极对测量结果的影响,提出了正确使用屏蔽极消除测试误差的意义和研究策略。     

0.45(Bi_(1-x)La_x)FeO_3/0.55SrTiO_3复合体的制备和性能研究

采用传统的固相反应法制备了0.45(Bi1-xLax)FeO3/0.55SrTiO3(x=0.1,0.2)复合体陶瓷.复合体样品的X衍射谱结果显示没有产生杂相,为单一的钙钛矿结构.对复合体的电滞回线和磁滞回线的测量结果表明,样品在室温下有较好的铁电性与磁性.同时,随着La的掺杂比例的提高,样品的铁电性能和磁性能均有所提高.而介电测量表明样品中存在弛豫型的介电损耗峰,推测样品中的氧空位可能是引起介电弛豫的主要原因.     

Fe层厚度对Fe／Mo多层膜巨磁电阻的影响

详细研究了用溅射法制备的Ｆｅ／Ｍｏ多层膜系统的结构，磁性及磁电阻效应。发现当保护Ｍｏ层厚度为０．８ｎｍ、Ｆｅ层厚度ｄＦｅ由２．２ｎ，减到０．４ｎｍ时，ＧＭＲ在ｄＦｅ〈１．４ｎｍ有一迅速增加，并在ｄＦｅ＝０．９ｎｍ时达极大值，然后下降，矫顽力显示出类似的行为。     

晶界工程处理对304奥氏体不锈钢力学性能的影响

晶界工程是改善晶界特性以提高抗晶间退化能力的一种可行方法,能有效提高Σ重位点阵晶界的比例。研究基于304奥氏体不锈钢,通过控制不同的热机械加工工艺,以获得更高的Σ重位点阵晶界,优化晶界特征分布,利用电子背散射衍射技术分析不同样品的微观结构,通过室温拉伸试验研究晶界类型对304型奥氏体不锈钢力学性能的影响。结果表明,经过晶界工程处理的样品,其伸长率能得到一定程度的提升。分析断口微观形貌、平均施密特因子、泰勒因子得出,晶界工程处理能使得304奥氏体不锈钢基体内的第二相杂质减少、微观区域应变分布更均匀、滑移系统的激活过程更容易发生。     

Mn对SrTiO3基电容—压敏陶瓷非线性系数的影响

介绍了ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷研究的国内外进展，从理论和实验出发研究了Ｍｎ对ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷非线性系数的影响，并得到了一些有益的结论。     

掺杂稀土元素对BaTiO3系统介电性能的影响

研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统，对居里峰有明显的改善作用；Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳—芯结构，这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介电性能，满足X7R特性。     

LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO2/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM),研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明:BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20～30 nm,而LaNiO2缓冲层上生长的BST薄膜则为(100)择优取向,晶粒尺寸约为150～200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.