去甲肾上腺素聚合膜固定葡萄糖氧化酶用于葡萄糖传感

研究了中性缓冲溶液中葡萄糖氧化酶在去甲肾上腺素循环伏安电氧化聚合膜中的共沉积.考察了共沉积时去甲肾上腺素和葡萄糖氧化酶浓度的影响,结果表明5.5 mmol/L去甲肾上腺素(NA)和4.0 mg/mL葡萄糖氧化酶(GOD)时所制葡萄糖传感器性能最佳.也考察了检测电位、溶液pH及电活性物质干扰等因素.当溶液pH值为7.0,检测电位为0.7 V时,传感器响应电流与葡萄糖浓度在0.05～9.1 mmol/L之间呈现良好的线性关系,检测下限为2μmol/L(S/N=3),且传感器的响应时间短(15 s内)、抗干扰能力强、稳定性好.测得固定酶的米氏常数(Kmapp)为11.3 mmol/L.     

碳纳米管/石墨烯/铋膜修饰碳糊电极测定铅和镉

用碳纳米管(CNT)、石墨烯(GR)、铋膜修饰碳糊电极构建碳纳米管石墨烯铋膜修饰碳糊电极(CNT/GR/Bi/CPE),并用差分脉冲伏安(DPV)法测定了铅和镉的含量。在最优条件:电解质缓冲底液p H为5.5,沉积时间50 s,沉积电位-1.3 V,用碳纳米管石墨烯铋膜修饰碳糊电极(CNT/GR/Bi/CPE)同时测定Pb2+和Cd2+得线性方程分别为:IPb2+(A)=-5.8202?10-6-1.0342c(mol/L)(R=0.9978);ICd2+(A)=-3.9781?10-6-1.3651c(mol/L)(R=0.9923),线性范围分别为1~15μmol/L和2~16μmol/L,Pb2+、Cd2+的检出限分别为:6.67?10-7 mol/L;3.33?10-7 mol/L。本方法操作简单且修饰电极稳定性、重现性好易于进行检测铅镉离子。     

具有临界频率的分数阶薛定谔-泊松系统的半经典基态解的多重性

本文将研究以下具有临界频率的分数阶薛定谔-泊松系统:{ε2s(-△)su+V(x)u+K(x)ψu = 丨u|2s*-2ux ∈ R 3(-△)sψ=K(x)u2x ∈ R 3其中ε＞0是参数,s∈(3/4,1],2s*=6/3-2s是分数阶临界指数,K(x)∈L6/6s-3(R3)是一个非负函数,V(x)∈ L3/2...     

Fenton氧化法去除造纸法再造烟叶废水COD的研究

采用Fenton 氧化法深度处理经过生化处理后的造纸法再造烟叶废水,研究了H2O2用量、Fe2+用量、反应时间以及初始pH因素对CODCr去除率的影响,确定了最佳试验条件.结果表明,n(H2O2)∶n(Fe2+)为6∶1,H2O2用量36.75 mmol/L,Fe2+用量6.125 mmol/L,搅拌反应时间30 min,初始pH 为3时,CODCr去除率达最大值为72.26%,再添加PAM进行絮凝沉降处理,最终出水水质CODCr为60 mg/L.     

球面稳定同伦群的一族新元素

证明了在经典Adams谱序列中,当p≥11,3≤s≤p-3时,g0(b1)2∈Ext6,2p2q+pq+2qA(H*V(2),Zp)在Adams谱序列中收敛到π2p2q+pq+2q-6V(2)的非零元,g0(b1)2s∈Ext6+s,(s+2)p2q+spq+sq+(s-3)A(Zp,Zp)在Adams谱序列中收敛到π(s+2)p2q+spq+sq-9S的非零元.     

乙二胺N,N-二(4-乙酰胺苯甲酸)-二乙酸配合物合成、表征与性能研究

通过乙二胺四乙酸二酐与对氨基苯甲酸的酰化反应合成了乙二胺N,N-二(4-乙酰胺苯甲酸)二乙酸(H4L),并以此为配体分别与稀土离子Sm3+、Gd3+、Eu3+和过渡金属离子Mn2+、Fe3+组装得到系列配合物.用红外光谱、紫外-可见光谱、元素分析及热重-差热分析对配合物进行了组成与结构的表征,配合物的组成可表示为M(HL)?3H2O（M=Sm3+, Eu3+,Gd3+,Fe3+）或者M(H2L)?3H2O（M=Mn2+）.配合物Gd(HL) ?3H2O的荧光发射光谱中没有离子特征谱图,而配合物Eu(HL)?3H2O在618nm处5D07F3跃迁的发射峰最强.配合物Gd(HL)?3H2O的弛豫率为7.43mmol/(L?s),体外弛豫性能明显提高.     

Ni/γ-Al_2O_3催化剂上丙烯与Ni的相互作用——XPS EPR UV-DRS研究

用 XPS研究了 Ni负载量对催化剂表面结构的影响 .选择负载量为 8%的 Ni/γ- Al2 O3催化剂 ,解迭出 Ni2 p3 /2 XPS,Eb(Ni O) =855.2 e V,Eb[Ni- O(T) ] =856.5 e V,Eb[Ni- O(O) ] =857.9e V;测定了不同温度通 H2 还原后吸附丙烯及不同温度吸附丙烯后 Ni2 p3 /2 及 C1 s XPS的变化 .对照EPR及 UV- DRS结果 ,推断丙烯在反应过程中形成 [Ni(C3H6 ) n] (1 -δ) +及 [Ni(C3H6 ) n] (2 -δ) + (n =1 ,2 )过渡态配位化合物 .     

菱叶菊组培繁殖研究

以菱叶菊(Chrysanthemum rhombifolium)幼嫩茎尖为材料,采用不同方法进行表面消毒后,以茎段和叶片为外植体,通过不定芽的诱导、继代和生根建立离体繁殖体系.结果表明,幼嫩茎尖的表面消毒以洗涤剂浸泡10min,自来水冲洗20min,75%乙醇消毒10s,0.1%HgCl2消毒5min的效果最好,成活率为75.15%.最适不定芽诱导培养基为MS+6-BA(3 mg/L)+NAA(1 mg/L),茎段的不定芽诱导率为82.2%,叶片的不定芽诱导率为66.6%;最适不定芽继代培养基为MS+6-BA(3mg/L)+NAA(1mg/L),增殖系数为4.63;最适不定芽生根培养基为1/2 MS+IBA(0.5mg/L),生根率达98%.120株试管苗移栽到蚯蚓土和腐殖土(V(蚯蚓土)∶V(腐殖土)=1∶1)营养钵中,30d成活109株,移栽成活率达90.83%.     

钠盐缓蚀剂对镁合金电极电化学性能的影响探究

采用交流阻抗和电化学恒流放电的方法,探究了不同浓度的钠盐缓蚀剂对AZ31B镁合金在硝酸钾与硝酸钠复合电解液中的耐蚀性和放电行为的影响。实验结果表明,综合考虑阻抗和放电行为,NaHCO₃的最佳浓度为5 mmol/L,(NaPO₃)₆最佳浓度为2 mmol/L。Na₂SiO₃·9H₂O最佳添加浓度为1 mmol/L,此时的滞后时间最短(0.2 s),激活电位为-2.4 V,极化电阻达到了72 kΩ,耐蚀性也较好。因此,Na₂SiO₃·9H₂O为更优异的缓蚀剂。     

C_(14)H_(11)N_3O_4的晶体结构及其钒酰、钴配合物的电子光谱性质

合成了配体水杨醛缩对硝基苯甲酰腙(H2L,C14H11N3O4),通过元素分析、红外光谱、电子光谱和X射线单晶衍射进行了表征.晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,a=1.036 27(7)nm,b=1.361 52(9)nm,c=0.923 63(6)nm,β=99.530(2),V=1.285 2(2)nm3,Z=4,Mr=605.54,Dc=1.474 g.cm-3,μ=0.111 mm-1,F(000)=630,R=0.067 7,wR=0.211 4.晶体内每个H2L分子通过分子间氢键作用与相邻另一个H2L分子缔合成一个沿c轴方向的一维链状结构,O-N氢键键长为0.287 3(2)nm,O-H-N氢键键角为158.91°.通过电子光谱实验分析,其钒酰配合物VO(L)(CH3OH)(CH3O)的V原子为+5价.     

过氧化氢在室温离子液体掺杂的聚中性红修饰电极上电化学行为研究

通过连续循环伏安法在含3.15×10-4 mol.L-1中性红单体和0.1 mol.L-1[HEMIm][BF4]离子液体的磷酸缓冲溶液中得到离子液体掺杂的中性红修饰电极.将该修饰电极置于磷酸缓冲溶液中可观察到一对氧化还原峰,其阴极峰电位和阳极峰电位分别位于-0.593 9 V和-0.464 9 V(versus SCE).进一步研究发现,该修饰电极的氧化峰对过氧化氢的电化学行为表现出良好的阻抑作用.据此,建立测定过氧化氢的阻抑电化学新方法,线性范围为0-2.73×10-8 mol.L-1,方法检出限为1.11×10-8 mol.L-1.     

纯相SnO2纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究

采用一步电沉积在氧化铟锡（ITO）导电玻璃基底上制备纯相SnO₂纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO₃浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明：当沉积电位为-0.9 V（vs.SCE）,镀液温度为65℃,HNO₃浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO₂纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10^-3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×10²⁰ cm^-3,载流子迁移率为14.8 cm²/（V·s）。故所制备的SnO₂纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料。     

光电催化降解双酚A的研究

采用sol—gel法制备TiO2薄膜光电极,以该电极为工作电极,铂丝为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,对双酚A的光电催化降解进行了研究,结果表明：该电极具有“型半导体的特征行为．外加偏压为＋0．8V、pH=4,0．88mmol／L的H2O2中,对初始浓度为0．22mmol／L的双酚A溶液光照180min,降解率达70．24％,讨论了氧的存在、外加偏压、双酚A浓度和pH值等因素对光电催化反应的影响。     

Ferrocene-Nafion修饰厚膜碳糊电极的葡萄糖传感器研究

以基于丝网印刷技术制作的厚膜碳糊电极为基底电机,用二茂铁为介体、Nafion修饰厚膜碳糊电极制备了葡萄糖传感器．Nafion涂于电极表面上形成的膜具有强的附着力,防止了二茂铁及酶的流失,电极稳定性提高．并且由于低的工作电位（＋025vsSCE）和Nafion膜的阳离子交换作用,基本上消除了电活性物质（抗坏血酸、尿酸）的干扰,具有防污能力．该酶传感器的检测上限可达18mmol／L,响应时间小于60s.     

酸性铬兰K固体石蜡碳糊修饰电极溶出伏安法测定痕量钴

在pH为8.5,0．2mol／L,氨性缓冲底液中,以酸性铬兰K（ACBK）为修饰剂,固体石蜡为粘合剂,制备了ACBK碳糊修饰电极。在-1．0V电位下富集,将钴以Co－ACBK络合物的形式吸附在电极上,以阳极溶出伏安法制定Co2+,在十0．106V（VS．SCE,以下同）处有灵敏的氧化峰,其一次微分峰电流与Co2+浓度在1．0X10~-12～1．0X10~－5mol／L范围内的负对数呈良好的线性关系,此法的检测下限为5.0X10~13mol／L.     

细胞色素c在硅基有序介孔材料SBA-15上直接电化学行为

用水热法合成了硅基有序介孔分子材料SBA-15,研究了细胞色c(Cyt c)在SBA-15修饰玻碳(GC)电极表面的直接电化学行为.结果表明,在pH 7.0磷酸缓冲溶液中(PBS),细胞色素c在SBA-15修饰电极表面表现出一对准可逆的氧化还原峰,电位差ΔE为87 mV,式电位E0′为0.275 V,峰电流的大小与循环伏安扫描速度成正比,说明细胞色素c在电极表面过程是受表面控制.固定在电极上的细胞色素c能促进过氧化氢的催化还原,显示出较高的亲和力,为过氧化氢传感器的研制提供理论依据.     

CO2在p—SiC膜电极上的光电化学还原

近年来,CO_2的光电化学还原引起人们极大的兴趣,已有利用SiC粉末进行CO_2光催化还原的报道。本研究首次利用p-SiC膜光阴极还原CO_2,得到较高的CH_3OH产率。1 实验 在导电玻璃上采用水银光敏化CVD法制得微晶p-SiC膜,电极表面用4.6％HF溶液抛     

毛细管电泳电化学发光检测香草扁桃酸和高香草酸

利用毛细管电泳电化学发光(CE-ECL)法检测了尿样中的香草扁桃酸(VMA)和高香草酸(HVA),得到了最佳的分离检测条件:50 mmol/L磷酸盐缓冲溶液(pH 8.2);分离电压16 kV;检测电势1.2 V(相对于饱和甘汞电极).在最佳条件下,VMA和HVA的浓度检测限(S/N=3)分别为5.0×10^-7 mol/L和6.1×10^-7 mol/L,线性回归系数分别为0.999 3和0.997 9.并以此方法将尿液中的VMA和HVA在10 min内有效地分离检测,不受其他干扰,得到加标回收率分别为98%和99%,取得了满意的结果.     

锑(Ⅲ)-7-碘-8-羟基喹啉-5-磺酸络合物吸附波的研究

在ｐＨ７．３０的ＫＨ２ＰＯ４－Ｎａ２Ｂ４Ｏ７·１０Ｈ２Ｏ缓冲介质中,锑（Ⅲ）与７－碘－８－羟基喹啉－５－磺酸（Ｆｅｒｒｏｎ）生成络合物,在线性单扫描示波极谱仪上出现一尖锐、灵敏的极谐波,二阶导数峰电位Ｅｐ＝－０．８３Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）,峰电流与锑（Ⅲ）浓度在３．０ｘ１０－８－４．９ｘ１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好线性关系,检出限为１．２ｘ１０－８ｍｏｌ／Ｌ。采用多种电化学方法研究了极谱波的性质及电极反应机理,证明了该极谱波为络合物吸附波,络合物组成为Ｓｂ（Ⅲ）：Ｆｅｒｒｏｎ＝１：２,峰电流由络合物中心离子Ｓｂ（Ⅲ）还原产生。试验了多种离子对峰电流的影响,周巯基棉分离干扰离子,采用本法对标样进行测定,结果满意。     

微分脉冲阳极溶出伏安法测定铝土矿中镓

在ＰＨ３的盐酸介质中，Ｇａ与邻苯二酚形成络合物。用微分脉冲阳极溶出伏安法测定，在－０．６９伏特出现阳极溶出峰。在－１．５伏特下电解富集９０秒，用微分脉冲溶出伏安法测定铝土矿中向量镓。