电子束蒸发与磁控溅射方法镀制铬膜研究

通过对铬膜附着力及表面形貌的研究得出电子束蒸发制备铬膜适宜的工艺参数为本底真空3.0×10-3Pa,电压6KV,电子束流60mA,烘烤温度100℃;磁控溅射制备铬膜的最佳工艺参数为本底真空1×10-3Pa,溅射气压为1.2×10-1Pa,溅射功率为150W,基片温度100℃.     

Si在GaP(111)衬底上的分子束外延

在用分子束外延技术制备半导体异质结时,选择晶格常数相匹配的材料是获得高质量外延膜的关键因素之一.Si和GaP这两种材料的晶格失配仅为0.37%,而且它们的热膨胀系数和弹性常数也非常接近,因此Si/GaP系统是一种非常适用于分子束外延生长的结构.本文对这一体系的外延生长特性作了初步的研究. 外延生长是在一台超高真空电子束蒸发装置中进行的,它由相互间可以隔离的生长室、分析室和进样室三部分组成.生长室中配有8kW的电子束蒸发器、石英晶体厚度监视器、高能电子衍射仪(RHEED)、液氮冷屏罩和一个可使样品自转的样品架.生长室的极限真空度可达8×10~(-9)Pa,工作时压强保持在1×10~(-7)Pa.Si的蒸发速率为0.4A/S,     

渤海大学大型仪器简介

正铜铟镓硒薄膜太阳能电池共蒸发系统仪器英文名:CIGSe solar cell coevaporation System规格型号:MBE060CB01制造商:中国科学院沈阳科学仪器有限公司产地:中国主要技术指标:1、超高真空获得:极限真空度6.6×10~(-8)Pa;真空室检漏率小于5×10~(-8)Pa·L/s;短时间暴露大气并充干燥氮气抽至5×10~(-4)Pa,小于40分钟。2、分子束源炉:设备共安装5个分子束源炉,加热器材料选用Φ1高纯钽丝,支撑骨架和绝缘件选氮化硼件成型,加热器四周和底部有多层热屏蔽层。控温器选用日本产品,有计算机通讯接口。测     

SnO2—ZnO薄膜的热处理效应

用电子束蒸发的方法,在1.33×10~(-3)Pa的真空中蒸发SnO_2-ZnO陶瓷及掺杂荆,获得超微粒结构的SnO_2-ZnO薄膜,薄膜在氮气和氧气气氛中进行热处理。经热处理后,薄膜的结构、电学及光学性能得到改善。由这种薄膜制备的气敏元件,经掺杂和600℃热处理后,对乙醇气体有很高的灵敏度。     

高真空技术在化学实验中的应用

通常把远比大气状态稀薄得多的空间叫做真空,具体指压力低于1.01×10~5Pa的气态空间也都称为真空。而真空度则以残留气体的绝对压力是多少Pa来表示。利用近代设备可以得到的真空可低达1.01×10~(-9)Pa,为获得高真空度,可采用称为分子抽气泵或扩散抽气泵设备来抽空。高真空是用根据稀薄气体的特殊性质而设计的专门的气体压力计来测量的。近几十年来真空技术发展迅速,它广泛应用于工业生产、教学实验和尖端科研中。就近的例子如我院精炼食用菜油科研中之真空快速过滤提纯、我省食品工业中的真空低温刺梨汁的纯化浓缩,以至广泛应用在尖端新型电光源工艺中之高真空(<1.3×10~(-3)～1.3×10~(-6)Pa)、热核控制中之超高真空(<1.3×10~(-6)～1.3×10~(-10)Pa)技术等等。在化     

化工设备氨检漏法的研究

以溴苯酚为显示剂,对氨在不同压力、不同浓度下通过漏孔(漏率为3.3×10~(-6)、6.7×10~(-7)和2.7×10~(-8)Pa·m~3/s)后的成斑速率的实验,发现显色区斑点直径与反应时间、试验压力、氨气浓度和泄漏量呈指数关系,得到了计算漏率的公式:Q=3.74×10~(-7)C~(-0.36)t~(0.4)p~(-0.52)d~(0.79),式中:Q—泄漏率,Pa·m~3/s;C—氨气浓度。%;t—反应时间,min;P—试验压力,MPa;d—显色区斑点直径,mm。按此推算,当采用0.6MPa的纯氨,经10小时可检漏孔的漏率为1.06×10~(-8)Pa·m~3/s。     

MOSi_2生长动力学研究

用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10~(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过500,525,550℃等温退火,得到MoSi_2生长厚度与退火时间的平方根成正比的结论。说明MoSi_2生长过程受主扩散元Si通过MoSi_2生长层的扩散限制,生长动力学服从抛物线规律。从而得到表观激活能E_a=1.92eV。     

玻璃毛细管阵列传输效率与真空差分性能研究

玻璃毛细管由于它的通光性和真空差分性能被越来越广泛应用于同步辐射光束线中.为了更好地了解毛细管阵列的性能,利用国家同步辐射实验室光谱辐射标准和计量光束线(U26)研究了不同长度和直径比的玻璃毛细管阵列对VUV和软X射线传输效率,并利用该站电离室部分研究了真空差分性能.给出了实验数据.直径实测为134 μm,长度分别为7 mm(L/D=52.2)和19 mm(L/D=141.8)的玻璃毛细管阵列,当光束垂直于截面入射时,其理论计算传输效率都为61%,而实验测得的值分别为44%和24%左右.当低真空端气体压强设为120 Pa时,通过玻璃毛细管阵列后,用TMP110机组抽气时,高真空端真空度为7.6×10~(-2) Pa,其真空差分能力达到1.6×10~3倍.     

全玻璃真空太阳集热管空晒性能的数值模拟分析

利用FLUENT对58×1 800mm全玻璃真空管在不同发射率、真空度下空晒热性能进行数值模拟与分析,并通过空晒实验来验证模拟结果的正确性.数值分析结果表明:发射率越低,真空管的热损失越小,真空管的热性能越好.真空管空晒热性能随真空夹层压强的增加而减小,真空管空晒性能变化主要位于10-1~10Pa范围,当压强小于10-1 Pa或大于10Pa时,由真空夹层间气体的导热损失引起的真空管热性能变化已不明显,为了保证良好的真空管热性能,真空夹层的真空度应当维持在10-2 Pa的数量级.     

电子束蒸发制备碳化硼微球涂层的工艺研究

自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置,用于电子束蒸发制备碳化硼微球涂层. 采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1 mm的玻璃小球表面沉积了碳化硼涂层. 研究了筛网振动频率、电子束制备工艺对沉积速率、涂层厚度以及涂层表面粗糙度的影响. 采用X射线照相技术测试涂层的厚度;XPS测试涂层表面成分;AFM表征涂层的表面形貌和均方根粗糙度. 结果表明：涂层主要成分为B4C,表面较为光滑、均匀;当筛网振动频率为0.25 Hz,且电子束蒸发工艺参数定为：真空度P小于3×10-3 Pa,高压U 等于6 kV,束流I 在 1     

IC装备真空腔室的气密性检测试验及分析

腔室气密性是影响集成电路(IC)装备真空腔室内流场均匀性的重要因素,腔室漏率数量级不高于6 310 Pa m/s??、极限真空度数量级不高于410 Pa?,才能满足IC工艺的漏率要求.本文用氦质谱检漏仪检测真空腔室泄漏情况,并将泄漏处逐一进行堵漏处理,使腔室气密性能达到IC装备的工艺要求.用静态升压法计算得出腔室漏率为6 38.84 10 Pa m/s???,极限真空度为42 10 Pa??,考虑用于实际生产的工艺腔室体积小(10~30 L),而本实验腔室体积(84.5 L)较大,所以搭建的真空室可以满足IC装备的漏率要求.     

真空高低温测试系统

文章反映真空与低温这两门学科在现代科学技术中的应用和发展,着重介绍真空高低温测量实验系统。为适应新技术条件下对材料、器件测试仪器的要求,研制了该真空高低温实验系统。该系统采用液氮制冷,辐射式加热器加热,结合真空技术,是一套可对大尺寸样品进行高真空(最高真空度4×10-4Pa)和高、低温(-173℃~800℃)测量的实验系统,主要包括高低温真空腔体、真空抽气系统和测试接口,可用于半导体器件、发光材料、光学元件(特别是低温光学)、高温超导材料等的测试。     

HPLC-ELSD法测定珠子参根茎中新化合物24(R)-珠子参苷R_1的质量比

采用高效液相色谱蒸发光散射法(HPLC-ELSD)测定珠子参根茎中新化合物24(R)-珠子参苷R1的质量浓度.色谱条件为:Aglilent Zorbax SB-C18(ODS,4.6mm×250mm,5μm)色谱柱,流动相V(甲醇)∶V(水)=58∶42,流速1.0mL/min,柱温25℃,载气压力1.94×105 Pa,漂移管温度85℃,撞击器关闭,进样量20μL.结果表明:在0.40~20.0μg内,24(R)-珠子参苷R1线性关系较好,r=0.999 3(n=6);24(R)-珠子参苷R1的平均回收率为98.7%,RSD=1.28%(n=6).     

真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响.CoFe薄膜在优于5.5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上.随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理.靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松.电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率.X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距.     

局部真空电子束旋转动密封装置设计

大尺寸旋转动密封技术是局部真空电子束焊接的关键技术 论述了旋转动密封技术方案和动密封机构的选择,研制了1台大尺寸旋转动密封试验装置.在真空度指标为6×10-3Pa,转动周期为3.8r/min情况下,经过试验得到:(1)旋转动密封机构,系统出气的主要原因是旋转时漏气,而材料表面出气及静态漏气都是次要的;(2)单层密封结构已能够保证所需要的真空度,可以不考虑带夹层的双层密封结构;(3)动密封结构中滚珠支撑作用是非常重要的,它可以在保证密封的同时,减小摩擦力50%左右.试验的结果表明,大尺寸旋转动密封技术方案是正确的,设计的大尺寸动密封机构是可行的.     

20CrMnTi真空脉冲感应渗碳及耐磨性研究

利用真空脉冲渗碳技术和真空感应渗碳技术对20CrMnTi钢进行表面强化,通过X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试等技术手段,探究不同压力下,2种工艺对表面渗层微观组织结构、硬度梯度以及耐磨性的影响规律。结果表明:相同渗碳压力下,真空感应渗碳表面硬度高于对应的真空脉冲渗碳工艺的表面硬度值,渗层厚度、耐磨性能也都优于对应的真空脉冲渗碳工艺,当渗碳压力为-70kPa时,真空脉冲渗碳工艺的磨损速率达到8. 34×10~(-7)cm~3/min·N,真空感应渗碳的磨损速率为6. 27×10~(-7)cm~3/min·N,摩擦性能最好。     

渤海大学大型仪器简介

正光谱发射率测量系统仪器中文名:光谱发射率测量系统仪器英文名:Spectral Emissivity Measurement System型号:BHU-VI1200制造商:渤海大学光电检测技术研究所产地:中国主要技术指标:1.光谱范围:50~10000 cm~(-1);2.光谱分辨率:0.25 cm~(-1);3.温度范围:室温~1200℃;4.温度稳定性:±1℃;5.真空度:10~(-3)Pa;6.发射率重复性:3%。光谱发射率测量系统集成傅里叶光谱仪(Nicolet iS50)和ISDC腔式黑体,实现常温、中温和高温发射率测量;利用4探测器和3分束器的优势配置,实现可见光至远红外200μm的光谱测量,超宽的发射率光谱测量范围达到国际先进水平,放置于综合实验楼B402材料光谱发射率测量实验室。主要特征:1.智能控制:样品加热、温度控制、稳定判断、光谱探测、结果分析过程的程序自     

超薄VO_2外延薄膜的制备及其金属-绝缘体相变的原位研究

采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO_2(110)衬底上沉积VO_2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10~(-6)mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO_2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射(LEED)和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表面;随着生长时间的增加,表面变粗糙,点阵变暗,V的价态逐渐降低,从+5价过渡到+3价;在薄膜厚度接近10个原子层时,薄膜存在金属-绝缘体相变行为.     

CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。     

一种新型的具有修复机制铅离子选择电极的研制

构建了新型的以硫化铅纳米空球包埋膜组分为载体的聚氯乙烯膜铅离子选择电极.电极对铅离子的响应在1×10~(-2)~1×10~(-5) mol·L~(-1)浓度范围内有线性关系,斜率为26mV/pC,检测下限为7.1×10~(-6) mol·L~(-1).膜厚约0.3 mm的聚氯乙烯膜铅离子选择电极在1×10~(-1)~1×10~(-2),1×10~(-3)~1×10~(-5)及1×10~(-6)~1×10~(-) mol·L~(-1)的铅离子溶液中,其响应时间分别为9~15,20~45和55~70s.在1×10-3 mol·L~(-1)铅离子溶液中电极电位稳定的pH范围为3~7,银离子对电极的测量有一定的干扰.