半导体硅材料的清洗方法

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。     

硅片清洗技术及发展

在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在的问题,提出了改进方向并展望了发展前景。     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究。

集成电路用硅片必须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺，通过调整预清洗工序流程，对免清洗硅抛光片进行清洗，主要解决免清洗片表面“腐蚀圈”问题，对其进行了分析。     

湿法化学清洗设备的防护措施

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺及化学涅法清洗设备在使用时安全隐患和防腐保护措施的应用。在设备的主体,电气控制系统、加热系统、排放系统等部分的设计的独创性和实用性得到广泛的应用。一定程度上解决了该设备在应用中的安全隐患,具有重要的意义。     

太阳能级多晶硅制备技术研究进展

随着光伏市场需求不断增加,满足光伏电池技术经济指标要求的硅材料出现严重短缺,低成本提纯冶金硅至太阳能级多晶硅工艺技术越来越受到广泛重视,成为研究开发热点.综述了目前国内外太阳能级多晶硅的生产工艺和最新研究状况,并进行了比较分析,展望了应用前景.     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

超声波清洗工艺在汽车清洗中的应用

对汽车清洗技术中传统的机械清洗法、湿法化学清洗法的应用现状进行了分析,介绍了超声波清洗技术的工艺特点以及与传统清洗技术相比具有的优势.通过对超声波清洗设备结构、清洗机理和清洗过程的介绍,进一步阐述了超声波清洗技术在汽车上的具体应用和广阔的发展前景.     

机械手在硅片清洗机中的应用

硅片清洗机是太阳能行业中硅片制造环节的一种重要的自动化设备,它的主要作用是将多线切割机生产出来的多晶硅或者单晶硅片清洗干净并进行烘干,以达到进行最终硅片包装的目的。根据硅片清洗机的工艺流程和控制要求,分析了清洗机的机械手存在的缺陷,提出采用编码器代替限位开关的改造方案,并采用PLC、变频器完成了机械手的控制。     

激光清洗技术的初步研究和应用

激光清洗技术与其他清洗方法（化学清洗、超声波清洗等）相比,具有保证清洗对象无损、清洗效果好、精细、无污染等优点,正在被广泛的研究和应用.根据去除原理的不同,激光清洗技术被分类为干式激光清洗、湿式激光清洗和激光等离子体冲击波等方法.本文介绍了本单位项目组对激光清洗技术的初步研究和应用.     

单晶圆清洗技术的研究

分析以往批处理清洗技术面临的问题及现代清洗技术的关键要求,介绍了采用臭氧的单晶圆清洗工艺,提出了臭氧清洗需要解决的问题。     

采用薄片溶解工艺制造微机械惯性仪表的实验研究

介绍了一种用以制造微机械惯性仪表（包括微陀螺和微加速度计）的微机械体加工方法——体硅溶解薄片法。它包括硅片工艺、玻璃工艺和组合片工艺。整个工艺过程只需单面处理,三次掩膜。硅片工艺包括刻凹槽,深扩散和干法刻蚀三次工艺过程。玻璃上用剥离的方法形成引线和电极的金属层。然后将硅片和玻璃倒接,进行静电键合。最后腐蚀掉硅片背面未掺杂的体硅,从而分离出结构。本文结合微陀螺的具体结构,详细阐述了每一工艺过程的要点,并着重介绍了硅上刻高深宽比槽的技术。该方法形成的结构与衬底不易粘附,成品率高,制造成本低,可形成的结构图形多种多样。     

国产硅片锥形缺陷的改善方法

针对某国产硅片在验证过程中的锥形缺陷,通过优化拉晶和制作工艺中的等待时间管控,减少硅片的缺陷,提升硅片的质量.     

超临界CO2萃取硅表面有机污染物研究

研究利用超临界CO2萃取方法去除硅片上有机污染物的效果。通过用润滑油模拟有机污染物,对污染量、萃取压力、萃取温度做正交实验,分析去除率;对萃取前后的硅片做电镜扫描实验、X射线光电子谱扫描实验,分析硅片型貌和电子结构变化。实验结果表明,去除率随着压力和温度的升高而升高,但温度的影响程度小于压力;去除效果随着污染量的增加而略有降低,但去除率均在92%以上;电镜扫描图片显示,萃取前后硅片型貌没有发生变化;X射线光电子谱扫描图显示,除了碳污染水平不同,萃取前后的硅片表面电子结构基本相同。     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果．用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０１０ｃｍ－２数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当．新型清洗工艺具有操作简单、价格低廉、且无毒、无腐蚀和对人体无危害、对环境无污染的优点．     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。