一种低电源电压的CMOS四象限模拟乘法器

介绍了一种工作在低电源电压下的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器,为保证在较低的电源电压下较大的线性电压输入范围和较小的非线性失真,电路采用了特殊的设计。ＳＰＩＣＥ的模拟结果表明,在±２．５Ｖ电源电压下,线性输入范围大于±１．５Ｖ,在此范围内该电路的皮失真小于０．８％,－３ｄＢ带宽分别大于３．０ＭＨｚ和８．５ＭＨｚ,功小于１．４ｍＷ。     

基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是，为了减少版图面积，节约成本，中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法，介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。     

CMOS集成运放的伸缩性版图设计

根据基本ＣＭＯＳ集成运算放大器的电路特点及设计指标，编制了ＰＳＰＩＣＥ电路通用分析源程序，由模拟结果推导出各模拟参量与其决定因素之间的关系，进而确定了由设计指标决定的版图几何尺寸和工艺参数，提出了伸缩性版图设计的思想，建立了从性能指标到版图设计的优化路径，为实现模拟集成电路版图的自动设计提供了初步的步骤和程序。     

基于CMOS电路的温度计的设计

<正>CMOS数字集成电路品种繁多,包括了各种门电路、编译码器、触发器、计数器和存贮器等上百种器件。1.常用特性(1)工作电源电压。常用的CMOS集成电路工作电压范围为3～18V(也有7～15V的,如国产的C000系列),因此使用该种器件时,电源电压灵活方便,甚至未加稳压的电源也可使用。(2)供电引脚。(3)输入阻抗高。CMOS电路的输入端均有保护二极管和串联电阻构成的保护电路,在正常工作范围内,保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入     

ERES—ET计算机设计的模拟验证环境

介绍在ERES－寄存器级描述语言的基础上开发的ERES－ET计算机设计的模拟验证环境。该系统已用于RISC机与新型计算机的设计验证，并用于计算机辅助教学。     

基于模拟的验证技术在CPU设计中的应用

在一款通用CPU设计中，应用了多种验证技术，包括基于测试矢量的验证，基于覆盖率的验证等等，通过理论分析和实验研究，不同的技术显现出各自适用的时机和方式，实验和分析结果进一步表明了各种验证技术的特点及其在工程应用中的有效性。     

CMOS集成电路中闩锁效应的模拟

为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算。模拟结果与实验数据吻合,对6微米工艺和等比例缩小的3微米工艺CMOS电路中的闩锁效应进行了计算和比较。     

集成电路设计,验证,测试系统的研究

本文对“ＬＳＩ／ＶＬＳＩ设计、验证、测试系统”进行了理论总结,文中分别阐述了该系统中的设计子系统、验证子系统和测试子系统,以及它们所包含的软件概况和主要技术成果。     

吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计

利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术,应用CMOS工艺,利用Candence设计了一款1.8 V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示,混频器在1 MHz,100 kHz,10 kHz处的单边带噪声系数为6.109,6.71,10.631 dB,频率转换的增益为11.389 dB,输入的3阶交调点为4.539 dBm.     

采用0.13μm CMOS工艺开关电容ΔΣ调制器的设计和实现

 采用0.13μm CMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶ΔΣ调制器.该调制器能够将一个中心频率为455 kHz,带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号.在设计运算放大器时,充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求,特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数.所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm,工作电压为1.2 V.与其它的同类调制器相比,由于采用0.13μm CMOS工艺进行设计,因而芯片面积小,工作电压低.     

新型结终端技术

提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性。     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响

场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。     

新型PN结终端技术的研究

在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理,最后讨论了此终端结构的可行性。     

试论焦化厂清洁生产审核技术

论述了对焦化企业清洁生产审核的体会,以某焦化厂为例详细介绍了焦化厂清洁生产审核的技术和方法。     

VDMOSFET终端场板的设计考虑

对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P*区结深之间的关系,为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据。     

齿轮箱故障诊断中小波技术的应用

针对齿轮箱故障振动信号的特点,分析了采用傅里叶变换对齿轮故障诊断信号分析技术的不足,提出了采用小波变换的方法提取齿轮箱故障振动信号;通过实例分析,阐明了应用小波变换技术对齿轮箱故障诊断的有效性.     

浅谈工业现场总线技术的发展

文章介绍了工业现场总线的类型及其技术的发展。     

基于Protel DXP的电子电路仿真技巧

本文针对Protel DXP在电子线路的直流工作点分析、直流扫描分析、瞬态分析等仿真过程中常见的问题予以归纳与阐述,并给出了解决这些问题的具体办法.     

多媒体技术在化工过程仿真培训系统中的应用

介绍了多媒体技术在化工过程仿真培训系统中的具体应用，并详细地说明了利用VB语言编程实现多媒体的声音、动画效果的方法。