影响AgGa1-xInxSe2多晶合成质量的因素分析

高纯AgGa1-xInxSe2多晶料,是进行单晶生长的关键和前提．本文以合成AgGa0.8In0.2Se2为例,对影响AgGa0.8In0.2Se2多晶合成质量的因素进行研究．发现借鉴Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,采用同成分点配料方式合成AgGa0.8In0.2Se2多晶,比采用化学计量比配料合成的多晶质量更高．通过对比实验,发现采用机械和温度振荡相结合的方法能有效减少多晶料块中空洞的产生,将上下振荡温度从900℃和800℃提高到1060℃和900℃时,得到的多晶料块更致密．     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

一种球形爆炸容器的设计

以现行的压力容器国家和行业标准为依据,结合爆炸载荷瞬间作用的特殊性,运用动力系数法,考虑焊接系数的影响,设计了球形壳体爆炸容器。结果证明该容器设计较合理,工作安全可靠。     

磷锗锌多晶合成装置设计研究

研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_2多晶合成实验,并对合成的多晶材料进行XRD,EDS和密度测试。结果表明,合成产物为高纯、单相的ZnGeP_2多晶材料,设计的多晶合成装置和两温区气相输运合成工艺适合ZnGeP_2多晶的合成,为高质量ZnGeP_2多晶材料的获得奠定了基础。     

高压容器爆炸能量的计算

根据１９９９年５月日苏州合成化工厂精制釜发生爆炸的实际情况,导出了爆炸当量计算制公式,本公式可用于估计高压容器爆炸时造成破坏程度和影响范围。     

相连容器中粉尘爆炸的火焰传播

采用实验和数值模拟相结合的方法对相连容器中玉米淀粉粉尘爆炸的火焰传播行为进行了研究.实验装置为通过长管相连接的两个容器,爆炸在一个容器中引发后通过管道传播到另一个容器中.采用欧拉-拉格朗日方法模拟粉尘爆炸的两相流问题,气相湍流模型采用k-ε模型,粒子燃烧模型考虑了水分蒸发、挥发分分解、气相反应和粒子的表面反应,气相湍流燃烧模型采用涡旋破碎-阿累尼乌斯模型,数值求解采用算子分裂方法和FCT格式.仿真结果揭示了火焰在长管中的加速行为,计算结果与实验结果符合得较好,表明所采用的模型可以很好地应用于粉尘爆炸火焰传播的研究.     

非水体系中磷酸镓大单晶合成与结构

非水体系中制备了GaPO4单晶,用X射线测定晶体结构的方法对化合物进行了表征.晶胞参数α=0.490 8lnm,b=0490 8lnm,c=1.1.106nm,α=90°,β＝90°,γ=120°.结构中的镓和磷均与氧形成四面体配位,骨架中的氧为二桥氧.无Ga-P连接方式,质子化的乙二胺阳离子未在孔道中.     

密闭容器中粉尘爆炸发展的影响因素分析

通过对大量实验及文献数据的分析和探讨，总结出密闭容器中粉尘爆炸发展的诸多影响因素，主要包括粉尘浓度、初始压力、氧含量、容器形态以及湍流度等，并得出相应的结论。     

深空探测采样容器爆炸焊接工艺实验研究

针对深空探测采样容器爆炸焊接密封工艺,将圆柱形容器爆炸焊接简化为平板爆炸焊接,设计了几种密封工艺方案,进行了爆炸焊接实验,结合爆炸复合件强度拉伸试验和金相结果,确定了最佳工艺方案.研究结果表明,条型炸药作用下能得到相对应的条形焊接区域,且能很好地实现焊接-切割一次成型;确定的焊接工艺能实现严实密封.     

内爆作用下复合材料柱形爆炸容器的破坏

本文采用长径比为2.5∶1的纤维复合材料增强金属内衬代替复合材料柱形爆炸容器的筒身,研究不同装药质量下筒身的破坏特征.得到了筒身最大环向应变与装药相对质量的关系,理论计算得到的环向最大变形与实验吻合较好,可预测一定装药质量下复合材料柱形爆炸容器是否发生破坏,为复合材料柱形爆炸容器的设计及科学实验提供理论依据.     

计算机在压力容器爆破教学实验中的应用

介绍了实验背景,探讨了测试系统的组成及工作过程,阐述了压力容器爆破教学实验的步骤及结果。     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

丁二烯系统爆炸原理及防止方法

论述了丁二烯系统突然自动爆炸的原因，是因为有氧气进入了系统，形成了丁二烯过氧化合物，并用实验进行了验证，分析了丁二烯过氧化物的组成，用键能法计算了爆炸反应能量，提出了预防爆炸发生的方法。     

爆炸容器力学安全的敏感度分析方法

 为识别爆炸容器力学安全敏感因素,建立了基于拉丁超立方抽样(LHS)和Spearman偏秩相关分析方法的参数敏感度分析模型。采用该模型对某容器内爆炸过程进行了大量数值模拟和统计分析,给出了相关因素的敏感度大小及排序,分析了样本量、参数分布类型及参数取值范围对敏感度分析结果的影响,并与其他敏感度分析方法进行了比较。结果表明,对所研究的爆炸容器,体积比内能、屈服强度为影响容器力学安全的最敏感因素,切线模量为较敏感因素,而弹性模量、泊松比为不敏感因素;且体积比内能与容器应变正相关,泊松比与容器应变不相关,其他因素与容器应变负相关。本研究建立的爆炸容器力学安全敏感度分析方法可用于各类爆炸容器的力学安全敏感因素分析,为优化容器设计和促进试验安全提供了量化依据。     

Growth of AgGaS2 single crystal by descending crucible with rotation method and observation of properties

This note reports a new procedure of polycrystalline synthesis and a new technique of single crystal growth on AgGaS₂, i.e. two-zone temperature oscillation vapor transporting and descending crucible with rotation. A single phase dense AgGaS₂ polycrystalline ingot was synthesized, and a crack-free AgGaS₂ single crystal with 15 mm in diameter and 30 mm in length was grown by the techniques mentioned above. Structure integrity of the crystal was studied by the X-ray diffraction technique. Six order X-ray spectra from the 011 face of the crystal were obtained, and an anomalous phenomenon was observed for the first time that intensity of the higher order diffraction peak is much stronger than that of the lower order diffraction peak. Etch-pits of the crystal were observed by the scanning electron microscopy (SEM).     

煤尘爆炸防治措施

通过分析煤尘产生的原因及影响煤尘爆炸的主要因素,提出了防治煤尘爆炸的具体措施。     

双层爆炸容器的振动响应特性分析

从实验测量和有限元仿真模拟两个方面,对双层结构的爆炸容器的动态响应和振动特性进行分析。通过三维数字图像相关方法(以下简称"DIC"方法),结合应变片测量法,通过获取的双层爆炸容器在不同装药强度工作状态下的三维变形场信息,对容器不同部位的位移-时间曲线进行快速傅里叶变换后。通过分析容器的主要响应频率,确定了爆炸容器的振动频谱分布情况。使用有限元软件(ANSYS)模态分析模块建立容器的有限元模型,获取容器的各阶振动模态的固有频率,确定爆炸容器工作状态下的主要振型和模态分布。实验证明了DIC方法在研究爆炸容器振动领域的可行性和可靠性;并为探索爆炸压力容器的振动特性与爆炸容器安全水平提供了新思路和重要依据。     

水平定向凝固法合成砷化镓多晶

采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.     

我国亚麻粉尘爆炸危险点及预防

介绍了亚麻粉尘产生的原因,分析了造成亚麻粉尘爆炸的危险点,提出了预防亚麻粉尘爆炸事故的对策。