电子关联对聚乙炔中双激子湮灭过程的影响

在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联，对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟．电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程，关联强度U=0eV时，激子的湮灭时间约在t=84fs，计入四个近邻格点上的弱电子关联作用，湮灭时间明显减慢，约为t〉100fs．随着弱关联强度的增加，湮灭时间逐渐延长．计算结果表明，在计算有...     

聚乙炔中双激子和两个单激子的稳态性质

在Su-Schrieffer-Heeger (SSH)模型基础上,计入长程电子关联的影响,研究聚乙炔分子链中双激子态与2个单激子态的稳态性质,比较不同关联强度下激子的晶格位形、能级、电荷密度波、自旋密度波以及吸收谱线.结果表明:零电子关联下分子链中的2个单激子不能稳定存在；激子半径均随着关联强度的增加而减小；与双激子的...     

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。     

库仑作用对顺式聚乙炔中极化子和双极化子稳定性的影响

采用包括库仑长程相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了一维强关联体系—顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）中极化子和双极化子的稳定性．发现库仑相互作用较弱时，双极化子稳定；库仑相互作用较强时，极化子稳定．     

二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

PNB聚合物的激子及其对静电场的响应

在Baranowski-Butterner-Voit模型的框架内，得到了PNB聚合物有限长开链的自隐激子态。研究了静电场对激子的影响，发现电场对激子的电荷密度、能级、据角序参量、键序位形都有较明显的影响；并使激子吸收峰从红外波段进入可见光波段。当电场超过0．74MV/cm时，激子解离成一对正反纽结孤子，此时，激子吸收峰分裂成1．1和1．4eV左右的两个峰，分别对应于电子型弧子和空穴型弧子。由此对实验上已观察到1．0和1．3eV两个短寿命低能吸收峰的成因作出了解释。     

声子之间相互作用对量子点中激子性质的影响

本文采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物型量子点中强耦合激子的性质．当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子点中激子的基态能量的影响．以氯化铊半导体为例进行了数值计算,结果表明：激子的基态能量随量子点半径的增大而减小,随量子点受限强度的增大而增大．     

声子之间相互作用对量子点中弱耦合激子基态能量的影响

采用线性组合算符方法研究了半导体量子点中弱耦合激子的性质.讨论了声子之间相互作用对激子基态能量的影响.数值结果表明:声子之间相互作用对激子基态能量的影响不能忽略.     

一维激子-光学声子系统

本文讨论一维晶体中激子通过形变势和光学声子的相互作用,分别导出强,弱耦合激子基态的有效哈密顿量和重正化有效质量。在强耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的降幂级数,其首项为α的一次方。在弱耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的一次函数。     

GeO_2单晶体的双光子吸收四极矩辐射发光

本文研究了在4.2K?125K温度范围内,GeO_2单晶体的双光子吸收激发1S激子后产生的四极矩辐射(TPAQL),标出了各辐射线所伴随的辐射声?类型。观测了辐射强度Sr和泵浦光强I_L的关系,并用1S激子态和2P激子态的部份重要解释了S_1∞I_L的结果。发现了激发1S激子的能量随温度??而红移现象以?一个非常强和宽的辐射带,后者归为1S激子解体后为子??到微量杂质的较高能级再回到起始态所引起的辐射。     

弱电场下电子极化子与空穴极化子的散射

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型,利用非绝热的动力学方法,研究了弱电场下基态非简并聚合物中电子极化子和空穴极化子的散射．研究发现,体系最终形成一个中性激子态,由于电场力与电声耦合之间的竞争,形成的激子呈现了一个正反极化振荡的现象,体系最终达到一个动态的平衡．     

Hubbard-Anderson无序模型的近似解

用 Mean-field hopping 的近似方法研究了同格点电子相关对 Anderson无序系统的影响。在半满带下得到了金属-绝缘转变相图。结果表明,同格点的吸引作用(U<0)有利于 Anderson 局域态的形成;排斥的相互作用(U>0)在低温下破坏Anderson 局域态的形成。还发现,很小的无序就需要较大的相关能来实现 Hubbard绝缘相。     

半导体量子点非本征吸收区的三阶极化率

通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小,这是量子尺寸效应的反映;量子点中由基态到激子基态的跃迁振子强度,随量子点半径的增大而单调增大;在弱受限量子点情况下,三阶极化率的实部和虚部都是负的,对应于非线性光学自散焦效应,其绝对值随入射光频率的增加而增加,且随量子点半径的增大而增大.     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

Experimental observation of electron-hole recollisions

An intense laser field can remove an electron from an atom or molecule and pull the electron into a large-amplitude oscillation in which it repeatedly collides with the charged core it left behind. Such recollisions result in the emission of very energetic photons by means of high-order-harmonic generation, which has been observed in atomic and molecular gases as well as in a bulk crystal. An exciton is an atom-like excitation of a solid in which an electron that is excited from the valence band is bound by the Coulomb interaction to the hole it left behind. It has been predicted that recollisions between electrons and holes in excitons will result in a new phenomenon: high-order-sideband generation. In this process, excitons are created by a weak near-infrared laser of frequency f(NIR). An intense laser field at a much lower frequency, f(THz), then removes the electron from the exciton and causes it to recollide with the resulting hole. New emission is predicted to occur as sidebands of frequency f(NIR)?+?2nf(THz), where n is an integer that can be much greater than one. Here we report the observation of high-order-sideband generation in semiconductor quantum wells. Sidebands are observed up to eighteenth order (+18f(THz), or n = 9). The intensity of the high-order sidebands decays only weakly with increasing sideband order, confirming the non-perturbative nature of the effect. Sidebands are strongest for linearly polarized terahertz radiation and vanish when the terahertz radiation is circularly polarized. Beyond their fundamental scientific significance, our results suggest a new mechanism for the ultrafast modulation of light, which has potential applications in terabit-rate optical communications.     

三元混晶中的Wannier激子的有效哈密顿量和束缚能

本文研究了三元混晶A_xB_(1-x)C中的Wannier激子与LO-声子的作用,导出了有效哈密顿量,在x=0,x=1的极限下它能完全蜕化成相应的二元晶体的有效哈密顿量,在大半径的情况下,对弱束缚的Wannier激子的基态能,束缚能,激子半径等参量以Al_xGa_(1-x)As为例进行了计算.     

链间耦合对聚合物分子中激子形成的影响

从紧束缚模型出发,研究了聚合物分子中链间耦合对激子形成的影响.结果表明:光激发后耦合分子体系中形成的激子态有两种可能的分布:一种是激子在强耦合下仍主要局域在一条链中（称为链间定域激子）;另一种是激子在链间平均扩展（称为链间扩展激子）.通过计算链间耦合强度对这2种激子态的产生能和束缚能的影响,发现耦合体系中激发的电子－空穴更容易复合形成链间定域激子.另外,通过分析链间耦合强度对激子束缚能的影响,表明聚合物分子之间的耦合不利于激子形成,因此固态薄膜的光致发光效率要低于其溶液状态.     

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性

从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。     

厚度为d的薄膜中激子及其边界极化对其能级的影响

研究了在厚度为d的薄膜中的激子能级和由于边界极化效应对激子能级的影响；这种影响归结为电子和空穴的镜像电荷对电子与空穴的相互作用．结果发现，这种相互作用对激子的能级有所降低以及对有机薄膜和无机薄膜（它们的介电常数不同）的材料，这种相互作用对激子能级的影响大不相同．