条形注入式半导体双异质结(DH)激光器阈值特性的理论分析

本文对条形注入式半导体DH激光器的阈值特性作了数值计算和理论分析。对PCW结构激光器载流子浓度剖面顶峰趋于平坦或中心下凹的现象作了解释并分析了这种现象所造成的后果。计算结果和实验结果符合较好。文中所提供的方法可适用于通常条形,BH、SBH、PCW、CDH、CSP等各种结构的激光器。     

室温连续工作的砷化镓平面条形双异质结激光器

本文阐述了砷化镓双异质结激光器的基本工作原理和设计思想,重点描述了液相外延和超声键合两个主要工艺过程,给出了该器件室温连续工作的一些初步测试结果,其典型的数据是阈值电流为250毫安;在310毫安工作电流下,输出功率为10毫瓦;微分外量子效率大约20％;并从远场图看出器件为横向基模振荡。     

InGaAsP氧化物条形DH激光器的电导数特性

本文给出了InGaAsP/InP氧化物条形双异质结激光器伏-安导 数测量结果以及激光器与线性电阻、非线性电阻相并联时的导数测量曲线。给出了相应的等效电路和计算结果,并与实验结果进行了比较和分析。讨论了多个下沉点的出现,影响下沉台阶大小、峰大小和位置的因素,结特征参量η对曲线形状的影响以及并联非线性电阻对微分量子效率的影响等。结果表明导数测量与等效电路分析计算结合起来对理解激光器的特性,测量它的一些参量是很有用的。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs—Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000—2000安培/平方厘米。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置，讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验，找到多层连续均匀生长的条件．使ＧａＡｓ－ Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器阈值电流密度达到 １０００—２０００安培／平方厘米。     

砷化镓双异质结激光器的退化和寿命问题

砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题,本文试把自1973年以来对DH激光器退化问题的研究及最近所得结果做一综合论述,内容包括三个部份: 一、DH激光器的退化现象和特征, 二、DH激光器的退化形态, 三、获得长寿DH激光器的途径。     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器

本文重点介绍了GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器的作用原理、制备工艺和基本特性。指出了这种器件在室温脉冲工作状态下,较同质结器件有明显改进。具体表现在(?)值电流密度一般可降至10000安培/厘米~2左右;微分外量子效率可提高到40％左右,好的可达48.6％。同时并运用辩证唯物主义的观点,对实验中的问题进行了分析。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。     

室温连续工作的山字台型双异质结激光器

本文介绍了室温连续工作的山字台型双异质结激光器的制作工艺及其特性,只要外延片的各层比较平整、均匀,并采用倒装键合工艺,使激光二极管在室温下连续工作是容易实现的。初次制成的一批激光二极管的条宽近40微米,但一些激光器的横模仍是基模,而且相对于电流的变化是稳定的,测量了激光器的光谱特性,主峰的半宽约为2A。     

双异质结GaAs激光器辐射场及其方向性的改善

提出一线微透镜与双异质结GaAs激光器组合的结构,以改善其辐射场的方向性。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量ＧａＡｓ—ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器阈值电流随温度的变化，表明在室温附近符 合指数规律．通过这一测量，可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应 测量方法．通过激光器光谱峰位的移动．也可以推算器件的热阻与串联电阻．     

GaAS-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量GaAs—GaA1As双异质结激光器阈值电流随温度的变化,表明在室温附近符合指数规律。通过这一测量,可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应测量方法,通过激光器光谱峰位的移动,也可以推祘器件的热阻与串联电阻。     

窗口条形半导体激光器中结温升和光输出热饱和特性分析

本文在考虑热沉影响和多热源作用的基础上,对条形半导体激光器中的热传导方程和包含结温升变量的光输出功率方程进行了求解,得到了不同器件材料、结构参数下的窗口条形激光器的结温升及非线性光输出特性。计算结果与实验结果相符。     

Ga As—Al Ga_(1-x) As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散

本文介绍了一种采用三元系源Ga—As—Zn为扩散源的GaAs—AlxGa_(1-x)As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散。其中对三元系源Ga—As—Zn源的选择做着重的讨论,并且对元素Zn源与三元系源做了比较;从中引出了扩散系数D依赖于As_4压力的关系公式和扩散截面的表面浓度的表达式。最后,对工艺结果和存在的问题进行了分析讨论。     

半导体异质结中场驱动下的散粒噪声特性

文章利用有效质量近似和Floquet理论,研究自旋轨道耦合和外场驱动作用下的半导体异质结中的散粒噪声特性。首先给出了系统中束缚态能级对外场的磁化强度的依赖,并进一步研究了低频极限下的零温散粒噪声对外加振荡场、两边的磁化强度及其夹角的依赖关系。外加振荡场使得散粒噪声谱中会出现光子辅助的双Fano共振峰现象。对于自旋向上的电子,散粒噪声随着交换劈裂能的增加而减小;但对于自旋向下的电子,散粒噪声随着交换劈裂能的增加而增大。较大交换劈裂能下,磁化夹角会使得散粒噪声谱发生劈裂现象,且随着交换劈裂能的增加,散粒噪声谱曲线中劈裂的双峰逐渐由对称转换为非对称。较弱外场会使得散粒噪声谱的双峰向相反方向移动,谷底的散粒噪声谱的高度会随着外场的减弱而增强。     

基于封装的半导体激光器热特性分析

半导体激光器封装工艺的基础上,分别用In焊料和AlN过渡热沉以C-Mount形式封装出两类半导体激光器,随后从热传导理论及其有限元法出发,在对两只激光器进行光谱等参数测试后分别计算它们的稳态热阻。有限元分析软件对两半导体激光器作了稳态或瞬态模拟,得出了它们的温度分布云图。从热导角度对两类封装优缺点进行讨论。     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.     

金属板条波导气体激光器传输模式的分析

对金属板条波导激光器的传输模式进行了理论分析,得出板条波导腔中本征模的场分布规律.该板条波导的结构尺寸:宽度α=20 mm,高度b=2 mm,即α>>b,因此在波导宽度(χ方向)上的损耗远远大于在波导高度(Y方向)上的损耗,并且在波导高度的方向上形成电场沿y方向、磁场沿χ方向振动的混合模EyHxmn,即电场偏振方向沿Y方向,磁场偏振方向沿χ方向.