正交电场作用型自旋场效应管的自旋极化控制

研究了电场调控型自旋场效应管的量子输运过程.该场效应管主要由双正交电场和Rashba自旋轨道耦合共同调制.运用散射矩阵方法并结合介观体系的相关输运理论,揭示了自旋场效应管在各参数调控下的自旋量子输运过程,其自旋输运规律可由相关理论给予解释.数值计算表明,与平行电场相比,对于自旋轨道耦合型自旋场效应管的量子输运,垂直电场的调制能够导致更加明显的自旋翻转.     

有反铁磁近邻作用的海森堡铁磁长程作用自旋链的低温性质的修正自旋波理论研究（英文）

文章将修正的自旋波理论应用于研究具有铁磁长程相互作用J₀/r^p和反铁磁近邻相互作用J的海森堡铁磁链.通过限制总磁化强度为零,利用自洽方法得到了系统的自旋波热力学.结果表明,铁磁长程相互作用和反铁磁近邻相互作用对系统的低温性质有很大的影响.比热C和比热系数C/T~(1/(p-1))均呈现受p与J诱导的低温峰值行为,而磁化率系数χT²显示了有一最小值,且受p与J诱导的低温行为.当J=0时,且在大p极限下,本文的结果与精确贝特方案的结果和量子蒙特卡罗数据吻合得很好.     

Bernstein型不等式与Steckin型不等式（Ⅱ）（英文）

Bernstein不等式在三角多项式逼近中起着非常重要的作用,比如它是证明逼近论逆定理即Steckin不等式的主要工具.文章的主要结果是在一类广义函数系中建立了加权Bernstein型不等式与关于连续函数导数的Steckin型不等式的关系.     

电场对极性半导体表面（或界面）极化子行为的影响

采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面（或界面）极化子行为进行了研究。当电场较弱时（１０４Ｖ／ｍ以下），表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小，但其影响甚小，在中等强度的电场下（１０４～１０５Ｖ／ｍ），电子－声子间的耦合逐渐减弱，电子－电场相互作用逐渐增强，体现在表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量更加明显地减小。当电场高于某一极限电场时，电子成为准自由电子。     

通过正交多匹配追踪恢复稀疏信号（英文）

<正>交多匹配追踪(OMMP)是一种用来恢复稀疏信号的超贪婪型算法.分析了OMMP基于约束性等距条件(RIP)的收敛性.如果观测矩阵Φ满足等距常数为δs1/2/K+2s1/2的[sK]-阶RIP,那么任何K-稀疏信号可以通过OMMP(s)至多K次迭代从y=Φx中精确恢复.     

自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化

研究了二维Rashba自旋轨道耦合电子系统中的电流导致的自旋极化。对于δ函数形式的短程电子杂质散射,得出了和文献一致的结果。在远处杂质散射下,自旋极化将会强烈地依赖于电子密度,这个结果完全不同于短程势散射的情况。并且随着杂质距离的变大,自旋极化增强。在这种散射势的情况下,不再能够通过测量纵向电导和磁化强度的方法来确定样品的 Rashba 自旋轨道耦合系数。     

稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用（英文）

本研究利用分子束外延的方法生长了Gd掺杂氮化物半导体。根据X线衍射和XAFS测定未有发现第二相的析出。观察到了来自In Gd Ga N的光致发光,发光峰随着In N的摩尔份数的变化而变化。这些材料在室温明显地观测到了磁滞曲线。Si共掺杂的Ga Gd N超晶格显示出了超大的磁矩,其原因可归于载流子诱发铁磁。最后,说明了这一材料在自旋发光二极管中的应用。     

电场作用下超滤膜的浓差极化比模型

针对电场作用下的超滤膜浓差极化现象，根据传递过程中的质量守恒定律并结合膜的吸附－扩散分离理论，推导出了电超滤过程中的浓差极化比理论模型，并对该模型的影响因素如溶质的电泳速度和吸附－扩散作用等进行了分析。     

均匀电场中自旋为1/2的带电粒子(英文)

本文给出了带有均匀电场的Dirac方程的严格解,并得到了Klein详謬中粒子透射率的精确公式     

Lipschitz-型空间上的积分算子（英文）

在强正则条件下,本文研究了权函数ω,并刻画了在解析的Lipschitz-型空间A_ω上积分算子T_g和I_g的有界性和范数.     

四元数值函数小波变换和正交分解（英文）

文章研究了四元数值函数小波变换的一些性质.小波变换是Hardy空间(或者共轭Hardy空间)到■等距同构算子,通过应用特殊函数的性质得到了■的正交分解.     

极化质子内部分子的自旋分布

本文讨论了极化质子内部分子自旋对质子自旋的贡献,与自旋相关的质子结构函数g(?)的一次矩及xg(?)的函数分布。假定极化质子内部分子的自旋分布与非极化质子内部分子分布是关联的,本文构造了关联函数把它们联系了起来。同时把胶子的反常贡献和部分子的轨道角动量的贡献都考虑在内,计算结果与实验数据符合很好。     

微波参数对微波烧结过程中电场分布的影响（英文）

用电磁仿真软件HFSS对加载了圆柱形样品烧结腔的电场分布进行了研究。设定不同的介电常数εr和介质损耗角正切值tgδ以便获得不同的电场分布云图。分析和讨论了相对介电常数和介电损耗角对烧结腔和样品的电场分布影响。研究结果表明,不同的相对介电常数对电场分布存在显著的影响,但介电损耗对其影响不大。     

多孔磷酸镍形貌控制研究（英文）

利用水热合成法制备了VSB-1,并研究了不同合成条件对VSB-1形貌的影响.研究表明,通过调节合成条件可以制备不同形貌的VSB-1.VSB-1的形貌可以从针状变成蘑菇状,并且VSB-1颗粒尺寸以及比表面积也发生了变化.针状VSB-1相比蘑菇状VSB-1具有更高的比表面积.同时研究表明,VSB-1具有较好的高温热稳定性,在400℃仍能保持蘑菇状形貌.     

毗邻连通和及环面作用（英文）

用简单的方法重新证明了关于带Tn环面作用的n+2维单连通闭流形的分类问题中的一些结果.该方法是在证明环面拓扑中的一个猜想时提出来的.     

具有时滞控制的多时滞中立型非线性大系统的变结构控制（英文）

本文提出了控制回路中含有时滞的多时滞中立型非线性大型控制系统的分散变结构控制器的设计问题，在某些确定的条件下，分别讨论了控制系统的一些设计方法，根据趋近率的概念和方法，设计了局部分散变结构控制器和多层分散结构控制器。     

三阶中立型微分方程的渐近性质（英文）

该文的主要目的是讨论具有偏差变元的三阶中立型微分方程的渐近性和振动性.将利用广义Riccati变换和积分平均值的技巧,给出一些新的可以应用到文献中的结果.     

具有脉冲的Sobolev型随机微分方程（英文）

研究了一类具有脉冲的Sobolev型随机微分方程,利用迭代序列证明了在方程系数满足一类推广的Lipschitz条件时,其适度解的存在唯一性.进一步的,给出了方程的解对于初值的连续依赖性.     

晶体CsFeCl_3的自旋极化MS-X_a计算

本文采用自旋极化的MS-X_a方法,在晶体CsFeCl_3的实际的D_3d低对称品场下计算了络离子(FeCl_b)~(4-)的电子结构。给出了单电子本征值和本征函数和自旋极化分裂,用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。     

高极化自旋体系纵向弛豫时间的测量

在高极化自旋体系中由于强辐射阻尼效应的影响,常规的纵向弛豫时间(T1)测量方法不再适用或需修改.本文提出了高极化自旋体系T1的分子间多量子相干测量方法.通过相干脉冲梯度场抑制演化期的辐射阻尼效应,利用分子间多量子相干信号的性质消除检测期的辐射阻尼效应,在绝对值谱模式下对谱峰峰高拟合,准确计算出T1.在此基础上,分析和比较了分子间多量子相干法与饱和恢复法对辐射阻尼效应的抑制作用.实验结果表明,分子间多量子相干方法能有效地抑制辐射阻尼效应,准确测量高极化自旋体系纵向弛豫时间.