半导体技术的研究进展

随着世界范围内对半导体产品需求的持续上扬，半导体发展已到了黄金时期。本文从半导体硅制造工艺的研究进展、化合物半导体技术的研究进展和应用等方面进行了综述。     

贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究

针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理，介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓，磷化姻，重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中，腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。用椭圆隔板式喷淋吸收塔或双塔式喷淋吸收设备，用氧化剂及碱液吸收的治理方法。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后，加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准。     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

扬帆芯未来，助力新基建，大力推进第三代半导体制造装备国产化

 第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高温、高能量、低损伤等特点和要求,决定了其制造装备相对通用半导体制造装备具有独特性。综述了第三代半导体制造装备需求及其国产化现状,提出了相关产业发展建议：以企业为主体,产学研用协同创新;着力装备共性技术,培育自主零部件配套体系;加强创新人才培养,增强产业发展后劲。     

辐射缺陷工程

半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进。     

半导体管温度传感器的研究

根据半导体三极管的热敏特性，研制了温度传感器，对其测温原理和电路设计进行了理论及应用的讨论，并将其用于高温脱毒工艺中的温度监控．     

我国半导体照明发展战略研究

在详细分析国内外半导体照明产业发展现状和趋势的基础上，提出了我国发展半导体照明的技术路线，给出了不同发展情景下，我国中长期半导体照明节能潜力的预测结果，并对我国半导体照明发展战略提出了若干政策建议。     

一维半导体纳米材料的制备及表征

本介绍了半导体纳米材料和常规的半导体材料的不同性能，对其常用的制备方法做了简要的描述和比较，同时给出了常规的表征方法。     

影响超快光电导开关关断特性的主次因素

超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定，而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验，分析了影响关断特性的主要因素和次要因素，认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用，其中，载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。     

与蒸发冷却相结合的半导体制冷装置性能分析

研究一种蒸发冷却与半导体制冷相结合的空调系统.按照测量冷热端进出水温度,推导公式计算的方法,得出了其不同工况下半导体制冷装置的制冷系数、制冷功率与电流的关系.实验结果表明,该半导体制冷片的最佳工作电流为3至4A,此时制冷系数最高可达4.2,得出了串联工况下略优于并联工况,水流量大略优于水流量小的结论.四组该半导体制冷装置与蒸发冷却设备相结合即可满足20m2空调区域的需求.     

半导体气敏陶瓷的研究方法

以SnO2为基体材料的气敏元件为例，总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法，分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响，介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

创造顾客价值——西门子半导体公司的竞争战略

西门子半导体公司是西门子集团公司属下的一家专门从事半导体元器件的设计、生产和销售的公司，进入九十年代，公司采取了积极进取的态度，全球化进展迅速，公司的销售额也节节上升，从1993年的13亿美元，增长到1998年的38亿美元，在全球半导体公司的排名也从1993年的19位上升到1998年的第十位。特别是1998年，在全球半导体行业萎缩10茗的时候，仍然取得12茗的增长率，是全球增长最快的半导体公司。     

自主可控视角下中国半导体产业链风险及对策研究

从半导体产业链和产业特征出发,梳理中国半导体产业链存在的风险点,并从实现半导体产业自主可控角度提出政策建议.研究发现,中国半导体产业链关键节点面临风险为上游原料硅晶圆全球寡头垄断、晶圆加工工艺不先进、半导体设计软件对外依赖度高、半导体加工设备仪器自给率低;风险形成的原因为起步晚并遭到发达国家技术封锁、研发投入还有待加强...     

半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为

研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为，证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。     

长三角区域半导体照明产业集群协同创新路径研究

半导体照明技术是21世纪最具发展前景的新兴高技术领域之一。作为新型高效固态光源,半导体照明光源具有节能、安全、绿色环保、长寿命、色彩丰富、微型化等显著优点,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次标志性的飞跃,是世界照明工业的一次全新的革命。在充分调研的基础上,着重论述了长三角区域半导体照明产业集群协同创新的现状与问题,分析问题的内因,在此基础上提出长三角区域半导体照明产业集群协同创新路径,勾画出长三角区域半导体照明产业集群演化关键技术创新路线图,并提出若干对策建议。     

干涉法测量SiO2层厚度

本文从干涉原理出发,介绍干涉现象在半导体工艺上的应用。     

宽温环境下半导体激光器加固研究

介绍了在宽温环境下光盘机中半导体激光器的加固技术，推导了半民地体激光器热平衡方程。热加固结构主要由半导体制冷器和ＡＤ５９０传感器组成。设计了温度传感感电路、单片机电路和驱动电路，组成了半导体激光器单片机温控系统。对加固的半导体激光器在－２０＋５５℃环境下输出功率的变化进行了分析。     

宽温环境下半导体激光器加固研究

介绍了在宽温环境下光盘机中半导体激光器的加固技术，推导了半导体激光器热平衡方程，热加固结构主要由半导体制冷器和ＡＤ５９０传感器组成。设计了温度传感电路、单片机电路和驱动电路，组成了半导体激光器单片机温控系统。对加固的半导体激光器在－２０～＋５５℃环境下输出功率的变化进行了分析。