金属硅化物—硅功率肖特基二极管

本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性，其势垒高度分别为0．61eV、0．66eV0．66eV，理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物－n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。     

功率肖特基整流二极管及其工艺制做原理的探讨

功率肖特基整流二极管（简称SBD），作为新兴的一类整流器件近年来得到了飞速地发展。它不仅具备普通整流器件的优点，更由于它的特殊原理和结构，使其具有大工作电流、低正向压降、高频低功耗、高浪涌电流、瞬态保护功能等特点。因此，它可广泛应用于各种低压高频开关装置中，如稳压器、整流器、逆变器、UPS等。在不远的将来，在许多领域中，它极有可能替代现行使用的多种低压整流器件，因此具有十分广阔地发展前景。本文就功率肖特基整流二极管产品及其工艺制做原理做一适当地介绍和分析。l功率肖特基整流二极管产品概述11SBD的分类S…     

功率肖特基势垒整流二极管科技成果及产业化发展

功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求。     

基于传输线CMOS肖特基二极管W波段混频器

采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒二极管与互补型传导传输线(CCS-TL)来实现.电路主要分为三部分:环形波导耦合器(Rat-race coupler),反向并联二极管对,低通滤波器.输入本振信号频率94 GHz,射频信号频率94.1 GHz,输出中频信号频率100 MHz.在电路直流偏置电压为0.5 V,本振信号PLO=0 dBm时,混频器的变频损耗为17 dB,P_(LO)=10 dBm,变频损耗为14.6 dB.经测试LO端口与RF端口的回波损耗分别为-13.4 dB,-16.7 dB,LO与RF的隔离度为26.2 dB.     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

基于二极管检波的宽带功率探头设计

本文简要介绍了功率探头的发展历史和二极管检波的基本原理,重点讨论了基于二极管检波的宽带功率探头的设计与实现,包括二极管选择、匹配电路及连接器设计等,最终完成了覆盖0.01-40GHz性能优良的宽带功率探头。     

新型4H-SiC肖特基二极管的仿真与分析

设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。     

MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究

在结合考虑6H SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理, 建立了传感器模型,具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真,结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素,并确定了在300 ℃时传感器最佳绝缘层厚度为2~2.35 nm,从而有效地提高了传感器灵敏度。     

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势.近年来随着器件的逐步商用,器件的可靠性问题成为新的研究热点.综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展,通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究,分析了器件性能退化机制.通过重复雪崩可靠性问题的研究,...     

基于虚拟仪器技术的微波晶体检波二极管的定标

利用虚拟仪器开发软件LabVIEW编写的微波晶体检波二极管定标的程序不仅能实现微波晶体检波二极管的单段定标,而且还能实现分段定标,这极大地提高了利用微波晶体检波二极管进行微波参数测量的测量精度。     

Ku波段40W固态功放设计

本文采用MMIC功率单片,提出一种Ku波段40W功率模块设计方案。使用电磁仿真软件ADS对模型进行辅助设计,对功率分配部分做了理论分析和试验结果的研究,并总结了相关经验,为微波放大模块设计提供了一定的技术借鉴。     

Ku波段10W功率模块设计

采用MMIC功率单片,提出一种Ku波段10W功率模块设计方案。使用电磁仿真软件ADS对模型进行辅助设计,对功率分配部分做了理论分析和试验结果的研究,并总结了相关经验,为微波放大模块设计提供了一定的技术借鉴。     

一种Ku波段宽带微带天线的设计

文章给出一种新型结构的Ku波段宽频带微带天线的设计方法。在接地板上开H型缝隙进行耦合馈电,并在辐射贴片表面开矩形缝隙以扩展带宽,在天线的底面加反射板以提高增益、改善天线方向图的前后比性能。用高频仿真软件HFSS进行仿真优化,结果表明该结构天线具有良好的宽频谐振特性,其回波损耗小于-10dB,阻抗相对带宽高达39.8%,交叉极化电平小于-28dB,前后比优于19dB。     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

一种红外发光二极管的驱动电源设计

阐述了一种基于单片机ATmega64的红外驱动电源的设计,系统包括恒流源电路、DA转换、PWM和软件设计等,采用MAX4544和74123实现了对电路的保护和PWM的准确输出。     

仿真软件在脉冲激光器驱动电源设计中的应用

分析了半导体激光器对驱动电源的要求,介绍了仿真软件Multisim的主要功能及特点,利用Multisim设计了性能稳定的脉冲激光器驱动电源,给出了脉冲频率、占空比等参数的理论及实验值.     

无线传感器网络节点中AES协处理器的设计

针对无线传感器网络的特点,采用加解密复用,子模块复用技术,低成本MixColumn模块的设计,以及操作数隔离,编码优化,动态功耗管理等方法,基于Xilinx公司的Virtex4系列FPGA,完成了用于无线传感器网络节点中的AES-128加解密算法协处理器的优化设计以及FPGA实现。该设计处理速度、面积功耗等都满足常用无线传感器网络节点的要求。     

微波辐射计中检波器的应用设计

近些年来随着航天事业的飞速发展,微波辐射计得到了广泛的应用.检波器是影响微波辐射计线性特性的核心器件.分析了影响检波器平方律区间的参数,设计了应用于微波辐射计的C波段平方律检波器并对其进行性能优化,尽可能提高检波器的平方律区间.并从微波辐射计接收目标辐射的噪声信号的特性出发,分析了在设计平方律区间时由于输入噪声信号瞬时功率分布较宽所带来的问题.     

冷轧堆设备中的传感器及电路设计

冷轧堆设备中有几个重要的参量要进行测控。本文讨论检测这些参量的传感器的选用原则及其控制电路。