嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的尺寸和近藤屏蔽效应

使用单杂质的Ansderson模型, 我们从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在近藤区时的基态性质, 并用slave-oson平均场方法求解了该模型. 我们的结果表明：在零温, 当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时, 系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质. 同时, 可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率, 达到探测近藤屏蔽云的目的.     

半无限晶体中强耦合表面磁极化子的回旋共振性质

本文研究半无限晶体中强耦合表面极化子在磁场中的性质，采用线性组合算符法导出强耦合表面磁极化子的有效哈密顿量和回旋共振频率，并讨论这些量和磁场的关系。     

外加磁场对具有磁性杂质的单量子点系统输运影响

本文阐述了杂质自旋与量子点净自旋间RKKY相互作用和近藤效应间的竞争对输运的影响,并进一步探讨给系统外加一磁场,在杂质和量子点的耦合为铁磁和反铁磁两种情况下,磁场对系统输运的影响以及磁场诱导的近藤和反铁磁间的相变。     

磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子－ＬＯ声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶ＲＳＰＴ微扰方法求得极子基态的和第一激发态的能量修正。     

磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子-LO声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶RSPT微扰方法求得极化子基态和第一激发态的能量修正.     

倾斜磁场中各向异性抛物量子盘的光吸收特性

从理论上研究了倾斜磁场中具有各向异性抛物量子盘的光吸收特性。利用有效质量近似,通过求解量子盘的哈密顿量,得到了量子盘的能级,通过使用密度矩阵理论和迭代法,给出了系统的总光吸收系数。结果表明系统沿x方向上受限势频率ω_x、参数η以及磁场倾角θ的变化均会对量子盘的光吸收系数产生明显影响。此外,在一定范围内当受限势频率ω_x、磁场倾角θ增大时,总光吸收系数的共振峰位置会向入射光子能量高的区域移动。     

在分子自旋量子系统中的可控多体纠缠态

在由N＋1个相互作用的反铁磁分子环构成的量子自旋系统中,可以调控1种多体纠缠态。N个周边分子环的电子自旋和1个中心分子环的电子存在相互交换,从而在分子间形成可调的相互作用。通过整个系统的有效自旋哈密顿量解析得出系统的量子动力学行为。研究发现在量子涨落的条件下,1种高精度的形纠缠态可以被制备出来。通过控制分子间的相互作用,这种多体纠缠态也可以从一些分子环传输到其他分子环上。     

半无限晶体中强耦合表面磁极化子的回旋共振性质

本文研究半无限晶体中强耦合表面极化子在磁场中的性质,采用线性组合算符法导出强耦合表面磁极化子的有效哈密顿量和回旋共振频率,并讨论这些量和磁场的关系。     

均匀磁场中三维各向同性谐振子低能级简并度的解除

在考虑均匀磁场中三维各向同性谐振子哈密顿量中B^2项影响的情况下，计算了均匀磁场中三维谐振子低能级的微扰矩阵元和一级能量修正值，并讨论了其能级简并度的解除。     

黑洞磁化薄吸积盘的热稳定性

首先回顾了吸积盘理论产生的背景和研究概况.自从1991年Balbus和Hawley揭示了磁转动不稳定性(MRI)在较差转动流体系统中的重要性之后,磁场逐渐成为吸积盘理论研究所不可回避的成分.因此在标准薄盘模型的框架下,引入了环向磁场.假设在热扰动发生的时标内局部环向磁通量守恒,具体分析了当环向磁场参与到吸积盘垂向流体静力学平衡以及粘滞产热等过程之后,对盘的热稳定性所产生的影响.结果显示:当磁压在总压强中所占比例高于24%时,对任意的吸积率吸积盘都将呈现出热稳定性.这一结果有别于传统薄盘在辐射压主导情况下是热不稳定的结论,可以用于解释部分高光度X射线双星系统中缺少相应光变的观测事实,以及有助于理解近年来磁化吸积盘数值模拟中的一些结果.     

嵌入并联量子点的介观A-B环内的"巨"持续电流

使用双杂质的Anderson模型的哈密顿,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观A B环系统处在Kondo区时的基态性质,并用slave boson平均场方法求解了哈密顿.结果表明,在这个系统中,持续电流依赖于系统的宇称效应和尺寸大小;在强耦合区,电流的峰值与零(弱)耦合区相比,有显著地增强,这说明两个量子点可以相干耦合而形成人造分子.在未来的装置设计中这个系统是很有潜力的.     

耦合于铁磁电极平行双量子点的自旋极化输运

利用双杂质的Anderson模型的哈密顿量,从理论上研究了耦合于铁磁电极的平行双量子点的自旋极化输运性质,并借助运动方程方法求解了哈密顿量.结果表明,该系统在费米能级处的Kondo共振峰与自旋极化强度和磁通量的取值有关.与此同时,在平行组态情况下,Kondo共振峰位置发生了偏移,而在反平行组态情况下,Kondo共振峰出现在相同位置处.这些现象使得这一双量子点系统的物理特性更加丰富,它们将有助于解释自旋电子学中的电子关联问题.     

两带各向异性超导体的磁通量子化——以MgB2为例

以MgB2为例，用两带各向异性Ginzburg-Landau理论分析了两能隙超导体的磁通量子化现象，总的来说，两能隙超导环内的磁通是磁通量子的整数倍，两带对应的磁通线根数相同，且一根σ带磁通线与一根π带磁通线所携带的磁通之和为一个磁通量子。     

嵌入人造分子介观A-B环内的持续电流

使用双杂质的Anderson模型的哈密顿，从理论上研究了一个嵌入串联耦合量子点的介观A-B环系统处在Kondo区时的基态性质，并用slave-boson平均场方法求解了哈密顿，结果表明，在这个系统中，宇称效应和复杂的电流。相位关系的出现反映了两个量子点可以相干耦合，因此，在未来的装置应用中，这个系统是很有潜力的。     

考虑漏磁和铁心磁场分布的磁路仿真

本文在三维有限元仿真接触器吸合过程动态仿真的基础上,进行磁路模型构建,综合考虑了铁心磁阻、铁心漏磁及铁心磁场分布不均匀等特性,通过对三维仿真中漏磁磁力线和铁心中磁密的分布进行分析,将漏磁分为铁心内部漏磁和外部线圈漏磁,并利用安培环路定理分析铁心中的磁密分布。通过对三维仿真结果和磁路模型仿真结果及实验进行了对比,验证了该模型的可行性,大大缩短了仿真时间和参数化仿真效率,为后续的的电磁系统优化设计打下了基础。     

等软磁源法计算三维涡流电磁场

本文论述了三维涡流场可分解为解耦的电场及磁场边值问题，推出了一种求解的等效磁源法。本文正确地选定了磁源的类型及分布，推导了计算公式，计算了在均匀交变磁场中导体球表面的磁感应强度，结果与解析解相符，证明了方法的有效性．     

Kondo effect in quantum dots and molecular devices

Kondo effect is a very important many-body phenomenon in condensed mailer physics, which explains why the resistance increases as the temperature is lowered （usually 〈10 K） in dilute magnetic alloy, and why the conductance increases as temperature is decreased in quantum dots. This paper simply introduces equilihrium and nonequilibrium Kondo effects in quantum dots together with the Kondo effect in quantum dots with even number of electrons （when the singlet and triplet states are degenerate）. Furthermore, Kondn effect in single aton/molecular transistorss is introduced, which indicates a new way in study Kondo effect.     

铁磁材料的磁路图解法计算

用试探法计算无分支不均匀恒定磁通磁路的反面问题的计算相当繁琐。本文推导找出一种快捷准确求磁通的方法——图解法。     

磁性杂质对量子点内电子态密度Kondo峰的影响

讨论了一个耦合于量子点的磁性杂质,当两边是铁磁性导线时量子点上电子的态密度Kondo峰的变化情况。用格林函数运动方程的方法和特定的自洽方法得到了态密度的解析表达式。杂质与量子点上电子的耦合使得原本简并的电子能级分裂。数值计算结果表明当两边的铁磁导线极化反平行时,态密度的Kondo峰几乎不随着磁性杂质方位角的变化而变化。当极化平行时,会出现3个Kondo峰,并且峰之间的间隔随着杂质的方位角的增大而增大。如果选取适当极化率的铁磁导线,由导线的铁磁性引起的Kondo峰的分裂可以被杂质的耦合作用抵?消掉。?     

主动振动控制系统中电磁弹簧的理论研究

本文提出了具有可控特性的电磁弹簧模型；利用位矢量概念，描述了由电磁和永磁体组成的一对环形磁体间的电磁力计算方法；用有限元法仿真了电磁弹簧的磁通密度、电磁力、弹簧刚度，结果表明电磁弹簧具有较好的可控特性，便于主动振动控制。