利用硅模板制备硅基纳米体系的研究进展

硅基纳米体系的研究是在充分利用硅材料所拥有的传统技术优势的基础上,将纳米材料所具备的新特性结合起来,设计出高度集成的硅基纳米器件.为实现这个目标,合适的硅基模板是至关重要因素.近年来多孔硅一直被视为一种很好的制备硅基纳米体系的衬底和自组装模板.在综述多孔硅做模板制备硅基纳米体系和我们最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了分析.     

激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率

以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β-SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中氧含量低于1%,且主要是表面的吸附氧;从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析,在此基础上推导出了粉体产率公式,与实际粉体产率基本一致.     

纳秒脉冲激光制备的纳米硅光致发光研究

在氧气、空气或氮气环境中,用脉冲激光辐照加工出的纳米硅有较强的PL发光,将这些PL光谱进行高斯去卷积处理,可以得到不同的子峰,这是因为在氧气、空气或氮气中加工出的纳米硅能带带隙中有与氧和氮有关的局域态。结合 计算结果,在纳米硅中Si=0双键和si—N键等可引入的局域态对PL发光有贡献。     

纳米ZnO粉体的制备

以ZnCl2 为原料 ,以HN4 OH为沉淀剂 ,采用液相沉淀法 ,制备出纳米级ZnO粉体 .制得的纳米粉体粒径 30nm左右 ,粒径分窄、分散性较好 .在摩尔浓度变化的情况下 ,探讨了制备纳米级ZnO粉体的条件 .     

水热法制备纳米氧化锆粉体

利用水热法制备出了粒径10 nm左右且分布均匀的氧化锆晶体,研究了反应温度和保温时间对制备氧化锆纳米晶体影响.实验结果表明溶液的pH值在8.5～9.5之间,反应温度在200 ℃左右时水合氧化锆可以完全脱水,生成氧化锆纳米晶体.     

纳米ZnO粉体的制备

以ZnCl2为原料,以HN4OH为沉淀剂,采用液相沉淀法,制备出纳米级ZnO粉体.制得的纳米粉体粒径30nm左右,粒径分窄、分散性较好.在摩尔浓度变化的情况下,探讨了制备纳米级ZnO粉体的条件.     

回流法制备纳米碳化钛粉体

量步回流无定形的H2TiO3与液态烷烃所形成的悬浮液制备得到灰黑色的先驱体粉体;经拉曼光谱及元素分析表明在回流过程中烷烃脱氢后形成大量的焦炭沉积;利用烷烃回流脱氢所形成的焦炭为碳源,对该先驱体在静止氩气保护下进行热处理,分析表明在1300 ℃的温度条件下便可得到纳米TiC粉体;产物TiC粉体表现出较好的分散性,主要由纳米颗粒组成,平均粒径30 nm,同时,明显可以看到局部的颗粒表现出空心形貌.     

水热法制备纳米复合粉体催化剂

纳米复合粉体是催化反应生产纳米材料的常见催化剂,其颗粒大小和分散程度在纳米材料的制备中起到关键作用。本文采用水热法重结晶制备SiO2负载型纳米复合粉体,研究水热反应温度对催化剂物相的影响,并用该催化剂通过化学气相沉积法成功生长出碳纳米管。     

化学沉淀法制备纳米钛酸钡粉体

以TiCl4、BaCl2和NaOH为原料,采用化学沉淀法,通过控制结晶过程条件,制备纳米钛酸钡粉体,并利用红外光谱、X射线衍射、表面物理吸附和透射电镜对样品进行分析.结果表明,温度是影响颗粒大小的主要因素,制备过程中加入表面活性剂可提高粉体的分散性;采用800℃的煅烧温度可提高粉体的结晶度.在反应温度为80℃、反应时间...     

纳米TiO2粉体的制备

以钛酸丁酯为前驱物，采用溶胶-凝胶（sol-gel）技术，制备出粒径在5nm～20nm范围的TiO2粉体，并通过红外，X-衍射，Roman光谱技术对该粉体进行表征。此外，还对纳米材料制备过程中影响微粒粒径的有关因素进行较为深入的探讨。     

纳米ZnTiO3粉体的制备

以ZnCl2、TiCl4为原料,以氨水为沉淀剂,采用特殊液相沉淀法制备锌的钛酸盐.经过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)表征,ZnTiO3粉体的粒径为2-3 nm,分散性好,粒径分布均匀,粒子呈球形或近球形属六方菱形微晶.     

纳米ZnTiO3粉体的制备

以ZnCl2、TiCl4为原料,以氨水为沉淀剂,采用特殊液相沉淀法制备锌的钛酸盐。经过透射电镜（TEM）和X射线衍射（XRD）表征,ZnTiO3粉体的粒径为2-3 nm,分散性好,粒径分布均匀,粒子呈球形或近球形属六方菱形微晶。     

环氧基功能化磁性纳米硅球的制备及其应用

利用双表面活性剂聚乙二醇6000(PEG 6000)和十二烷基苯磺酸钠对Fe3O4进行表面化学改性,然后采用溶胶-凝胶法制备得到磁性Si O2纳米硅球,再采用环氧基对磁性Si O2纳米硅球进一步修饰,得到了环氧基功能化磁性纳米硅球,最后以溶菌酶作为模型生物酶,实现对其固定化,并对固定化条件进行了优化.研究结果表明:在固定化时间为2 h、缓冲液p H=8.0、初始酶液质量浓度为1.0 g·L-1的固定化条件下,固定化溶菌酶的酶活回收率为78.6%,载体对溶菌酶的固载量为114.9 mg·g-1,固定化溶菌酶表现出相对较好的储藏稳定性.     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

纳米YAG粉体的制备与表征

以Y(NO3)3·6H2O、Al( NO3)3·9H2O、Nd(NO3)3·6H2O、NH4HCO3为原料,以乙醇为分散剂,采用共沉淀法制备Nd:YAG前躯体,将前躯体在不同温度下煅烧得到Nd:YAG粉体.分别采用红外光谱仪(FT-IR)、热重/差热分析仪(TG/DSC)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM...     

纳米二硫化钼粉体制备及其摩擦学性能

以钼酸铵和硫化铵为原料,通过化学沉淀法制备了纳米二硫化钼颗粒,利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对粉体粒子形貌、大小和相结构进行了分析.利用立式万能摩擦磨损试验机测定了纳米二硫化钼的摩擦学性能,采用扫描电子显微镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)观察分析了磨损表面形貌及表面元素组成.结果表明:制备的纳米二硫化钼是粒径为40~50 nm左右的球形颗粒,具有大量的悬空键和很高的表面活性;作为固体润滑剂能明显降低摩擦系数,提高摩擦副的耐磨性能,易于在摩擦表面形成牢固的吸附膜和化学反应膜.     

纳米ZnO粉体的制备及其表征

通过直接沉淀法制备了粒径小于100nm的ZnO纳米粉体.随前驱体焙烧温度的升高,晶粒逐渐长大,晶体发育趋于完整.经过计算,纳米ZnO的晶粒生长动力学指数为1.8,比其他一些氧化物的晶粒生长动力学指数小.     

磁性纳米TiO_2粉体的制备

使用自制的高强度机械搅拌反应器,通过两种不同的方案制备了磁性纳米TiO_2粉体。通过X射线衍射图谱对其晶体结构进行分析,透射电镜观测纳米粒子的粒径和分散性,VSM图比较它们的磁性能。结果表明:在本实验条件下,将Fe_3O_4混合于氨水溶液中,与Ticl,溶液反应后通过冷冻干燥的方法得到的磁性纳米TiO_2粉体纯度高,粉体分散性好,粒径分布范围窄,并且具有较好的超顺磁性。     

磁性纳米TiO2粉体的制备

使用自制的高强度机械搅拌反应器,通过两种不同的方案制备了磁性纳米TiO2粉体.通过X射线衍射图谱对其晶体结构进行分析,透射电镜观测纳米粒子的粒径和分散性,VSM图比较它们的磁性能.结果表明:在本实验条件下,将Fe3O4混合于氨水溶液中,与TiCl4溶液反应后通过冷冻干燥的方法得到的磁性纳米TiO2粉体纯度高,粉体分散性好,粒径分布范围窄,并且具有较好的超顺磁性.     

纳米二氧化钛胶体和粉体的制备

采用醇盐的乙醇溶液,在70 ℃下水解与结晶分步进行,制备了纳米锐钛矿相二氧化钛胶体及粉体.以XRD、BET、TEM、HREM、TG-DTA、光子相关光谱(PCS)等方法对胶体及粉体进行了表征.光子相关光谱分析表明胶体极为稳定;高分辨透射电子显微镜分析表明所得胶体中二氧化钛晶形发育完整,220 ℃处理后粒子平均粒径为9nm ,比表面积171 m 2/g.