等离子体去胶试验

目前制造集成电路,一般采用化学方法以去除光刻胶。这种方法需要热硫酸,发烟硝酸。丙酮等化学流剂浸泡,还要用棉花拭擦。这样不但酸雾及废液带来公害,而且还会影响器件的质量。为了改革集成电路研究室现用的化学方法,我们工农兵学员科研小组接受了这一任务,参考上海半导体器件研究所等离子去胶会战小组试制的去胶设备进行试验,结果初步证明是可行的。现将试验情况介绍如下。     

新型保护胶BJ和去胶剂QJ的研制

为了替代引进生产线配套使用的保护胶和去胶剂，参照国内现有的工艺条件，研制了新型保护胶ＢＪ和去胶剂ＱＪ     

市场趋势

半导体器件外形发展动向半导体外形是半导体器件中的重要组成部分,半导体器件的可靠性很大程度上取决于其外形。为了提高半导体器件的可靠性,要求外形有尽可能小的空间,良好的散热环境、密封的外壳和便于安装在印制板上的连接。近年来,半导体器件外形封装技术主要围绕这四个方面发展,大体包括以下几点:     

SCR在励磁系统中三相桥式全控整流电路上的应用

从20世纪50年代开始，电力半导体器件不断发展，从半控到全控，低电压到高电压，小功率到大功率。同时，由于电力半导体器件的调节质量高、动作快、调整方便、造价低、噪音低和维护方便等优点，它也应用于越来越多的领域。在电力系统中，电力半导体器件的应用就更加普遍。本只是对电力半导体器件SCR在电力系统励磁调节中的三相桥式全控整流电路上的应用进行分析。     

半导体器件失效分析研究

统计分析了引起半导体器件失效的一些主要原因,阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用.     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

半导体器件高功率微波毁伤阈值实验

本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值。介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析。     

扩散炉恒温模糊控制器

本文应用 FUZZY 理论,提出一种制造半导体器件用的扩散炉恒温控制器的设计方案,把扩散炉温度漂移控制在±0.6℃以内,提高了控温精度并为提高半导体器件的性能及生产过程自动化创造条件。     

温控风扇电路设计

目前,功率设备尤其是功率半导体器件在工作时一般都会产生较大的热量,即使是非功率半导体器件,伴随着其内部集成度和工作频率的一再提高,发热也越来越严重,以致于很多时候都必须采用辅助散热手段来为其散热。     

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是近需ＣＰＵ时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度的范围内将计算时间缩短４５％以上。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

半导体器件原理及特性教学探讨

模拟电子电路的核心原件是半导体器件，因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识，通常感觉生僻难懂、学习吃力，对以后器件的应用更是无法得心应手。本文主要介绍作者对这部分内容的教学心得，力主由简到繁，并把半导体器件知识串接起来，让学生便于理解与识记。     

我校又有四项研究成果通过鉴定

1982年年底,我校又有四项应用研究成果通过鉴定.两项有价值的原子能射线的应用低能核物理研究所和北京椿树整流器厂等单位完成的电子辐照在电力半导体器件制造中的应用,对多种系列的电力半导体器件多次进行了不同能量、剂量、剂量率辐照测试对     

半导体器件的工艺及测试分析

半导体器件应用于不同的领域,其加工工艺和测试分析对于保证器件的性能具有重要意义。本文在分析了半导体器件生产工艺流程上,结合其测试发展现状和测试参数,对半导体器件的生产和测试基本问题进行了讨论,同时对其工艺设计过程及方法也进行了分析。     

电子技术基础实验中集成运算放大器的代换

面对日新月异迅猛发展的半导体器件制造技术,在应用半导体集成电路越来越专业化的情况下,怎样以性能更好的新一代半导体器件代替已淘汰的半导体器件来完成电子线路基础实验.文中通过对新旧集成运算放大器LM×24系列与FC3集成运算放大器内部电路结构的分析、电路性能参数的比较,大胆提出用只有单电源应用电路的LM×24使用双电源供电,用LM×24系列集成电路代换FC3得以成功,使旧实验套件重新具有使用价值.     

PN结二极管计算机数值模拟研究

本文研究PN结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解PN结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。     

电力半导体器件体内诸物理量对正向电压衰减曲线尾部的影响

本文主要研究不同结构工艺参数的电力半导体器件,其体内扩散电流、空间电荷区复合电流、势垒电容、扩散电容、渡越电容诸物理量对正向电压衰减曲线尾部的影响及其变化规律。为进一步研究衰减曲线的变化规律和测试电力半导体器件在不同注入水平下的载流子寿命值,提供了理论依据。