Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。     

SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究

芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。     

Ti／莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜,并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）,研究了从２００￣８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果。结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ｔｉ与衬底表现的氧形成Ｔｉ－Ｏ键,界面区很窄,４５０℃退火１ｈ后,有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;６５０℃退火１ｈ后,界     

NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究．其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-V族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ-Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列     

上海部分地区大气粉尘微粒的电子能谱研究

应用光电子能谱技术和俄歇电子能谱技术对上海市杨浦区、长宁区、黄浦区、西郊地区、上钢一厂和上钢三厂等六处上空的粉尘微粒进进了研究。得出了粉尘污物的表面化学组成和化学状态。又结合惰性气体氩离子(Ar~+)的溅射刻蚀技术,获得了一些元素在粉尘微粒表面上呈现的富集现象。升温热解吸研究又指出了某些元素对应的化合物在微粒表面上的挥发性能.     

NSRL光电子能谱站控制系统的改造

为了适应同步辐射应用技术发展的需要，我们对NRSL光电子能谱站的控制系统进行了改造，并设计出由3个16bit D／A转换而成的精度较高的18bit D／A．经过对其稳定性、重复性进行测试表明18bit D／A达到设计要求．经过对Au 4f的XPS测试，改造后的总分辨率优于400meV．     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

有机同系物光电子能谱的递变规律（Ⅱ）

首次提出共轭体系光电子能谱的同系递变规律；表示式为：Ｉｐ＝ａ＋ｂ．ｋ＋１／２ｎ＋３并用非共轭体系光电子能谱的数据对该递变规律进行检验。     

多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究

采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．     

用XPS测量ZnS0.8Te0.2／GaP半导体异质结的价带偏移

应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法测得的结果相一致．     

SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基层上溅射Ta薄膜，采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品，并进行计算机谱图拟合分析，实验结果表明在制备态在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成，在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡。     

Pt_6/BaO(100)界面性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Pt6/BaO(100)界面的性质.对界面几何结构和电子结构的分析表明,铂原子与表面氧原子之间有很强的共价相互作用,这种相互作用使Pt6/BaO(100)界面非常稳定,与实验结果的分析相一致.     

SiO2/Ta interface reaction in magnetic multilayers and its influence on Ta buffer layers

Ta is often used as a buffer layer in magnetic multilayers. In this study, Ta/Ni81Fe19/Ta multilayers were deposited by magnetron sputtering on sing-crystal Si with a 300-nm-thick SiO2 film. The composition and chemical states at the interface region of SiO2/Ta were studied using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there is an "intermixing layer" at the SiO2/Ta interface due to a thermodynamically favorable reaction: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3. Therefore, the Ta buffer layer thickness used to induce NiFe (111) texture increases.     

NiFe/Cu多层膜巨磁电阻与界面结构的研究

采用磁控测射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第三峰，讨论了ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜界面结构对巨磁电阻的影响     

羰基锝标记富勒醇C_(60)(OH)_(20)的制备及其生物体外性质研究

以99TcmO4-淋洗液为起始物,在0.1 MPa CO条件下成功制备了羰基锝中间体[99Tcm(CO)3(H2O)3]+,并研究了反应体系pH值、配体C60(OH)20浓度以及反应温度和时间对99Tcm(CO)3-C60(OH)20配合物标记率的影响,测定了该配合物的脂水分配系数并观测了其在体外的稳定性和抗稀释稳定性。结果表明,该配合物的最佳标记条件为:0.1 mL[99Tcm(CO)3(H2O)3]+中间体,0.1 mL10 mg/mL的C60(OH)20溶液,pH为8,在98℃沸水浴中反应30min,标记率大于95%。99Tcm(CO)3-C60(OH)20为一种亲水性配合物,其体外稳定性和抗稀释稳定性均较好。     

InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量

本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.