EDTA络合溶胶—凝胶法制备Ca3（VO4）2：Eu发光材料

以金属硝酸盐和EDTA为原料，用EDTA络合溶胶-凝胶法制备出Ca3（VO4）2：Eu发光材料，分别用FTIR、XRD、荧光分光光度计等手段对Ca3（VO4）2：Eu荧光粉进行表征，结果表明：仅在740℃焙烧即可得到颗粒细小，组分均匀，纯物相的Ca3（VO4）2：Eu发光材料。     

EDTA络合溶胶-凝胶法制备Ca3(VO4)2:Eu发光材料

以金属硝酸盐和EDTA为原料,用EDTA络合溶胶—凝胶法制备出Ca3(VO4)2:Eu发光材料,分别用FTIR、XRD、荧光分光光度计等手段对Ca3(VO4)2:Eu荧光粉进行表征,结果表明:仅在740℃焙烧即可得到颗粒细小,组分均匀,纯物相的Ca3(VO4)2:Eu发光材料。     

YVO4:Eu3+的EDTA络合溶胶-凝胶法制备、发光及其在LED中的应用

以稀土硝酸盐和偏钒酸铵,用EDTA络合溶胶-凝胶法合成了红色荧光粉YVO4:Eu3+.热重分析结果表明,反应前驱体在650 ℃左右分解完全;X-射线衍射结果表明,前驱体在650 ℃下焙烧可得到纯相YVO4:Eu3+;扫描电镜结果显示,产物的形貌为类八面体,EDTA络合溶胶-凝胶法制备的样品粒径小于高温固相法;光致发光结果表明,利用EDTA络合溶胶-凝胶法在650～950 ℃范围内均可制备发光性能良好的荧光粉.将荧光粉封装在InGaN近紫外芯片上制作了LED器件,测定了器件的电致发光光谱、色坐标等参数.     

Ca3(VO4)2:Eu3+,Bi3+荧光材料的结构及性能研究

采用燃烧法工艺合成了Ca3(VO4)2:Eu3+荧光粉,对其结构、形貌和发光性能进行了表征,该荧光材料颗粒形貌规则、均一、发射主峰位于615.0nm,是一种良好的红色荧光粉.     

蓝白色荧光材料Sr2SiO4:Ce3+的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法,在空气环境中合成了蓝白色Sr2SiO4:Ce3+荧光材料,合成温度为900℃,这远低于田相法制备同类硅酸盐材料所需温度.X射线衍射图表明,所得样品主要为纯相Sr2SiO4晶体.由扫描电子显微镜图像可知,样品一次颗粒尺度在2 μm以下.处于254 nm紫外光激发下,样品发射光谱为峰值位于472 nm的不对称单峰宽带谱,是典型的蓝白光发射.监测472 nm发射峰,得到其激发谱为近紫外连续光谱峰值位于272 nm,321 nm.通过改变Ce3+浓度,进一步研究了参杂浓度对发光强度的影响.     

Ca3（VO4）2：Eu^3＋,Bi^3＋外荧光材料的结构及性能研究

采用燃烧法工艺合成了Ca3（VO4）2：Eu^3＋,Bi^3＋荧光粉,对其结构、形貌和发光性能进行了表征,该荧光材料颗粒形貌规则、均一、发射主峰位于615．0nm,是一种良好的红色荧光粉。     

络合溶胶-凝胶法制备纳米级Y2O3:Ln(Eu,Dy)发光体

以PEG(聚乙二醇)2000为络合剂采用溶胶，凝胶法制备纳米级Y2O3：Ln(Eu，Dy)，并用TEM、XRD、IR、FP对其进行一系列表征。结果表明所制备的Y2O3：Ln(Eu，Dy)纳米粉体粒径为50nm左右，并具有很好的发光性能。     

柠檬酸溶胶-凝胶法制备Ca3Co2O6粉体及表征

以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备出Ca3Co2O6粉体,利用TG-DTA,XRD,FT-IR,SEM等手段对Ca3Co2O6进行了表征.实验结果表明,干凝胶的煅烧温度在950℃之间,时间2 h,可制备纯相Ca3Co2O6粉体.该粉体的形貌为蠕虫状,直径0.6μm,长约3 μm.     

水热法制备NaGd(WO_4)_2:Eu~(3+)发光材料

采用水热法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,合成了NaGd(WO4)2:Eu3+发光材料.采集XRD,SEM图谱来表征样品的晶型与形貌,利用激发光谱和发射光谱研究了材料的发光特性.结果表明,所制得的NaGd(WO4)2:Eu3+是由纳米棒组成的绒球状发光材料,球体直径为100nm,纳米棒长2～5μm.样品不仅可以被紫外光(266nm)激发,还能被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发,其主发射峰值位于614nm,为红色荧光成分,且当Eu3+掺杂物质的量分数为3%时,此发射峰达到最大,该发光粉可用于制造紫外光芯片激发的白光LED.     

溶胶-凝胶法制备纳米SnO2

运用溶胶-凝胶法合成前驱物Sn（OH）4胶体，在不同温度下加热分解得到一系列纳米SnO2试样，并用X-射线衍射（XRD）图谱和透射电子显微镜（TEM）表征不同温度下热处理得到试样的结构和形貌，研究了分解温度与产物粒径大小之间的关系以及微晶生长动力学。     

溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Eu及其光学性能

以柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶法合成了铕为激活剂的ZnGa₂O₄:Eu荧光粉。讨论了煅烧温度、保温时间和激活剂的浓度对该荧光粉发光性能的影响。利用X-射线衍射、荧光分光光度计等手段对ZnGa₂O₄:Eu荧光粉的相组成和发光性能进行了检测。实验结果表明,以Zn(CH₃COO)_2^·2H₂O和Ga₂O₃ 为原料,通过溶胶-凝胶法,在950～1000℃煅烧4h可合成出ZnGa₂O₄ 荧光体。当n(Zn)：n(Ga)为1∶4时,所得成品的最强发射峰位于613nm处,为Eu³⁺特征^５D₀→^７F_２ 跃迁,其对应于红色光谱。Eu^３＋离子在ZnGa₂O₄ 晶体中占据的位置为非反演对称中心。     

Ca3(VO4)2:Eu3+,Bi3+荧光材料的结构及性能研究

采用燃烧法工艺合成了Ca3(VO4)2:Eu3 ,Bi3 荧光粉,对其结构、形貌和发光性能进行了表征,该荧光材料颗粒形貌规则、均一、发射主峰位于615.0nm,是一种良好的红色荧光粉。     

一维La2O3:Eu纳米纤维的制备及荧光性质

采用高压静电纺丝技术, 经高温焙烧制得掺杂Eu3+的一维六方晶相La2O3纳米纤维。采用扫描电镜(SEM)、X 射线衍射(XRD)、差热-热重分 析(TG DTA)及荧光光谱(PL)等测试手段对纤维的表面形貌、纯度、晶型及荧光性质进行了表征。由扫描电镜照片可以看出所制得的纤维较为均匀,纤维直径分布在370～430?nm之间,经过1?100?℃焙烧后 直径减小至245?nm左右。荧光光谱测试显示出样品具有较好的荧光性质,尤其是Eu3+的f f跃迁激发及电荷转移跃迁引起较强发光。     

低温自蔓延燃烧法制备纳米Sm2O3

将溶胶-凝胶法（sol—gel）和低温燃烧技术（LCS）相结合，成功开发了一种以溶胶-凝胶为前驱体的燃烧合成Sm2O3纳米粉体的技术．利用XRD，TEM，AFM等方法对合成产物进行了表征，并考察了制备条件对Sm2O3纳米粉体尺寸和形貌的影响．     

Ca2BO3Cl:Eu2+,Nd3+的近红外发光与能量传递

用高温固相法制备Ca2BO3Cl：Eu2+,Nd3+近红外发光材料,并运用X线衍射、近红外发光光谱、激发光谱和发射光谱等手段对材料进行表征;研究Eu2+对Nd3+近红外发光性能的影响及相对强度变化的规律,探讨该体系中Eu2+对Nd3+的能量传递机理。研究结果表明：Eu2+的掺入可提高Nd3+的近红外发光强度,当Eu2+和Nd3+的掺杂量(质量分数)分别为3％和5％时,近红外发光最强;Eu2+通过无辐射传递方式向Nd3+有效地传递能量,对Nd3+近红外光有很好的敏化作用。     

Preparation and Composition-Structure-Thermal Stability Relation of a Novel Open-framework Vanadium Phosphate (H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4]

A novel open-framework vanadium(Ⅳ) phosphate (H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4] (short for V2P3-en) has been prepared. It is synthesized hydrothermally in the presence of ethylenediamine (en) at 170℃ for 5 days by self-assembly from structurally simple precursors V2O5, H3PO4 and H2O. The compound is characterized by means of Fourier transform-infrared spectroscopy (FT-IR), Thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA), X-ray powder diffraction analysis (XRD) and Scanning electron microscopy (SEM). Furthermore, the composition-structure-thermal stability relation of V2P3-en is explored in terms of crystal chemistry, and the potential approach to the enhancement of its thermal stability is proposed.     

Sol-gel法介孔SiO2膜的制备工艺研究

以正硅酸乙酯为硅源，氨水为催化剂，研究了sol-gel法介孔SiO₂膜的制备工艺，得到了制备SiO₂溶胶的优化工艺条件。发现催化剂氨的浓度是影响SiO₂溶胶质量的关键因素，在影响SiO₂膜制备的众多因素中，溶胶pH值、溶胶浓度和成膜助剂是影响膜制备的关键因素。实验发现，在适宜的条件例如合适的pH值下，溶胶-凝胶-干燥过程具有自适应性，能够自动调节凝胶和干燥速度，从而使凝胶干燥过程中存在的收缩在很大程度上得到减少甚至避免。采用液-液排除法对优化条件下制备的SiO₂膜的孔径分布进行了表征，结果表明，在实验条件下所获得的SiO₂膜的孔径分布在8.8～14.4nm。