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相似文献
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1.
研究了方程x(t)=-f(x(t),x(t-r1),x(t-r2))(A)非常数周期解的存在性。证明了在某些条件下,方程(A)有以4r1/(1+4n)(n为非负整数)为周期的非常数振动的周期解。  相似文献   

2.
讨论方程x(n)(t)+p(t)f(x(h(t)))g(x(n-1)(t))=0的振动性,其中n为偶数.得出方程振动的充分条件.推广和改进了SKGrace,BSLalli和SUrszula的结果.  相似文献   

3.
讨论了当f(x)仅在有限区间给出定义时,微分差分方程x(t)=f(x(t-1))周期解的存在性和简单周期解的个为数。由于采用定性分析和构造法相结合的新方法,所得结果改进和拓展了前人的工作。  相似文献   

4.
用初等方法证明了:当n,x,r为正整数目r>3,s为非负整数,g=80s+6,gcd(x,g)=1丢番图方程n-1/∑/k=0(x+gk)^r=(x+gn)^r无整数解。  相似文献   

5.
证明了当n,x,r为正整数县r〉3,s为非负整数,(Ⅰ)r为奇数,d2=40s+2,22.(Ⅱ)r为偶数,d2=40s+12,d2=80s22,42gcd(x,d2)=1,丢番图方程∑(n-1,k=0)(x+d2k)^r=(x+d2n)^r无整数解。  相似文献   

6.
本文证明了,当n,x,r为正整数且r〉3,s为非负整数,d3=402+13,gcd9x,d3)=1,丢番图方程Σ^n-1k=09x=d3k)^r=(x+d3n)^r无整数解。  相似文献   

7.
讨论了当f(x)仅在有限区间给出定义时,微分差分方程(t)=f(x(t-1))周期解的存在性和简单周期解的个数.由于采用了定性分析和构造法相结合的新方法,所得结果改进和拓展了前人的工作.  相似文献   

8.
证明了当n,x,r为正整数且r>3,s为非负整数,(Ⅰ)r为奇数,d2=40s+2,22.(Ⅱ)r为偶数,d2=40s+12,d2=80s+22,42gcd(x,d2)=1,丢番图方程∑n-1k=0(x+d2k)r=(x+d2n)r无整数解  相似文献   

9.
用初等方法证明了:当n,x,r为正整数目r>3,s为非负整数,g=80s+6,gcd(x,g)=1,丢番图方程无整数解。  相似文献   

10.
本文证明了:当n,x,r为正整数且r>3,s为非负整数,ds=40s+13,gcd(x,d3)=1,丢番图方程无整数解  相似文献   

11.
本文证明了;当n,x,r为正整数且r>3,s为非负整数,gcd(x,(80s+42))=1,丢番图方程无整教解。  相似文献   

12.
本文用四氯化钛、氯化钡、氯化锶分别作为钛、钡、锶源,用草酸作沉淀剂,首先在65℃反应制得Ba_(1-X)Sr_XTiO(C_2O_4)_2·4H_2O先驱物,在5O℃烘干后,再于800℃的烧1小时,得到Ba_(1-X)Sr_XTiO_3白色粉末。经X─射线衍射分析证明,当x分别为0和1时,产品分别为四方晶系钛酸钡和立方晶系钛酸锶,其它为由四方晶系向立方晶系过渡的固溶体。晶胞参数计算可知,该固溶体为完全互溶固溶体,结果符合Vegard定律。电镜形貌分析证明粒度为0.3~0.5μm。制陶试验证实,BaTiO_3纯相掺锶后,居里点普遍前移,介电常数均有所提高,当产品组成为Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3时,居里点前移20℃,介电常数为7400,比钛酸钡纯相的介电常数提高了4倍。  相似文献   

13.
用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应。实验表明:对较高组分的,法拉第旋转角为负,用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe表现出与Cd_(1-x)Mn_xTe同量级的巨法拉第效应,当组分较低时,法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化,必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时,磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。  相似文献   

14.
秦新波 《贵州科学》1999,17(4):246-249
本文根据已知的抽象结果,证明了积分方程x(t)=∫0^1f(t,s,x(s),x′(s),…,x^(n)(s))ds的正解的存在性。  相似文献   

15.
本文研究时滞微分方程x(t)十p(t)x(t-τ)-q(t)x(t-δ)=0解的渐适性,并得出保证该方程平衡解全局吸引性的条件。  相似文献   

16.
讨论Banach空间中常微分方程Cauchy问题的近似解与解的关系,得到一个Cauchy问题的近似解与解的关系的定理:定理设f_n∈C[R_0,E](n≥1),f∈C[R_0,E],序列{f_n}在R_0上一致收敛于f;又设0<α≤a,x_n∈C ̄1[[t_0,t_0+α],B(x_0,b)],且满足Cauchy问题x'_n(t)=f_n(t,x_n(t))x_n(t_0)=z_n其中t∈[t_0,t_0,t_0+α],n=1,2,…,z_n∈E,z_n→x_0(n→∞),如果x_n(t)在[t_0,t_0+α]上一致收敛于x(t),则x∈C ̄1[[t_0,t_0+α],B(x_0,b)],且对t∈[t_0,t_0+α],有x'(t)=f(t,x_n(t))x(t_0)=x_0  相似文献   

17.
记数过程{N(t),t≥0}为条件Poisson过程,本文得到(1)S_i为第i个事件到达的时刻,则S_1,…,S_n在N(t)=n的条件下为n个在(0,t)上均匀分布的独立随机变量的顺序统计量。(2)在(0,t)上对到达事件进行独立分类,则分类后的事件到达个数所形成的记数过程仍是一条件Poisson过程。(3)n=1,2,…,具有马尔可夫性,其中为非负随机变量。(4)记S_0=0,则,n=1,2,…,是独立同分布的随机序列,而其公共分布函数为1一e ̄(-x)(x≥0)。  相似文献   

18.
讨论多项迭代方程f^N(x)=N-1/∑/n=0Anf^n(x)的单调连续解的存在性,作者给出了这种解的一种可行的构造方法。  相似文献   

19.
证明了S(α,n)的星象半径r由下式决定:其中α_0是方程关于α在区间(0,1)内的唯一解,这个结果推广了[1]中S(α,n)族的星象半径,且是著名结果[3]、[4,Th1]以及[5,Th2]的推广。  相似文献   

20.
本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xSe和Zn_(1-x)Co_xS中Co ̄(2+)离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较,获得了相应的晶场参量D_q,Racah静电参量B,C和自旋-轨道耦合参数λ。本文对Zn_(1-x)Co_xSe和Zn_(1-x)Co_xS分别指认了观测到的Co ̄(2+)离子能级间的跃迁。对较低能级部分,实验结果与理论计算符合较好。  相似文献   

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