PZT／SiO2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善。     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．     

丙烯氨氧化催化剂物化性能研究：Ⅱ.催化剂失活前后的结构表征

采用ＸＲＤ，ＩＲ，Ｍｏｂａｕｅｒ ＥＳＲ，ＸＰＳ，ＳＥＭ和孔结构分析等分析测试手段，对比研究了新鲜，失活和再生三种丙烯氨氧化催化剂的体相结构和表面性质。结果表明，新鲜催化剂中各元素以Ｆｅ２（ＭｏＯ４），α－ＣｏＭｏＯ４，ＮｉＭｏＯ４，γ－Ｂｉ２Ｏ３．ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３．３ＭｏＯ３，η－ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３和β－Ｂｉ２Ｏ３形式存在２；失活催化剂中，部分Ｆｅ２（ＭｏＯ４）３转变为α－Ｆｅ－Ｍ     

掺锑α－Fe_2O_3超微粉材料的晶粒生长、微结构与气敏特性

用化学共沉淀法制得掺有一定量锑离子的α－Ｆｅ２Ｏ３，超微粉料．ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ及ＳＥＭ等分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２时，材料仍保持α－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但其晶化温度随Ｓｂ含量的增加向高温区移动；在低温段纯α－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长活化能（Ｑ＝１０．３ｋＪ／ｍｏｌ）远小于Ｓｂ／Ｆｅ＝０．１（Ｑ＝３５．３ｋＪ／ｍｏｌ）粉料的活化能；Ｓｂ５＋取代α－Ｆｅ２Ｏ３晶粒中Ｆｅ３＋格位与在４５０℃下长期工作粉料颗粒不易长大，是造成掺锑α－Ｆｅ２Ｏ３元件电阻降低一个多数量级及气敏性能显著改善的主要原因．     

非晶GeO2—SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

采用锗－硅复合靶射反应溅射技术,制备了ＧｅＯ２含量ｘ＝０％－８１％的非晶ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜,用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ２的含量。用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ２含量的变化关系,并讨论了其结构特征。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT／SnO2（Sb）／SiO2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Ｒｓ为１００－２００Ω／ｃｍ＾２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＴＰ）。薄膜。ＴＰ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应。     

CeO2对CuO／SiO2的助催化作用

本文考察了Ｃｕ－Ｃｅ／ＳｉＯ２催化剂对ＣＯ和ＣＨ４的氧化反应活性，助剂ＣｅＯ２对催化剂ＣｕＯ／ＳｉＯ２的ＣＯ氧化有明显的促进作用，而对ＣＨ４氧化作用不明显，适量的ＣｅＯ２还能提高催化剂的热稳定性，并初步探讨了ＣｅＯ２的助催化作用。     

α—FeOOH脱水过程后期的封孔机制

采用Ｇｅｒｍａｎ和Ｍｕｎｉｒ提出的烧结动力学，对文题进行了研究。结果表明，在α－ＦｅＯＯＨ分解成α－Ｆｅ２Ｏ３的过程中随着温度升高，产生的孔洞通过颗粒内部的晶核表面扩散的烧结机制逐渐消失。对于包敷ＳｉＯ２的样品，相应的烧结活化能增加。当焙烧温度太高，会出现颗粒之间彼此烧结，并且未包敷的样品更易烧结。     

甲醇脱氢制备甲酸甲酯的催化性能研究

将浸渍法制备的Ｃｕ／ＳｉＯ２、Ｃｕ－ＺｎＯ／ＳｉＯ２、Ｃｕ－ＺｎＯ－ＺｒＯ２／ＳｉＯ２,以及Ｃｕ／γ－Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ－ＺｎＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ－ＺｎＯ－ＺｒＯ２／γ－Ａ六种催化剂应用于甲醇脱氢制甲酸甲酯反应。实验结果表明,以Ａｌ２Ｏ３为载体的催化选择性较差且易积炭失活;加有ＺｎＯ助催化剂的Ｃｕ－ＺｎＯ／ＳｉＯ２性能优于末加助催化剂的Ｃｕ／ＳｉＯ２;加有权助催化剂的Ｃｕ－Ｚｎ－ＺｒＯ２／Ｓｉ     

α－FeOOH脱水过程后期的封孔机制

采用Ｇｅｒｍａｎ和Ｍｕｎｉｒ提出的烧结动力学，对文题进行了研究。结果表明，在α－ＦｅＯＯＨ分解成ａ－Ｆｅ２Ｏ３的过程中，随着温度升高，产生的孔洞通过颗粒内部的晶核表面扩散的烧结机制逐渐消失。对于包敷ＳｉＯ２的样品，相应的烧结活化能增加。当焙烧温度太高，会出现颗粒之间彼此烧结，并且未包敷的样品更易烧结。     

含FeO熔渣还原过程起泡行为研究

在１４４０－１５３０ ℃，通过Ｘ射线装置观测了石墨还原ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＦｅＯ熔渣（ＣａＯ／ＳｉＯ２＝０．７５－１．５）中ＦｅＯ反应过程中渣的起泡行为，测定了熔渣的起泡指数和起泡率等参数。结果表明，熔渣的起泡率随熔渣中ＦｅＯ的初己考叭墼疃鹊纳叨龃蟆?     

制备PZT薄膜的Sol—Gel工艺研究

比较了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ薄膜的两种热处理过程成膜情况和对ＰＺＴ／Ｓｉ结构的影响，其中，低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相。但ＰＺＴ薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工。对含有ＳｉＯ２的Ｓｉ衬底上的情况分析表明ＳｉＯ２有改善界面特性的作用。     

Si1-x-yGexCy合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶（Ｓｉ＋Ｇｅ＋石墨Ｃ）技术制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元合金薄膜,Ｓｉ,Ｇｅ和Ｃ的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在Ｎ２气保护下恒温３０ｍｉｎ后自然降温到室温。通过ＩＲ,Ｒａｍａｎ的ＸＰＳ的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Ｓｉ,Ｇｅ,Ｃ３种元素,有较明显的Ｓｉ－Ｃ,Ｓｉ－Ｇｅ,Ｇｅ－Ｃ键合。通过电阻率－温度谱ρ－Ｔ的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同Ｃ含量和不     

纳米Y2SiO5：Ce^3＋的制备及光致发光

采用溶胶－凝胶法，以较传统方法低的温度合成了Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋纳米微晶，用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜测定它们的物相为单斜晶系的Ｙ２ＳｉＯ５，平均粒径为３０－４０ｎｍ左右．还通过激发光谱和发射光谱，研究了其光致发光特性，观察到样品的发射谱的峰值波长位于４５８ｎｍ附近，比以固相反应法制备的Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋微晶粉及单晶Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋红移４０ｎｍ左右．     

纺锤型γ－FeOOH的合成及其热分析研究

采用空气氧化ＦｅＳＯ４与Ｎａ２ＣＯ３作用生成的Ｆｅ（ＣＯ３）ｘ（ＯＨ）２（１－ｘ）悬浮液体系，通过稀土离子Ｙ３＋的掺杂合成出均匀纺锤型铁黄γ－ＦｅＯＯＨ微晶．由ＤＴＡ－ＴＧ和ＸＲＤ分析得出γ－ＦｅＯＯＨ随温度升高，发生如下相变过程：γ－ＦｅＯＯＨ→γ－Ｆｅ２Ｏ３→α－Ｆｅ２Ｏ３．本文还对γ－ＦｅＯＯＨ的脱水过程机制和以γ－ＦｅＯＯＨ为中间体经热处理制备的纺锤形γ－Ｆｅ２Ｏ３磁性能作了初步探讨．     

SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究

芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。     

1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

α—Fe2O3（Sn,SO^2—4）气敏材料中SO^2—4离子的作用

研究了不同条件下制备的α－Ｆｅ２Ｏ３（Ｓｎ，ＳＯ＾２－４）气敏材料的电特性，气敏性和晶粒尺寸特性，发现ＳＯ＾２－４作为一种离子基团掺杂对甲烷有明显的增感作用，我们认为引入离子基团是α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料改性的一种途径。