可生成TNFσ—代数的注记

本文给出:若T是连续,Archimedean非严格单调T—模,则对任意的伪补N,每一个TNFσ—代数都是可生成的。     

DI—环

Boyle·A·K在文献[4]中分别研究了QI—环(假如每个quas(?)-injective R—模都是内射模)和V—环(假如每个单纯R—模都是内射模).本文定义并研究了DI—环,即:假如每个可除R—环都是内射模.得到: (1) 可换环R是DI—环的充要条件是R为HN—环(Hereditary Noether—环) (2) DI—环R的构造为R是阿丁环与质环的直和. (3) DI—环R的一些其它性质.     

K——凸性模的估计

本文引入K——凸性模概念,证明了Lp(X)和X的K——凸性模δ_(Lp)(X),k(ε)和δ_X,k(ε)之间的估计定理。     

上有限广义补模

作为广义补(弱补) 模的真推广,引入上有限广义补(弱补) 模, 上有限半局部模的概念,并给出上有限广义补(弱补) 模的相关性质.     

K-弱补模

作为弱补模的真推广,引入K-弱补模的概念并给出K-弱补模的基本性质.证明K-弱补模的任意直和项是K-弱补模.设M=in=1Mi,Mi(i=1,2,…,n)是M的完全不变子模.若Mi(i=1,2,…,n)是K-弱补模,则M是K-弱补模.设R是环.若J(R)=0,则RR是K-弱补模当且仅当R是左PP-环.     

上有限δ-直和补模

称模M是上有限δ-直和补模,若M的任意上有限子模存在δ-补模是M的直和项.给出上有限δ-直和补模的一些性质,并证明如果M是满足(D3)条件的上有限δ-直和补模,则M的任意上有限直和项是上有限δ-直和补模;同时证明上有限δ-直和补模的任意有限直和是上有限δ-直和补模.     

к-弱补模

作为弱补模的真推广，引入к-弱补模的概念并给出弘弱补模的基本性质．证明к-弱补模的任意直和项是必K-弱模,设M=＋i^n=Mi，Mi（i=1，2，…，n）是M的完全不变子模．若Mi（i=1，2，…，n）是K-弱补模，则M是K-弱补模．设R是环．若J（R）=0，则RR是к-弱补模当且仅当R是左PP-环．     

关于f—投射模的几个注记

本文证明了如下结果:(1)右强FC环为左FGF环;左FP—内射的左FGF环为右强FC环;(2)左FGF环为半单环或lD(R)=∞;(3)若单右R—模的内射闭包为f—投射模,则f.g.右R—模为无挠模;(4)左R—模M为f—投射模的充要条件是对任意f.g.左R—模P,自然映射:P~*(?) M→hom_R(P,M)为满同态。     

τ-余弱补模

设τ∈R-tors.模M的子模N称为τ-余有限的,如果商模M/N是τ-有限生成模.模M称为τ-余弱补模,如果对M的每一个τ-余有限子模都有τ-稠密弱补.主要证明了:τ-余弱补模类是同态像封闭的模类,当R是τ-noether环时,τ-余弱补模的直和是τ-余弱补模.并给出τ-极大子模的概念,且利用它给出τ-余弱补模的刻划.     

PSD-补模

设R是环,M是右R-模.称模M为PSD-补模,如果对于M的任意子模N,存在M的子模K,使得M=N+K且N∩K在K中是PSD的.给出PSD-补模的一些性质,证明对于duo-模M=M1M2,如果M1,M2是PSD-补模,则M是PSD-补模.     

P—CS模的遗传性

每个循环子模都是其直和项的本质子模的模称为P—CS模,它是CS-模的推广．模M满足C2条件是指若M的子模N同构于M的直和项,则N是M的直和项．模M满足C3条件是指若M1,M2是M的直和项且M1∩M2=0,则M1＋M2是M的直和项．证明了满足C2或C3条件的P—CS模对其直和保持遗传性．进一步讨论了P-CS模对一般子模的遗传性问题,利用内射包,给出了P—CS模对一般子模保持遗传性的一些等价刻画．     

厄米—高斯光束的单缝衍射

本文利用费涅耳—基尔霍夫衍射积分公式,直接求出了厄米—高斯光束基模及高阶模的单缝衍射近似解析式。     

σ—合成列的构造方法

对任意一个R—模M及M的任意子模N,本文给出了由M的σ—合成列去构造N和M/N的σ—合成列及由N和M/N的σ—合成列去构造M的σ—合成列的方法。当M/N不是σ无挠时,这个方法是非平凡的。     

Goldie*-补模的推广

作为Goldie*-补模的推广,本文引入了主Goldie*-补模.称模M是主Goldie*-补模(主G*-补模),如果对M的任意循环子模X,存在M的补子模Y,使得(X+Y)/?M/X且(X+Y)/Y?M/Y.研究了主G*-补模的一些性质,并证明了若M=M_1M_2,M_1=aM,M_2=bM,a,b是End(MR)的本原幂等元,且对任意N?M,N=aN+bN.则M是主G*-补模当且仅当M1和M2是主G*-补模.     

可补半环上的内射半模与投射半模

研究可补半环上的内射半模与投射半模性质.得到:若S为可补半环,则任意左S-半模必存在内射包;左S-内射半模必是S-模;每一个左S-半模必是P-内射半模;Γ-内射当且仅当S-内射;最后证明可补半环必是rPP半环.     

TL—子群的正规TL—子群

利用一般的完备Brouwer格L及L上的无穷V—分配t—模定义TL—子群的正规TL—子群,讨论一些基本性质,并研究由TL—子集生成的TL—子群的正规TL—子群.     

广义的(富足)δ-补模

作为广义的(富足)补模的推广,引入广义的(富足)δ-补模.证明:1) M是阿丁模当且仅当M是广义的富足δ-补模且M关于广义的δ-补子模和δ-小子模满足DCC条件;2) 设M是投射模.若M关于δ-小子模满足ACC条件,则M是δ-提升模当且仅当M是广义的富足δ-补模;3) R是广义的半局部环当且仅当RR是广义的弱δ-补模.     

上有限H-补模的直和

模M称为上有限H-补模,若对于M的任意上有限子模L,存在M的直和项N,使得L+X=M当且仅当N+X=M,其中X是M的任意子模.给出上有限H-补模的一些性质,并证明对于上有限补模M=M1(+)M2,如果M1是M2-sjective(或M2是Mi-sjective),且M1和M2是上有限H-6模,则M是上有限H-补模.     

关于GQ—正则环

引进了GQ—正则环,它是几乎拟正则环的推广,以模理想及模的观点进行刻化,并得了若干性质。     

Goldie*-补模的直和

称模M为G*-补模,若对于M的任意子模L,存在M的补子模N,使得(L+N)/L相似文献