电化学沉积时间对CaMoO_4薄膜制备影响研究

采用恒电流电化学制备技术,在高纯金属钼基体上直接制备了白钨矿结构的CaMoO4薄膜.研究发现电化学沉积时间对薄膜的表面形貌、晶格参数、薄膜附着力等有重要的影响,为了沉积出结晶良好、附着力较强的CaMoO4多晶薄膜,将沉积时间控制在工作电极电位达最大值所需时间附近比较好.     

超级电容器RuO_2·nH_2O电极材料的热处理工艺

以RuCl_3·3H_2O水溶液为电沉积液,采用直流一示差脉冲组合电沉积技术制备超级电容器用钽基RuO_2·nH_2O薄膜阴极材料.借助扫描电镜、X射线衍射仪和电化学分析仪,研究RuO_2·nH_2O薄膜的微观形貌、物相结构、循环伏安和充放电性能.实验结果表明:RuCl_3H_2O先驱体经热处理后转变成RuO_2·nH_2O薄膜,呈不定形结构时能获得较大的比电容;随着热处理温度的升高,薄膜材料的附着力提高,RuO_2·nH_2O薄膜由不定形结构向晶体结构转变,随之薄膜的比电容下降;在300℃热处理的RuO_2·nH_2O薄膜电极材料,其比电容为466 F/g,薄膜与钽基体的附着力为11.3 MPa,薄膜的单位面积质量为2.5 mg/cm~2,1 000次充放电循环后比电容为循环前的93.1%.     

二氧化钌/活性炭复合电极的制备及性能

为研制低成本、高比容超级电容器的关键复合电极材料,采用涂覆热分解法,以RuCl3·2H2O为前躯体,制备二氧化钌/活性炭复合电极材料.借助扫描电镜、附着力测试、循环伏安、恒流充放电和电化学阻抗谱等检测手段,观察复合薄膜电极材料的表面形貌,分析不同涂覆量的二氧化钌/活性炭复合薄膜电极的性能.研究结果表明:二氧化钌/活性炭复合电极材料具有良好的电化学稳定性,涂覆热分解最佳涂覆数为4次,复合薄膜的比表面积为321.4 m2/g,附着力为11.4 MPa;在H2s04溶液浓度为0.5 mol/L、扫描速率20 mV/s条件下,复合电极材料的比电容为422 F/g,内阻为0.33 Ω;经300次充放电后,电容量持续为98.8%.     

电极材料对BST薄膜介电性能的影响

BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料。就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述，包括电极材料的种类，电极对薄膜微观结构、介电参数及稳定性等方面的影响，分析与电极相关的薄膜缺陷和可靠性现象，并对未来的发展作简要的描述。     

SED平板显示薄膜电极的工艺研究

表面传导电子显示（SED）的关键部分是下基板（即阴极板）的制作,而阴极板上薄膜电极的质量直接影响了阴极电子发射的性能。本文研究了采用剥离技术来制备SED平板显示器阴极板上薄膜电极的工艺,实验表明,利用剥离工艺所镀制的铬铜铬金属薄膜厚度为123.93nm,电极条的平均阻值为12.26Ω,通过显微镜放大1000倍可以看到电极裂缝宽度为10μm,阵列精细整齐,无翘边、连线情况出现,并且附着力、热稳定性和厚度性能也达到了后续工艺的要求。     

不同衬底对喷雾热解法制备CuInS_2薄膜的影响

在有钼条薄膜的玻璃衬底上用喷雾热解法制备了CuInS2薄膜.利用台阶仪、光学显微镜和X射线衍射仪等对样品的结构和形貌进行了表征.研究了钼与玻璃衬底对喷雾热解法制备出的CuInS2薄膜的影响.结果表明,无论是薄膜结晶性,均匀性,表面平整度,还是应力与附着力等方面,在钼衬底上制备的CuInS2薄膜均表现出更优异的性能,说明了在对CuInS2薄膜性能的研究中考虑底电极的影响是合理的.     

CVD金刚石涂层硬质合金工具表面预处理新技术

研究了利用(KOH K3(Fe(CN)6) H2O和H2SO4 H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体，分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程．在浸蚀过的硬质合金基体上，用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层．结果表明，两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钴，而且还显著粗化硬质合金基体表面，提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力．     

一种新的钛基MnO2电极的制备及其电容特性

基于赝电容的MnO2薄膜有可能替代RuO2而成为超级电容器的电极材料.以金属钛片为基体,在Mn(CH3COO)2溶液中,采用电沉积法制备了以钛为基体的MnO2电极(MnO2/Ti),探索了不同沉积电位、扫描速度、电解液种类以及电解液浓度对MnO2/Ti电极电化学电容的影响.结果表明,沉积电位为0.5 V的MnO2/Ti,在2 mol/L Na2SO4溶液中,扫描速度10 mV/s的条件下,比电容值是393.2 A/g.图7,表3,参14.     

MOCVD法制备TiO_2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备了TiO2 薄膜 ,测定了TiO2 薄膜的晶体结构 ,以 p -Si为基底电极 ,研究了TiO2 薄膜的光电化学性质 .经TiO2 修饰的p-Si电极 ,开路光电位增加近 2 0倍 ,并表现出很强的稳定性 ,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料 .     

多排石墨芯基体NiHCF膜电极的制备与电控离子分离性能

以多排石墨芯(MRGC)为基体材料, 采用阴极沉积法制备了具有电化学控制离子分离(ECIS)性能的电活性NiHCF膜电极.采用SEM和XPS分析考察了NiHCF薄膜的形貌与组成;在1 mol/L的NaNO3溶液中通过循环伏安法可逆地置入与释放Na+, 考察NiHCF膜电极的离子交换容量、再生性能;在1 mol/L(NaNO3+CsNO3)混合溶液中比较不同混合浓度下膜电极的伏安特性曲线, 分析了膜电极对Cs+/Na+的选择性.同时采用离子色谱测定了氧化态NiHCF膜电极在初始[Cs+]为10 mg/L模拟液中进行ECIS过程的Cs+浓度变化.实验结果表明, MRGC基体NiHCF膜电极离子交换容量大、再生能力好, 对Cs+有较强的选择性, 可用于Cs+的电控离子分离过程.     

医用不锈钢表面TiN薄膜的组织结构和力学性能研究

为改善医用不锈钢的耐磨性,采用反应磁控溅射在304不锈钢表面沉积了TiN薄膜,研究了Ti过渡层沉积时间对TiN薄膜微观结构和力学性能的影响。通过Ｘ射线衍射仪、扫描电子显微镜、纳米压痕仪、FST1000型薄膜应力测试仪、HSR-2M摩擦磨损试验机和WS-2005型涂层附着力自动划痕仪对样品进行微观组织表征和力学性能测试。结果表明,当Ti过渡层沉积时间为20 min,Ti过渡层厚度为340 nm时,TiN薄膜结晶性最强,硬度和弹性模量达到最大值,分别为21.6 GPa和327.5 GPa,平均摩擦因数达到最小值0.45,临界载荷达到最大值24.7 N,TiN薄膜的力学性能、摩擦性能以及与基体的结合力达到最优。进一步延长Ti过渡层的沉积时间,TiN薄膜的柱状晶组织粗化、力学性能、摩擦性能以及与基体的结合力均降低。     

离子束辅助沉积技术对薄膜光学特性的影响

用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。     

纳米管钛酸钠薄膜电极的制备、表征及光电化学研究

采用涂覆法制备了纳米管钛酸钠薄膜电极,并用TEM、DRS、XRD和SEM对电极材料和电极表面进行了表征,用光电化学方法研究了纳米管钛酸钠的光电化学行为,通过与TiO2(P25)薄膜电极进行比较,得出了纳米管钛酸钠显示出P型光响应的结论。     

MOCVD法制备TiO2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜,测定了ＴｉＯ２薄膜的晶体结构,以ｐ－Ｓｉ为基底电极,研究了ＴｉＯ２薄膜的光电化学性质。经ＴｉＯ２修饰的ｐ－Ｓｉ电极,开路光电位增加近２０倍,并表现出很强的稳定性,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料。     

Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构的研究及发展

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3(BST))铁电薄膜材料在集成铁电器件领域具有很大的优势和潜力,BST与铂(Pt)等贵金属电极材料的界面特性限制了BST的实际应用,氧化物超导薄膜代替贵金属材料做底部电极取得了不少突破性的进展,综述了国内外研究人员对Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构和基本介电性能等方面的研究及成果.     

茜素红化合物修饰电极制备及性能研究

采用电化学方法首次在导电基体玻碳电极上制备出了茜素红-铜活性化合物薄膜修饰电极，研究了修饰电极的电化学行为，发现该电极在硫酸溶液中进行伏安扫描时具有良好的稳定性．研究了修饰电极在酸性溶液中对过氧化氢的电催化还原作用．     

Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构的研究及发展

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3(BST))铁电薄膜材料在集成铁电器件领域具有很大的优势和潜力,BST与铂(Pt)等贵金属电极材料的界面特性限制了BST的实际应用,氧化物超导薄膜代替贵金属材料做底部电极取得了不少突破性的进展,综述了国内外研究人员对Ba1-xSrxTiO3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构和基本介电性能等方面的研究及成果。     

C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.     

嵌压式碳糊薄膜电极的制备及其电化学性质

本文首次报道了以镍-铬合金钢为基体电极,在其表面嵌压碳糊薄膜制作电极,并研究了其电化学性质.嵌压式碳糊薄膜(ECPF)电极具有良好的电化学活性,对K4[Fe(CN)6有较好的电化学响应,氧化还原峰电流随其浓度而线性变化,且减小了表面吸附现象,用作银离子传感器,获得满意结果.     

新型玻璃薄膜材料设计、制备技术进展

随着汽车、航空、电子和太阳能行业的快速发展,对平板玻璃材料功能性的要求日益增加,增加平板玻璃功能性主要采用在玻璃基体表面附加薄膜的方法。因此,在与玻璃相关的薄膜材料设计、制备技术方面,在国际范围内形成了新一轮热潮。而伴随着量子力学、固体物理等学科在理论上不断完善,以及计算机技术的飞速发展,形成了具有新功能、高性能的玻璃薄膜材料研究和开发的技术手段,即可以按照所需要的宏观性能,从原子、分子层次设计出满足要求的材料设计方法。本文结合典型功能薄膜材料宏观性能与微观结构对应关系的研究,介绍了相关玻璃薄膜材料设计的一般过程,并就新型玻璃功能薄膜材料的设计、制备技术现状对玻璃功能薄膜材料的发展趋势作出预测。