介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞效应

该文基于介观电路中电荷应是量子化的这一事实,应用正则量子化方法给出了介观耗散电容耦合电路的量子化方法和库仑阻塞条件,研究结果表明：介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞条件不仅与电路中的电容和电感有关,而且与耗散电阻有关;随着耗散电阻的增大,库仑阻塞现象更加明显．该文还讨论了介观电容耦合电路的量子涨落。     

介观电容和电感耦合电路中的库仑阻塞效应

 考虑到电荷在介观电容和电感耦合电路中不连续这一事实,借助经典拉格朗日正则变换及有限微分薛定谔方程对电路中的库仑阻塞效应进行研究.结果显示,影响电路中库仑阻塞的因素不仅有各个回路中的元件参数,还有相互耦合的元件的参数,从而进一步认识介观尺寸下的量子效应的特征和规律,为微电子器件和集成电路的优化设计提供理论指导.     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.     

关于电容器及其电容定义的讨论

从导体系统的自电容和互电容出发，讨论了电容器及其电容不同定义形式的异同，并分析了外界导体对电容器电容的影响。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

电容器及其电容概念的推广

本文给出了由任意两个导体组成的一般电容器的电容的定义,推出了这种电容器电容的一般定义式,证明了常用电容器电容的定义仅是这种一般电容器电容定义的特例。明确了常用电容器的电容定义中各物理量的严格意义。     

复杂电容器电容计算方法

针对电磁学中只能计算简单和规则的电容器电容的单一方法,结合各种复杂电容器电容计算的实际问题,经科学分类,分别建立了复杂电容器电容计算的挖补法和电容结论积分法。而电容结论积分法又根据不同问题分为平行板电容器电容结论积分法和一般导出结论积分法,一般导出结论积分法又可推广到更复杂的电容器的电容计算问题。该方法的建立,大大拓展了理论计算电容器电容的范围。     

关于圆锥形电容器电容计算的讨论

介绍求解圆锥形电容器电容的两种方法：电容器并联法和电场能量法．通过两种方法计算得到的结果一致,最后对两种算法进行比较并指出异同点．     

利用微元法求电容器电容

本文利用微元法简洁地求出几种常见电容器的电容,同时给出椭圆柱形电容器电容的计算公式,它恰好是圆柱形电容器电容计算公式的推广．     

平行板电容器的等效计算分析

电容是电容器的最重要的一个参数,通过分析平行板电容器内部充有均匀或非均匀电介质的情形,类比与电阻计算中的串并联原理,对电容的计算方法进行了讨论,并提出了三维空间非均匀介质下利用微元的方式计算电容的通用方法。     

介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应

根据介观电路中电荷是量子化的事实,从无耗散互感电路的经典运动方程出发,利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换,给出了介观无耗散互感耦合电路的量子化理论及库仑阻塞条件,并对结果进行了讨论．     

四端对固体介质电容器容量的扩展频段计量

基于四端对阻抗的测量定义,开发了四端对固体介质电容器频率响应的传递测量系统,频率为10 kHz~1 MHz.测量系统由四端对电容器组、四端对宽频比率网络、四端对阻抗测量仪等组成.原理采用1∶10量值传递法,即在同一测量频率下,测量系统分别对定值电容器和被测电容器进行测量(两电容器的标称值是1∶10),将测量结果进行比较获得被测电容器的频率响应值.测量系统能严格按照四端对阻抗的测量定义进行工作,有效减小了系统误差,更适用于扩展频段四端对固体介质电容器容量的计量.     

"串并联"法在计算平行板电容器电容中的应用

对充有非规则电介质平行板电容器的电容计算方法进行了探讨,并用概念图进行了描述.提出采用"串并联"法求解其电容,通过实例介绍了平行板电容器中多种介质交面与平行板平行、垂直、斜交等几种情况下"串并联"法的应用.此方法类似电路中电阻的串并联,简洁、实用.     

反质子在核上的弹性散射和库仑效应

基于Ｇｌａｕｂｅｒ理论，用含有自旋项的二体元振幅，考虑库仑作用，对１８０ＭｅＶ的反质子在核上的弹性散射微分截面、极化角分布和自旋旋转参数进行计算，结果与实验相符。