(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能

在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理.     

CeO2掺杂(Bi0.94Na0.89Li0.05)0.5Ba0.06TiO3压电陶瓷的微观结构与电性能

采用传统陶瓷工艺合成了CeO2掺杂(Bi0.94Na0.89Li0.05)0.5Ba0.06TiO3 (缩写为 BNBT6-0.05L)无铅压电陶瓷.研究了CeO2掺杂量(质量百分比为0~1.0%)对BNBT6-0.05L陶瓷相结构、体密度、微观结构及压电与介电性能的影响.XRD表明,CeO2扩散进入了BNBT6-0.05L陶瓷晶格内形成了纯的钙钛矿相.SEM表明,少量的CeO2掺杂,改变了陶瓷的微观结构.介电温谱表明,随着CeO2掺杂量的增加,铁电相向反铁电相转变温度(Td)降低. 室温下,CeO2掺杂量为0.2%时,BNBT6-0.05L陶瓷样品有很好的性能:体密度为5.901 g/cm3,压电常数为142 pC/N,平面机电藕合系数为31.3%, 相对介电常数为860, 介电损耗为0.02     

Mn掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

以醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si基片上制备了掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。通过X射线衍射和扫描电镜分析研究了薄膜的相结构和形貌,测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能。研究结果表明：掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜较未掺杂的Ba0．5Sr0．5TiO3薄膜介电常数高、介电损耗降低。介温谱表明在居里温度附近发生弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势。     

Ho掺杂对Ba(Zr0.1Ti0.9)O3基陶瓷介电性能的影响

目的 通过Ho掺杂提高Ba (Zr0.1Ti0.9)O3 (BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能.方法 采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律.结果 当Ho含量为0.10 mol％时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准.结论 随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小.因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升.     

Ca掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3陶瓷介电性能的研究

采用固相反应法制备Ba1-xCax(Zr0.25Ti0.75)O3(x=0-0.5)陶瓷.常温下的XRD 方法研究表明,当x=0和x=0.1 时的陶瓷是单立方晶系.随着含Ca量的增加,固相反应法不再适用,出现了CaTiO3正交相.在-40℃-35℃的温区,用介电谱方法全面研究了Ca含量对介电性能特别是居里温度和弥散性的影响.结果显示:Ca的掺杂有效地改善Ba(zr0.25zTi0.75)O3陶瓷的弛豫性能、适当降低居里温度、减低介电损耗.     

掺杂稀土元素对BaTiO3系统介电性能的影响

研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统，对居里峰有明显的改善作用；Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳—芯结构，这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介电性能，满足X7R特性。     

溶胶-凝胶法制备Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的微结构及介电性能研究

使用部分醋酸盐为原料,用改进的溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜.场发射扫描电镜(FESEM)分析发现,薄膜均匀致密,表面无空洞、无开裂,晶粒尺寸约为50 nm.用原子力显微镜(AFM)测量薄膜表面的方均根粗糙度为7.8 nm.用透射电镜(TEM)观察薄膜的断面结构,用阻抗分析仪测试了薄膜的介电性能,其介电常数和介电损耗分别为460和4%(1 kHz).     

MgO掺杂对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷结构和性能的影响

用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.     

X射线辐射对环氧树脂固化物介电性能和微观结构的影响研究

在不同时长和能量的X射线辐射下,对固化后环氧树脂电绝缘材料的介电性能和微观结构的变化情况进行研究。使用柱-柱电极、介电谱仪、高阻仪对辐射过的环氧树脂进行了击穿场强测试、介电常数测量、电阻率测量。用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对辐射过后的环氧树脂进行了微观形貌测量,材料的结晶度、结晶尺寸测量。结果表明:X射线辐射对固化后的环氧树脂的介电性能、微观结构和外貌特征均有影响,环氧树脂的介电性能与其微观结构有着密切的关系。     

掺杂效应对氧化锡纳米晶微结构、形貌及其光学性能的影响

以二价SnCl2无机盐为原料，基于配合物前躯体方法制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶．根据DSC和TG分析结果在550℃对前驱体进行煅烧．运用FTIR、UV-VIS、XRD和TEM／HRTEM等测试手段对两纳米晶材料进行了分析表征．掺杂后掺杂相氧化物分散驻留在SnO2晶粒表面，阻止了SnO2晶粒表面的扩散，从而抑制其晶粒生长．此外，铜离子掺杂使得表面缺陷附近的自由电子能有效的定域化，从而使SnO2纳米晶体系的直接和间接带隙能均向高能方向移动．试验证明以无机盐代替金属醇盐为原料是切实可行的，且配合物前躯体法简单易操作，将有利于产业化．     

施主掺杂浓度对PTC陶瓷材料导电性能和微观结构的影响

本文研究了施主Nb掺杂BaTiO_3PTC陶瓷的微观结构和导电性能。总结了材料电阻、介电、复阻抗、电流电压关系、耗散等特性及微结构随施主浓度变化的实验规律。     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

BaTiO3铁电玻璃陶瓷结构和介电性能的研究

采用溶胶－凝胶工艺制备ＢａＴｉＯ３铁电玻璃陶瓷，选择材料组成成份分别Ｂａ－Ｔｉ－Ｓｉ－Ｏ和ＢａＴｉ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ。利用ＸＲＤ分析了上述两体系的均匀凝胶在热处理后的结晶结构。借助ＳＥＭ观察了微晶形貌。最后测试了这种玻璃陶瓷在不同的温度和频率下人的介电常数和损耗，结果表明此类材料具有良好的介电性能。     

SAG法Ba_（1－x）Sr_xTiO_3的介电性质

ＸＲＤ法分析和介电测量结果表明，ＳＡＧ法Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ｘ＝０、０．３、０．５和０．７）微粉和陶瓷的室温结构为立方相．其居里温度明显低于相应Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３晶体或常规工艺陶瓷的值，但居里温度仍随着Ｓｒ２＋含量的增加而线性下降．晶粒含杂质Ｆｅ３＋以及表面富钡可能使其晶格立方化，从而使居里温度下降以及三方－正交和正交－四方铁电相变消失．     

煤矸石的活性及微观结构

本文运用化学分析、X射线衍射、差热分析及电子显微镜等测试手段,对煤矸石的活性与其内部微观结构之间的关系进行了测试分析,结果表明,内部微观结构的变化是煤矸石产生胶凝活性的主要原因。     

大豆磷脂缔合体系的相图及微观结构研究

制作了天然表面活性剂大豆磷脂ＰＥ／醇（正丙醇、正丁醇、正戊醇、正己醇）／水三元相图和含不同油量的ＰＥ／正戊醇／油（正十六烷）／水拟三元相图，通过对相图进行分析，并根据相图进行热力学计算，得到了有关磷脂的许多有价值的信息．对磷脂／丁醇／油／水相态的研究表明ｐＨ值和盐度对磷脂体系的相态有影响．本文还以２Ｈ－ＮＭＲ方法及偏光显微镜研究了磷脂／水、磷脂／醇（正丙醇、正丁醇）／水体系形成的液晶的微观结构，证明磷脂体系除了可以形成层状液晶外，还可以形成其他结构的液晶．     

P^＋掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响

为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10~(18)个/cm~3,与原始表面浓度无明显关系;用P~+取代P~+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.     

微量合金元素对Si—Mn—Mo系焊缝显微组织和韧性的影响

在Si-Mn-Mo系60kg级结构钢焊条基础上,通过添加微量合金元素,研究微量元素对焊缝显微组织和低温韧性的影响.试验结果表明,当焊条药皮中联合添加适量Ti与B,并使焊缝中含有约0.021%[Ti]和0.004%[B]时,焊缝中的先共析铁素体(PF)和侧板条铁素体(FSP)几乎全部消失,而主要以均匀细小的针状铁素体(AF)存在.此时焊缝的低温韧性得到大幅度的提高,而且焊缝焊后经620℃×1h回火处理后的韧性降低甚微.