一种性能优良的PTC自动恒温电烙铁

本文用居里温度T_c=320～350℃,PTCR效应达3.5～4.5个数量级的(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3半导体陶瓷材料作发热体,研制出性能优良的PTC自动恒温电烙铁.该烙铁的功率为8～20W,适应电压范围宽,可用各种交、直流电源供电.具有升温迅速,耗电少和工作寿命长等特点.     

铬酸钒为基的PTC陶瓷的研究

本文使用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＥＡＳ、ＸＲＤ和电阻率测量技术，研究了工艺参数和加入（Ｃｏ，Ｆｅ２Ｏ３）对ＰＴＣ（Ｖ１－ｘ，Ｃｒｘ）２Ｏ３陶瓷的显微结构和电性能的影响。实验结果表明，为了制造优良性能、高可靠的热敏电阻器，必须精确控制陶瓷组份和工艺。引人象Ｃ。这样的添加物是重要的，它主要以金属形式分布在基体中，同时发现添加物对试样致密度和电性能的影响也是有益的。     

贱金属电极与PTC陶瓷相容性的研究

用烧渗法和化学沉积法在冰箱启动用PTC陶瓷上制作了Zn/Cu、Ni—P/Cu和Cu/Ni—P双层贱金属电极,并对它们的电学性能进行了测试.结果表明,Zn/Cu和Ni—P/Cu贱金属电极能较好地满足PTC陶瓷产品的要求,而Cu/Ni—P电极可用来调节PTC陶瓷的室温电阻率.     

电烙铁的选用

讨论了电烙铁的选取、烙铁头的修整和调温及电烙铁的正确使用与维护问题．     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

工业纯原料制备高性能PTC热敏陶瓷探索

制备高性能PTC热敏陶瓷电阻,一般采用高纯度原料。本文叙述了用工业纯化工原料,在配方和工艺上进行了多方面的探索,制备出了性能良好的PTC样品。     

恒温场制备极性玻璃陶瓷工艺的研究

以析晶理论为基础，深入探讨了定向析晶的成因及影响因素，提出了利用恒温场定向析晶制备片状和异型玻璃陶瓷的工艺，并对该工艺制出材料的结构、工艺因素对材料性能的影响进行了讨论。     

BaTiO3半导体陶瓷PTC效应的机理分析

把Ｈｅｙｗａｎｇ模型和铁电软模理论结合起来，导出了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷的电阻－温度定量公式。从理论上推导出居里点移动的经验公式。理论计算与实验数据有较好的符合。     

PTC功能陶瓷材料制备及其影响因素研究

采用双施主分别以固、液相掺杂制备高性能 PTC功能陶瓷材料 ,并且试验了成型压力、组成和烧结温度等因素对 PTC陶瓷材料性能的影响。采用国产原料试制出室温电阻率≤ 1Ω· m,电阻温度系数αT 为 1 5%·℃-1,耐压值≥ 2 50 V· mm-1的 PTC陶瓷材料。     

BaTiO3陶瓷的PTC效应

对不同掺杂的BaTiO3基陶瓷的电性能、界面形态、氧元素分布特点以及电畴结构等进行研究发现:瓷体半导化速度很快,烧成温度是影响瓷体半导化速度的最重要因素;氧在晶粒晶界的偏析,并且对势垒的形成有重要作用;样品掺杂的元素不同,电畴结构会发生一定变化,畴结构和电阻起跳性存在一定关系.     

钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析

就形成钛酸钡陶瓷PTC效应的表面态进行阐述,分析了在居里点(TC)以上由表面态和介电常数在共同作用下的电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷的表面态的组成进行研究,认为在钛酸钡PTC陶瓷中表面态主要由钡空位引起;提出一种直接测量表面态密度的方法.     

KNbO3陶瓷的半导化及PTC效应

采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结果表明，两种方法制备的ＫＮｂＯ３半导瓷样品都在铌酸钾晶体的两个相变点附近出现了ＰＴＣ电阻异常：一个在正交铁电相－－四方铁电相转变处；另一个在四方铁电相－－立方顺电相转变处，而掺ＭｏＯ３制备的半导瓷具有较小这曙电阻率及较大的电阻率反常幅度（ＦＥ－Ｆ     

PTC电热膜的应用及生产工艺的研究

本文用实验对比的方法研究了一种新的电热元件ＰＴＣ是热膜的物理化学特性和它在生产、生活方面的应用，并研究了生产工艺中影响其稳定性的因素。