用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．     

高强微膨胀钢管混凝土的界面过渡区结构

应用XRD，SEM，EDXA等测试手段，从钢-膨胀水泥石界面过渡层中各种元素离子的分布状况以及具有显著特点的CH相和AFt相的形态、CH取向度等方面研究了钢-膨胀水泥石界面过渡区的结构，并对限制条件下钢-膨胀水泥石界面结构的改善进行了讨论．研究结果表明，刚性限制条件下水泥石界面过渡区结构得到了显著改善；钢-膨胀水泥石界面区中CH的空间生长情况优于钢-普通水泥石界面区中CH的空间生长情况，Si元素质量分数高于后者，Ca元素质量分数低于后者。     

多量子阱结构的MOVPE生长

利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度，在１０Ｋ温度下ＰＬ谱半峰高宽（ＦＷＨＭ）为７ｍｅＶ     

激光淬火基体对身管镀铬层界面裂纹形成的影响

身管镀铬层失效解剖分析表明：镀铬层界面裂纹的形成起源于铬层/基体界面自由边的断裂。在此基础上,采用激光离散淬火基体再镀铬的复合工艺,新工艺镀铬身管靶场实验结果表明：激光淬火基体可以提高界面自由边抗断裂的能力。通过对界面结构和铬层界面研究和激光淬火钢基体的特点分析,得出提高的结论是：提高了界面两侧材料的强度和改变了铬层界面的生长方式以及基体残余压应力缓解了界面剥落应力。     

稳态层片共晶长生模型：I.理论分析

修正了ＪＨ经典模型关于平界面生长假设，建立新的层片共晶生长模型。应用严格的界面曲率数学公式，数值计算界面过冷度普适性方程，获得正确的共晶生长界面形态。并计算了稳态相间距选择极限，表明层片共晶生长存在稳态间距选择范围，随生长速度增大，选择范围越来越尖锐。最小相间距λｍ和ＪＨ及Ｔｒｉｖｅｄｉ模型结果一致，而最大相间距λＭ则不遵循上述经典模型。     

TiN/NbN纳米多层膜的微结构与超硬度效应

采用反应溅射法制备了一系列不同调制周期的TiN/NbN纳米多层膜，并使用X射线衍射分析（XRD），透射电子显微镜（TEM）和显微硬度计表征了薄膜的调制结构，界面结构和显微硬度，结果表明：TiN/NbN多层膜具有周期性良好的调制结构，调制界面清晰、平面；薄膜呈现为多晶外延生长的面心立方结构；薄膜硬度出现异常升高的超硬度效应，并在调制周期为8.3nm左右达到硬度峰值（HK39.0GPa）。     

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

TGO均匀生长及典型界面形貌特征对热障涂层残余应力的影响

考虑到热障涂层中陶瓷层/粘结层界面间的热生长氧化物以及粘结层的表面形貌,模拟计算了热障涂层中锥形坑对热生长氧化层与陶瓷层、粘结层界面残余应力分布.计算结果表明,形貌单元尺寸及分布密度对热生长氧化物界面应力有明显的影响,热生长氧化物层与陶瓷层界面的应力大于与粘结层界面的应力,在形貌中心处存在应力集中,并且达到最大值,形貌中心是涂层失效的危险点,其残余应力随着界面形貌单元数量的增加而减小.     

Au-Sn焊点异质界面的耦合反应及其对力学性能的影响

为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明:在钎焊中Ni-Ni焊点的Au Sn/Ni界面形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(IMC)层,而Cu-Ni焊点的AuSn/Ni界面形成(Ni,Au,Cu)_3Sn_2四元IMC层,表明钎焊过程中上界面的Cu原子穿过Au Sn焊料到达Ni界面参与耦合反应。在老化退火中,界面IMC层的厚度l随退火时间t延长而逐渐增大,其生长规律符合扩散控制机制的关系式:l=k(t/t_0)~n。在160℃和200℃退火时,(Ni,Au)_3Sn_2层的生长以晶界扩散和体积扩散为主。由于Cu原子的耦合作用,(Ni,Au,Cu)_3Sn_2层的生长以反应扩散为主。Cu-Ni异质界面焊点中,Cu的耦合作用抑制了Au Sn/Ni界面(Ni,Au,Cu)_3Sn_2IMC层的生长,减缓了焊点剪切强度的下降速度,有利于提高焊点的可靠性。     

通过界面的调制电流对LiNbO3晶体分凝的影响

应用生长界面标记技术,标记不同调制电流密度通过固—液界面生长的区域,用离子探针测量各区域中溶质Y的相对浓度,得到在±7mAcm~(-2)的调制电流密度范围內,Y的相对浓度与调制电流密度成正比。并研究了二个不同周期的交变的调制电流或一个给定周期的调制电流和一个溫度波动同时引入生界面对溶质Y分凝影响,观察到二种不同周期的波动在生长界面耦合形成的复杂调制结构的生长层。     

不锈钢／ZA43复合材料界面结构的研究

对常压浸渗法制备的不锈钢纤维增强的ZA43复合材料的界面结构进行了研究，结果表明，纤维与基体之间存在明显的界面层，此界面层由界面反应层和扩散偏聚层等多层构成，界面的形成过程主要是铁-铝金属间化合物的形成过程．同时，由于铝元素向纤维表面的偏聚和对纤维的腐蚀，导致了其它合金元素在界面处成分的不平衡分布．     

MoO3背界面修饰对柔性CZTSSe太阳能电池性能的影响

针对高温硒化过程中铜锌锡硫硒（CZTSSe）太阳能电池背界面不稳定问题，提出在柔性Mo衬底上蒸镀MoO₃薄层，阻隔CZTSSe吸收层与Mo的直接接触，抑制背界面处CZTSSe吸收层与Mo发生分解反应.材料表征及性能测试表明，MoO₃修饰能促进背界面处CZTSSe吸收层的生长，提高CZTSSe吸收层的结晶质量，实现了CZTSSe吸收层由双层结构向“三明治”结构的转变.实验证明，加入10 nm的MoO₃薄层，开路电压与短路电流有大幅提升，能得到最佳的器件效率，效率从6.62%提升到7.41%.     

LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究

按同成分配比的ＬｉＮｂＯ３的原料中，掺入溶质钇，用提拉法生长晶体时，人为地引入生长层，生长层记录了不同时刻的生长界面形态，借以追溯生长过程中固－液界面的形态和演变过程。晶体沿Ｙ轴生长，ＬｉＮｂＯ３晶体形成小面的｛０１１２｝面族中的（０１１２）面与生长轴的夹角最小，它与凸的固－液界面相切时，形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离，在晶体底部观察到平坦的（０１１２）面小面生长区。通过不同的晶体截面，观察了晶体内（０１１２）面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固－液界面的曲率半径。结果表明：小面半径的平方与相应的固－液界面的曲面的曲率半径成比例，这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制，计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。     

电化学沉积金属铜的分形结构

在用电化学沉积方法研究凝聚体生长形态的实验中,金属锌是最常用的材料。为了进行二维空间中金属的凝聚生长,以便和相应的DLA模型比较,早期的实验是在金属锌盐溶液上加入另一种与之不相容的材料(如n—醋酸丁基)制成界面。把阴极端面固定在界面附近,这样,在一定条件下凝聚体便可沿界面进行生长,其结构是分形的“树枝”状。近年来,随着凝聚体电化学生长实验研究的不断深入细致,上述的结构已被专门设计的一种极薄的“三明治”结构(生长空间夹在间隔约0.1毫米的两层玻璃之间)所取代。利用这种结构人们进行了在不同条件控制下金属锌凝聚体生长规律和形态的定量研究。有关金属     

抗冻蛋白溶液中界面吸附的元胞自动机模型

在分析抗冻蛋白溶液中冰晶生长的实验结果和抗冻蛋白分子结构的基础上，提出了一个抗冻蛋白溶液中界面吸附的元胞自动机模型，并用计算机对模型进行了数值模拟，得出冰晶界面层厚度与系统中水分子吸附量以及抗冻蛋白浓度的关系，数值模拟的结果和实验结果附合较好。模型对于指导实验上定量测定冰晶界面层的吸附情况和解释实验结果的机理有一定意义。     

铜阳极(Ⅱ)价成相层钝化机理研究

采用快速小三角波法和电流换向阶跃法研究了Ｃｕ（Ⅱ）成相层的物理状况和消长过程，提出了在成相层溶液界面生长的膜只能导致电极的部分钝化，而在铜成相层界面生长的膜则引起电极的高度钝化。     

表面和界面物理学国际会议论文集

本书是2002年3月4～8日在印度举行的“表面和介面物理学国际会议”论文集。会议的内容包括：表面上的生长，多层膜、结构、电性和磁性，半导体异质结结构，量子器件，催化，由离子-固体相互作用产生的表面和界面变态，新技术。     

气泡塔熔融结晶器中传递与晶层生长

分析了气泡塔结晶器熔融结晶过程中自熔体向晶层界面的热、质传递特征，建立了描述该过程晶层生长的稳态模型。在自熔体向晶层界面对流传热膜系数的计算中，将弹单元分为弹状气泡周围液膜区、尾迹区及液塞段3段，各段的平均对流传热膜系数不同。分别在表观气速0.04和0．08m/s下，用模型对己内酰胺晶层生长进行了计算，计算结果与实验结果基本吻合。     

Au／MgO（001）界面上Au原子与点缺陷相互作用的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,系统地研究了Au／MgO（001）界面中8种晶格匹配方式的电子结构和化学键特征．界面处原子间距、界面能以及电子密度分布显示不同点缺陷与Au原子层相互作用的微观机制存在明显差异,并且界面体系稳定性和Au原子生长模式与界面原子排列方式密切相关．     

抗冻（糖）蛋白聚合吸收模型（部分二）：热滞的定量结果和生长速率

分析了抗冻溶液中冰晶界面层的特性，给出了热滞的定理结果，定量计算了冰晶生速率，解释了抗蛋白溶液中冰晶生长的各向异性特点和生长速率，这些结果与实验数据很好地符合。