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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
研究BaZrxTi1-xO3 (x=0,0.1,0.2,0.3)陶瓷中掺杂0.1%(按物质的量计算,下同)Y2O3对铁电-顺电相变温度的影响.发现0.1%Y2O3的掺杂使BaTiO3的铁电-顺电相变的居里温度向高温偏移了约20℃,不同Zr含量的样品也发生了一定程度的高温偏移.在-40℃到140℃的测量温度范围内介电频率弥散现象极弱,峰值介电常数可以达到8000,损耗峰值为0.05以下.随Zr含量的增加,损耗峰快速移向低温.与文献报道的结果比较,证实Y以A位替代Ba为主.  相似文献   

2.
作者用固相烧结方法合成了具有充满型钨青铜结构的Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷.不同频率下Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷介电常数随温度的变化的规律表明,这两种陶瓷的铁电-顺电相变具有明显的驰豫铁电相变特征,相变弥散指数分别为1.95与1.41.它们在1MHz时的居里温度分别为155℃和160℃,两者的居里温度十分相近.同时,对其介电性能的电场可调性进行了初步研究.当外加电场为2kV/cm、频率为10kHz时,Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷在铁电-顺电转变温度附近的最大介电常数可调度为2.8%和0.3%.  相似文献   

3.
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3+x(质量分数)Ga2O3无铅压电陶瓷,研究了掺杂不同Ga2O3含量对(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响.研究结果表明:x在0~2变化范围内,陶瓷为单一四方相的钙钛矿结构,具有良好的铁电性能;随着体系中Ga2O3含量的增加,陶瓷的最佳烧结温度逐渐降低;Ga2O3的掺杂导致陶瓷晶粒变小,陶瓷的铁电四方相-顺电立方相的转变温度即居里温度TC有少许上升,但陶瓷的压电性能明显劣化.  相似文献   

4.
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz).  相似文献   

5.
石锋 《科学技术与工程》2006,6(18):2829-2834
利用Ni2+离子取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+离子来改善其介电性能并研究其微观结构的变化.XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等.系统在较低温度(1 350℃)下烧结时以及在1 300℃退火处理会形成微弱的有序相,这种趋势说明了Ni2+和Nb5+离子的相互扩散会随着热能和时间的增长而增长.在较高温度下烧结(1550℃)则会形成富Nb液相区.当系统中Ni2+含量为0.7时,1 500℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tan δ为0.33×10-4(1 MHz).  相似文献   

6.
采用固相法分别制备施主掺杂陶瓷、受主掺杂陶瓷及双层钛酸锶钡陶瓷.施主掺杂选择呈现明显半导化的0.15%(摩尔比,下同)的La2O3;受主掺杂选择铁电性的0.15%的Fe2O3.XRD测试表明多种复合粉体均为钙钛矿结构;SEM结果显示:制备的双层钛酸锶钡陶瓷整体致密度较高,层间存在厚度接近30μm的过渡区域.介电温谱测试表明:掺La3+与掺Fe3+的介电峰分别在温度10℃和80℃处,双层钛酸锶钡陶瓷的介电常数在10~80℃温度区间明显平滑,介电常数和介电损耗均与电容串联模型的计算结果十分吻合.此双层复合方法提供制备高温度稳定性和功能复合陶瓷的有效实验手段.  相似文献   

7.
掺杂Fe对SrBi2Nb2O9介电性质的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了掺杂Fe可使SrBi2Nb2O9介电和铁电性能得以改善而且可降低陶瓷的烧结温度.采用传统的烧结工艺制备了陶瓷样品,XRD和SEM分析表明SBFN仍具有层状钙钛矿结构,掺杂Fe导致SrBi2Nb2O9陶瓷样品的烧结温度降低约100℃.居里温度从406℃升高到453℃,并且介电常数在居里温度下从1150升高到1409.居里温度和居里温度下介电常数提高都表明自发极化增强,该现象归因于较小Fe^3 掺杂扩大了正离子的“rattling空间”.  相似文献   

8.
采用溶胶—凝胶法合成了BCST(Ba0.62 Ca0.08 Sr0.3 TiO3)粉体,再经过二次固相掺杂稀土Pr6O11和Nd2O3获得BCST∶0.001Pr6 O11.xNd2 O3系列纳米粉体及陶瓷;采用XRD和SEM,等对粉体的相组成和陶瓷的微观形貌进行了表征,并用介电频谱仪测试了陶瓷的介电性能.结果表明:所得BCST∶0.001Pr6O11.0.002Nd2O3粉体主要为四方相纳米粉体;随着稀土Nd2O3掺杂量的增加,所获得的陶瓷的晶粒先逐渐变小随后又逐渐增大;当钕的掺杂量x=0.002时,所获得陶瓷的室温介电常数最高,而介电损失最小;各试样的介电常数随烧结温度的升高增大,在1 330℃,1 360℃和1 400℃温度下烧结所获得的S1-陶瓷,介电常数的峰值εmax分别为10 360、12 490、13 750;其居里温度显著降低(10℃),介温曲线呈单峰,介电常数随温度的变化敏感而对称,有望在温度敏感陶瓷方面发现其应用.  相似文献   

9.
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电(AFE)/铁电(FE)相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系,得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电/反铁电相变及反铁电/顺电(PE)相变温度影响的规律.研究发现:极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下,随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大,相对介电常数最大值对应的温度降低,FE/AFE转变温度上升,AFE/PE转变温度下降;当等静压力为0.1MPa时,单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃/kV,单位偏置电压引起的FE/AFE相变温度变化率为5.2℃/kV,当等静压力为60MPa时,分别为-2.2℃/kV和3℃/kV。  相似文献   

10.
研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响 ,锐钛型TiO2 的掺杂可优化温度系数 ,得到介电性能优异的BZN陶瓷 .  相似文献   

11.
The structure of V2O5-P2O5-Sb2O3-Bi2O3 glass and its state of crystallization were studied by means of infrared spectroscopy and X-ray diffraction analysis. The results indicate that, in this glass, V and P exist mainly in the form of a single-stranded linear (VO3) n and an isolated (PO4) tetrahedral with no double bond. Partial V and P are connected through O, forming an amorphous structure of layered vanadium phosphate. Trivalent Sb3+ and Bi3+ open the V=O bond and appear in interlayers, so a weak three-dimensional structure is connected successfully. Along with the substitution of Sb2O3 for partial V2O5 or that of P2O5 for partial V2O5, the network structure of the glass is reinforced, and the crystallization is reduced.  相似文献   

12.
本文讨论了Bi2O3-PbO-B2O3玻璃的性质,介绍了该玻璃的配方及工艺,针对基础玻璃的颜色进行了研究,选用不同的着色剂,使基础玻璃着成了多种颜色。  相似文献   

13.
本文研究了在正规溶液的假设下,运用由二元相图提取活度的方法,分别计算了FeO—V2O3和V2O3-SiO2渣系相图在2500K温度下的活度。经加权平均计算,计算值和实验值的相对误差分别为13.34%和6.5%.这个精度处于Turkdogan提出的10%-30%的实验误差范围以内,可以作为进一步研究复杂含钒渣系时的热力学参考数据。  相似文献   

14.
The system Al2O3-B2O3-Ce2O3, with Al/B ratio varying from 4.5 to 2 and Ce/(Al+B) = 0.02, has been prepared at the temperature from 1 200 to 1 400°C. Relationship between luminescence and matrices in the system Al2O3-B2O3-Ce2O3 was investigated. It was found that some changes of the matrices occurred with Al/B ratio varying from 4.5 to 2. These results lead to a great change in luminescence properties, indicating variation of Ce-surroundings of crystal field. With the decrease of the ratio from 3 to 2, the excitation and emission peaks shift to shorter wavelengths. It was also found that a new type of rare earth luminescent materials was obtained with appropriate Al/B ratio.  相似文献   

15.
K2O-MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-F玻璃陶瓷的烧结析晶   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用弯曲试验、X射线衍射分析和扫描电镜等手段,研究了烧结K2O-MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-F玻璃陶瓷时烧结温度对材料密度、抗弯强度及析晶性能的影响.研究结果表明:在低温区(900℃)烧结时,玻璃陶瓷析晶少,密度和抗弯强度低;随烧结温度提高,烧结体密度、抗弯强度、析晶率不断提高,在1050℃时均达到最大值(密度约为2 39g/cm3,抗弯强度约为80MPa);温度继续升高到1100℃时,密度、抗弯强度和析晶率都有所降低.  相似文献   

16.
从理论上对铝热剂燃烧合成复相陶瓷Al2O3-TiC和Al2O3-TiB2的绝热温度及产物中Al2O3的熔化率进行了研究.随着预热温度的升高或稀释剂含量的降低,反应体系的绝热温度升高,但在2303K处均出现一个平台,其原因是Al2O3的熔化率不固定,在0~1之间变化.随预热温度的升高,燃烧反应能够自我维持的临界稀释剂的添加量也增多.  相似文献   

17.
通过混合焙烧的方法制备Fe2O3MoO3Sb2O3复合氧化物.采用X射线衍射(XRD)、同步热重差示扫描量热(TGDSC)和穆斯堡尔(Mssbauer)谱研究Fe2O3MoO3Sb2O3三组分体系在不同温度下的固相反应,并分别与Fe2O3MoO3和Fe2O3Sb2O3双组分体系的结果加以对比.结果表明,Sb2O3加入到Fe2O3MoO3体系中抑制了Fe2(MoO4)3的形成,而MoO3加入到Fe2O3Sb2O3体系,则可显著促进FeSbO4的生成.  相似文献   

18.
采用传统熔融法制备了Dy2O3-Li2O-B2O3(DyLB)玻璃,并对其中7种组成的玻璃性质进行了研究.测定了它们的密度和显微硬度;测试了玻璃在人体模拟液(SBF)中的化学稳定性.实验结果表明:当Li2O质量分数固定为11%,Dy2O3在10%~22%区域内变化时,随Dy2O3含量的增加,DyLB玻璃的密度升高,玻璃的显微硬度先降低后升高,玻璃在SBF溶液中的溶出率降低,并且溶出率随浸泡时间的延长而增加.对其中1个组成的玻璃制备成玻璃微球,用中子反应堆对微球进行了辐射试验.DyLB微球辐照的数据表明,Li和B被激活成短寿命的核素8Li和12B,仅只有半衰期为2.4 h的165Dy核素存在,其放射的β射线可用于临床上的辐射治疗.  相似文献   

19.
用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)结合超临界干燥技术(SCFD)制备Fe2O3/Al2O3二元超细复合材料,并用XRD,TEM进行检测。研究结果表明,采用该法,可制得红色、分散性好、粒径小于1μm的Fe2O3/Al2O3二元超细复合材料。  相似文献   

20.
用熔融法制备CaO-PbO-B2O3-SiO2系玻璃,以低温共烧法制备玻璃烧结体,研究不同Al2O3含量和烧成温度对玻璃的烧结性能和电性能的影响.结果表明:随着Al2O3含量的增加,玻璃的玻璃化转变温度升高,介电常数增加,介电损耗增加;X线衍射分析(XRD)显示G1玻璃在800℃析出CaSiO3和β-SiO2;G1玻璃于725℃保温30 min烧结,于10 MHz测试,介电常数(εr)=6.1,介电损耗(tanδ)=5.9×10-4;该玻璃有较低的玻璃化转变温度(tg=697.1℃)、较差的析晶能力、较低的介电损耗,适合作为低温共烧陶瓷(LTCC)的玻璃料使用.  相似文献   

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