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体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试结构,进行测试,并对锁定现象作对比分析,提出了优化设计的途径. 相似文献
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本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。 相似文献
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CMOS电路是一个具有良好特性的电路结构,但是在实际应用中常出现锁定失效的现象,容易对产品功能和电路造成危害。针对这个问题,本文对产生这种锁定失效现象的产生原因和条件进行了分析,提出了一系列有效可行的防止措施,对解决锁定失效问题和提高CMOS电路的设计应用具有很强的针对性。 相似文献
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CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究 总被引:6,自引:0,他引:6
钱敏 《苏州大学学报(医学版)》2003,19(4):31-38
以反相器电路为例。介绍了CMOS集成电路的工艺结构;采用双端pnpn结结构模型,较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理;介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成。这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。 相似文献
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集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。CMOS集成电路测试技术,受到人们的广泛关注。本文介绍了CMOS集成电路测试技术基本原理和关键问题,探讨了电流测试的研究进展及现状,并提出了该技术的研究方向。 相似文献
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本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。 相似文献
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本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。 相似文献
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对锁定放大器(LIA)的功能特性及在激光烟雾测试系统中的应用方法进行了探讨和研究,给出了应用系统框图并对锁定放大器在该系统中应用的注意事项给予了说明。 相似文献
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为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算。模拟结果与实验数据吻合,对6微米工艺和等比例缩小的3微米工艺CMOS电路中的闩锁效应进行了计算和比较。 相似文献
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集成电路测试是保证集成电路质量、发展的关键手段。该文从集成电路测试的过程概述性地介绍了集成电路的测试技术和集成电路的自动测试系统。 相似文献
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附加外循环IC反应器在造纸废水中的启动研究 总被引:1,自引:0,他引:1
IC反应器是在UASB反应器的基础上发展起来的第三代高效厌氧反应器,它具有处理效率高,抗冲击能力强,能耗低,占地省等优点,拥有良好的产业化发展前景。通过采用强制外循环IC反应器完成了造纸废水的启动研究,在COD去除率维持在73%~75%之间,水力停留时间可缩短为3 h,COD容积负荷达25 kgCOD/m~3·d。 相似文献
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介绍了利用8098单片机和其它接口芯片,实现对数字集成电路进行测试诊断的原理和方法。阐述了诊断电路的硬件与软件设计及模拟工作环境的建立。 相似文献
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介质层对真空微电子三极管特性的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用粒子模拟程序MACIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer-Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表明,当介质孔半径从0.4μm增加到2.0μm时,发射电流将从0.198μA减小到0.115μA,前人的研究工作中常常忽略了介质层对电子发射特性的影内.同时还得到了电流—电压特性和电子轨迹图等模拟结果. 相似文献
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介绍了使用IC卡管理开放式机房的模式,以IC卡应用系统为基础,给出了设计实现方案.其目的是提高人工管理机房的质量,减轻了过去传统人工票据收发等大量的繁琐的工作,杜绝容易伪造,票据统计效率低等弊端.IC卡自动化管理开放式机房,具有使用方便、安全可靠、适用性强等功能. 相似文献