半导体光催化杀菌的机理和应用

综述了半导体光催化杀灭菌的两种机理，光生空穴和形式于半导体颗粒表面的活性氧类与细胞细胞或细胞内的组成成分进行生化反应，使细胞苗头单元失活而致细胞死亡。半导体杀菌应在光动力学疗法和水的深度处理方面有着广泛的应用前景。     

异相光催化技术及其影响因素和改进方法

介绍半导体异相光催化反应机理、影响异相光催化的因素.综述贵金属沉积、金属离子掺杂、复合半导体、半导体的表面光敏化等改性手段对光催化活性的影响,并对其原理进行解释和说明.     

影响二氧化钛光催化活性的主要因素

纳米TiO2是一种高效节能的光催化功能材料．文章探讨了纳米TiO2晶型、粒子尺寸、表面贵金属沉积、金属离子掺杂、半导体的复合、表面羟基、表面结构等因素对TiO2光催化活性的影响．     

催化降解水中有机污染物的TiO_2纳米管改性方法研究进展

针对TiO2光催化材料在处理难降解有机物方面引起了水处理领域的研究热潮,本论文结合TiO2光催化材料的结构与性质,系统地论述了金属离子掺杂、表面贵金属修饰、非金属掺杂、表面光敏化和半导体复合等方法对TiO2纳米管改性的研究进展,评价了改性后TiO2纳米管改性的特点以及应用范围,对比了不同改性方法的优缺点,可为建立新的TiO2纳米管改性方法提供一定参考依据。     

金属Ag表面等离子体诱导光催化机理的研究进展

等离子体光催化剂在有机污染物的降解、水的消毒、细菌的破坏以及光伏燃料电池等方面都有潜在的应用前景.本文综述了近年来金属Ag表面等离子体诱导光催化机理的重要研究进展.金属Ag诱导等离子体光催化剂光催化活性的提高大致可以分为三类：对于金属Ag纳米结构复合半导体材料,等离子体Ag纳米结构与半导体界面的直接电子转移发挥了主要作用;对于金属Ag复合AgX(X=Cl, Br, I)材料,光催化活性的提高是基于AgX与金属Ag纳米结构附近强的表面等离子体诱导电磁场的相互作用;对于三元复合等离子体光催化材料系统,光催化活性的增强可以用金属表面等离子体共振效应结合双电荷转移机制来解释复合光催化材料的光催化机制.     

半导体光催化与生物法联合降解废水现状研究

随着半导体光催化降解废水的发展，光催化与生物系统联合降解废水污染物已成为环境科学关注的热点。简要阐述了半导体的光电原理，总结了光催化与生物系统联合处理废水的研究成果，讨论了多相光催化与生物法联合系统的优点及发展方向。     

TiO2光催化反应活性研究进展

纳米TiO2是一种高效节能的光催化功能材料,本文对TiO2光催化技术研究现状及反应机理进行了综述。重点介绍了纳米TiO2晶型、粒子尺寸、表面贵金属沉积、金属离子掺杂、半导体的复合、表面羟基等因素对TiO2光催化活性的影响,并分析了纳米TiO2光催化技术所面临的问题。     

光催化TiO2薄膜研究进展及其影响因素

提高光催化剂的光催化活性是多相光催化剂能否工业化应用的关键，文章介绍了半导体多相光催化材料的理论及应用的发展现状，探讨了玻璃表面TiO2薄膜光催化性能的影响因素及提高其光催化降解效率的途径。     

半导体光催化杀菌的机理和应用

综述了半导体光催化杀灭菌的两种机理，光生空穴和形成于半导体颗粒表面的活性氧类（·ＯＨ，Ｏ２－·，ＨＯ２·，Ｈ２Ｏ２）与细胞壁、细胞膜或细胞内的组成成分进行生化反应，使细胞功能单元失活而致细胞死亡．半导体杀菌效应在光动力学疗法和水的深度处理方面有着广泛的应用前景．     

Cu微网格修饰TiO2薄膜的结构及性能

针对半导体光催化过程中光生载流子的复合问题，采用微球模板技术在TiO2薄膜表面制备了Cu微网格，分析了样品光催化性能随表面Cu负载量的变化。结果表明，与单纯TiO2薄膜相比，复合薄膜的光催化性能随Cu负载量增加有显著提高，是由于Cu微网格对TiO2薄膜表面光生栽流子的分离和传输作用，有效提高了光催化过程中的量子效率。     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

半导体器件用Al-Si合金微细丝强化途径及机理分析

通过不同的热处理工艺强化半导体器件用Ａｌ－Ｓｉ合金微细丝的方法，分析了Ｓｉ粒子的存在状态对合金机械性能、物理性能的影响，获得了高塑性变形能力和高拉伸强度的工艺，并讨论了强化后的微细丝与半导体器件焊接质量的关系。     

无机金属异质结半导体在肿瘤治疗中的应用研究

随着对半导体催化机制的不断研究，发现半导体材料在光/声刺激下会发生催化反应，从而产生活性氧。因此，近年来半导体材料被广泛研究用于肿瘤治疗。基于不同激发源，用半导体材料催化治疗主要分为光催化治疗和声催化治疗，其中异质结半导体材料与单纯的半导体材料相比，因其特殊的电子转移方式，在肿瘤催化治疗中表现出更好的疗效。通过分析异质结材料的催化机制，将近年来设计合成的多种无机金属异质结分为4类，同时详细讨论了不同异质结材料在光/声催化治疗领域的研究和发展。希望从异质结催化增强的机制出发，为用于高效肿瘤治疗无机金属异质结材料的设计提供新的思路。     

半导体光催化氧化反应降解废水中有机污染物的研究进展

介绍了一种降解废水中有机污染物的高效氧化方法（AOP）－半导体光催化氧化法及其作用原理与反应机理；总结了近年来提高半导体光催化效率的方法：半导体光催化剂的改性、光催化剂的固定化、加电子接受剂或空穴接受剂，特别是采用AOP与生化降解法相结合的方法，使废水的处理更经济、有效。综述了近两年该技术在处理废水中有机污染物方面的应用。     

化学混凝沉淀-吸附法处理半导体工业含氟废水

分析研究了CaCl2-PAC化学混凝沉淀-活性氧化铝吸附工艺处理半导体工业含氟废水的机理和影响因素,介绍了该工艺的工程实践和主要处理构筑物,并对处理效果等进行了分析和讨论.     

Research progress in ZnO single-crystal: growth,scientific understanding,and device applications

Zinc oxide, a wide band-gap semiconductor, has shown extensive potential applications in high-efficiency semiconductor photoelectronic devices, semiconductor photocatalysis, and diluted magnetic semiconductors. Due to the undisputed lattice integrity, ZnO single crystals are essential for the fabrication of high-quality ZnO-based photoelectronic devices, and also believed to be ideal research subjects for understanding the underlying mechanisms of semiconductor photocatalysis and diluted magnetic semiconductors. This review, which is organized in two main parts, introduces the recent progress in growth, basic characterization, and device development of ZnO single crystals, and some related works in our group. The first part begins from the growth of ZnO single crystal, and summarizes the fundamental and applied investigations based on ZnO single crystals. These works are composed of the fabrication of homoepitaxial ZnO-based photoelectronic devices, the research on the photocatalysis mechanism, and dilute magnetic mechanism. The second part describes the fabrication of highly thermostable n-type ZnO with high mobility and high electron concentration through intentional doping. More importantly, in this part, a conceptual approach for fabricating highly thermostable p-type ZnO materials with high mobility through an integrated three-step treatment is proposed on the basis of the preliminary research.     

半导体生产废水处理技术研究

作用根据实验研究，提出了半导体生产废水处理的氯酸钠化学氧化法和硫酸铝吸附共沉淀法，并说明了有关处理条件。     

自旋注入效率的电学探测

为了探测从铁磁FM（ferromagnet）到半导体SM（semiconductor）的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁／半导体／铁磁（FM／SM／FM）的双结,通过直接测量此双结的磁阻效应,从而得到从铁磁（FM）到半导体（SM）节的自旋注入效率。理论分析发现其隧道磁阻TMR（tunnelling magnetore resistance）和自旋注入效率SIE（spin injection efficiency）之间有个普适关系：隧道磁阻是自旋注入效率的平方。这种平方关系在顺序隧穿区和散射区都成立,除非双结间半导体层厚度很长导致自旋翻转效应的发生或中间的半导体层厚度小于其相位相干长度而导致磁阻中出现量子相干效应。     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。