微磁学与磁信息存储技术研究进展

清华大学材料系教授,教育部先进材料重点实验室副主任韦丹博士,在应用磁学的基本理论、微磁学研究、计算机硬盘等磁信息存储系统基本理论研究领域辛勤耕耘,取得了十分重要的研究进展。1. 发展和完善了应用磁学的基本理论,即微磁学(micromagnetics)理论。可以计算磁性材料的基础性质,例如磁滞回线、磁畴、磁导率等。磁性是自然界物质以及人工制备材料的基础性质之一。基础磁性的解释在量子力学建立以后有了重大进展,电子自旋和轨道角动量是原子磁矩的来源,但是,目前理论还无法精确解释固体、分子的自发磁化过程。磁畴理论是前苏联物理学家朗…     

微磁学与磁信息存储技术研究进展

清华大学材料系教授，教育部先进材料重点实验室副主任韦丹博士，在应用磁学的基本理论，微磁学研究，计算机硬盘等磁信息存储系统基本理论研究领域辛勤耕耘，取得了十分重要的研究进展。     

超顺磁磁铁矿磁接收器磁学模型

生物磁铁矿磁接收器理论模型包括单畴磁铁矿磁接收器模型和超顺磁磁铁矿磁接收器模型.蜜蜂体内存在典型的超顺磁磁铁矿颗粒.本文以蜜蜂为例,从磁学理论角度出发,定性的探讨了超顺磁磁铁矿磁接收器的磁学模型和工作机制.在外磁场作用下,每个超顺磁颗粒会受到力的作用,同时伴随着尺寸沿着一定方向的收缩和扩张.超顺磁颗粒把力以及扩张收缩作用传递给外面的生物膜及生物骨架(埋藏在神经系统中)从而产生相应的神经信号,而多个超顺磁颗粒磁接收系统的存在会放大和加强信号的产生.     

反铁磁耦合纳米体系磁特性的微磁学研究

采用微磁学方法研究了磁层间反铁磁耦合强度对SyAF纳米体系磁特性的影响.当SyAF纳米体系上、下磁层间的反铁磁耦合强度不同时,SyAF纳米体系具有两种不同类型的磁滞回线.当磁层间反铁磁耦合强度较小时,体系的矫顽力随反铁磁耦合强度的增大而增大,反磁化机制为反磁化核的形成与传播的反转过程.而当磁层间反铁耦合强度较大时(0.2×10-3J.m-2),体系的矫顽力基本不随反铁磁耦合强度变化,并且在剩磁态为稳定的单畴结构,反磁化机制为类一致反转过程.这类SyAF纳米体系更适合于作为磁信息器件中自旋阀的自由层.     

信息存储技术浅论

目前存储是IT领域中发展最为迅速的热点之一。究其原因,主要有两个方面:1、应用需求的牵引。数字化地球对巨量信息的有效存储提出了迫切的要求:多媒体、流媒体的广泛应用需要巨大容量的视频音频文本存储空间;CAD/CAM/CAI的广泛应用和普及,极大地带动存储市场的扩展;便携式移动存储开辟了数据交换     

单畴磁铁矿磁接收器磁学模型

很多生物可以利用地磁场辨别方向和方位,而生物磁铁矿被广泛发现存在于这些生物体中,研究者认为,生物磁铁矿与周围组织(包括神经组织)构成磁接收器,它在与外界磁场的相互作用中,将外界磁场信息转化成神经信息促使生物作出相应的反应;生物磁铁矿磁接收器理论包括单畴磁铁矿磁接收器模型和超顺磁磁铁矿磁接收器模型;趋磁细菌体内存在典型的单畴磁铁矿颗粒,本文中,以趋磁细菌为例,从磁学理论角度出发,定性的探讨了单畴磁铁矿磁接收器的磁学模型和工作机制:在外磁场中,外面包围着生物膜的单畴晶体会受到力的作用,单畴晶体把力转加给生物膜,再被生物膜中的机械感受器接收到,再转变为刺激信号,引起细胞相应的运动行为;或者是,磁铁矿粒子通过与生物膜的结合,把受到的力转变为打开或关闭离子通道,影响离子的流入,跨膜电势发生改变,从而产生刺激信号;多个单畴晶体及膜的存在会导致信号的增加与放大.     

纳米相变存储技术研究进展

相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器（PCRAM）,在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望。     

自由边界条件的无规混合圆形磁性系统磁特性的微磁学研究

采用能量极小原理的微磁学方法对铁磁/反铁磁无规混合圆形磁性系统进行模拟计算,研究自由边界条件下该系统的磁特性.发现系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应,并解释了小自旋的反铁磁耦合是产生这一现象的根本原因,同时,解释了自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯数目增多的原因.     

自由边界条件的二维无规混合磁性系统磁特性的微磁学研究

采用能量极小原理的微磁学方法对异类自旋组成混合Heisenberg自旋体系进行模拟计算，研究比较自由边界条件和周期边界条件下的二维铁磁／反铁磁无规混合系统的磁特性，发现在自由边界条件(FREE)和周期边界条件(PERIOD)下的二维无规混合磁性系统的M—H磁化曲线的阶梯效应中存在异同。通过二维Ising模型和自旋组态的研究，解释自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯效应差异的原因。     

铁磁固体的微结构和微磁学

本书由剑桥大学出版社出版，主要讨论了铁磁材料的微磁学和微结构，以及铁磁材料典型的磁滞回线和其微结构的关系，同时也深入的分析了晶体和非晶合金的微结构对其磁学性质的影响。本书将微磁学理论推广应用到了现代磁性材料的各个方向，包括：磁畴模式、     

城市交通信息平台数据存储技术研究

城市交通信息平台是所有交通信息汇总的一个公共场合,因此它包含各种类型的交通数据,要想使交通数据能够发挥其最佳效用、更好地为交通管理者、规划者和出行者服务,则必须将交通数据经过严格的准备、组织,并且能够对数据进行分析处理,提供决策支持。     

Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构与磁学性质

用溶胶-凝胶方法制备了具有单一纤锌矿结构的Co掺杂ZnO稀磁半导体粉末样品.通过对样品的结构、元素价态、电学和磁学性质的分析,研究了样品室温铁磁性来源.研究结果表明,2次烧结的样品比1次烧结样品的磁化强度明显增强;观测到的铁磁性与ZnO本征缺陷(Zn空位)有关,铁磁性起源于局域化受主(Zn空位)之间的交换相互作用.     

超高密度探针存储技术的研究进展

扫描探针显微镜(SPM)超高密度信息存储技术是近年来信息技术领域的新热点，并极有可能成为未来存储领域的主导技术．主要根据探针与样品表面的作用方式，分析了探针存储的机械学、电学、磁学、光学和化学作用原理，总结了用SPM实现信息存储的机械、电学、化学、磁学、近场光学、原子操纵等存储机理，提出实现超高密度信息存储必须从最基本的存储机理入手，并从存储方法和存储介质两方面寻找实现超高密度信息存储的突破口．     

钆单晶磁化曲线的微磁学模拟

HCP结构的钆单晶是一种典型稀土永磁材料,其居里温度在室温附近,作为一种良好的单质磁制冷材料,近年来得到广泛关注。利用原子尺度的有效自旋哈密顿量,通过使用混合蒙特卡罗方法的微磁学模拟研究,得到了钆单晶的磁化曲线,与实验结果吻合良好。磁化曲线的获得,不仅为居里温度附近的实验提供理论依据,也有助于进一步研究钆单晶的交换作用系数、各项异性常数等随温度变化行为的磁学性质。     

网络环境下数字图书馆的信息存储技术

介绍了网络环境下数字图书馆信息存储的4种技术，即直接存储、网络附加存储、信息存储区域网络、磁盘阵列，展望了信息存储技术的未来发展趋势。     

全国信息存储技术会议在我校召开

10月12日至14日，第14届全国信息存储技术学术会议在我校召开． 来自清华大学、北京大学、南京大学、西北工业大学、国防科技大学、中科院、华为3COM和我校等高校、科研院所及企业的140多名专家学者参加了会议．     

一种基于GIS平台的信息存储技术

提出了一种针对地理数据存储及检索方案。该方案提出使用附加的网格信息来提高地理信息的检索速度。