氧化物半导瓷中晶界势垒的起源

提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。     

高性能钛酸锶钡PTC材料的研究

本文在大量实验的基础上,对材料的烧结机制、晶界势垒、微观结构与宏观性能之间的关系进行了研究,获得了合理控制掺杂,最佳烧成等工艺条件,采用国内生产的较低纯度的原料,制作出高性能的PTC产品。     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

放电等离子烧结制备Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)结构与电性能

采用溶胶凝胶方法制备Sm掺杂CeO2粉体材料,用放电等离子烧结(SPS)方法和常规烧结方法(CS)进行压片烧制,比较两种烧结方法对材料结构与性能的影响.通过X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明,两种烧结方法所得样品均呈现单一的立方莹石结构;SPS烧结样品的晶粒尺寸和密度大于CS烧结样品,SPS烧结样品的晶粒电导率、晶界电导率及总电导率均高于CS烧结样品;550℃时SPS和CS烧结样品的总电导率分别为2.27 s/m和1.87 s/m.放电等离子烧结法是在较低温度下实现快速烧结,制备致密化固体电解质材料的一种有效方法.     

PTC器件特性分析及应用

本文介绍了PTC器件及PTC器件的特性，从系统内缺陷的产生、分布及属性方面分析了钛酸钡晶界处产生势垒的原因，进一步分析了PTC特性的形成原因，通过具体的应用实例对其特点进行了概括。     

金纳米颗粒烧结的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟方法研究了不同尺寸Au纳米颗粒在烧结过程中晶型转变及烧结颈长大机制.研究发现纳米颗粒的烧结颈生长主要分为两个阶段:初始烧结颈的快速形成阶段和烧结颈的稳定长大阶段.不同尺寸纳米颗粒烧结过程中烧结颈长大的主要机制不同:当颗粒尺寸为4 nm时,原子迁移主要受晶界(或位错)滑移、表面扩散和黏性流动控制;当尺寸在6nm左右时,原子迁移主要受晶界扩散、表面扩散和黏性流动控制;当颗粒尺寸为9 nm时,原子迁移主要受晶界扩散和表面扩散控制.烧结过程中Au颗粒的fcc结构会向无定形结构转变.此外,小尺寸的纳米颗粒在烧结过程中由于位错或晶界滑移、原子的黏性流动等因素会形成hcp结构.     

新型线性热敏陶瓷复合材料的设计与实现

通过对Ｂａ（Ｓｎ，Ｓｂ）Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３化合物的复合，设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构．由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征．通过调节Ｂｉ２Ｏ３的含量，可以方便地调节复合材料的室温电阻率．     

ZnO压敏电阻器中的电容弥散

基于ZnO压敏电阻器的电子态特征，界面肖特基势垒不仅对其导电性能，而且对其介电性能也有决定性的影响．分析了三种可能导致电容弥散现象的机制，它们都与界面势垒的性状密切相关，给出的一些估算结果，与实验所得规律和数据基本符合．依据有效媒质理论的分析，认为不一致的晶界势垒高度是导致低频端的电容量随频率降低反常地升高的原因之一．     

电容-电压测试在TiO2压敏材料晶界势垒研究中的应用

通过电容—电压(C-V)测试,测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数,测试结果显示99.75mol%TiO2 0.25 mol%WO3的样品势垒高度为0.51 eV,施主浓度Nd为1.62×1025/m3.类比ZnO压敏材料,本文认为晶界处吸附的O-、O2-是形成晶界势垒的主要原因.     

CrN/Cr涂层对Ti22Al26Nb合金的高温防护研究

采用电弧离子镀技术在O相Ti22Al26Nb合金表面镀覆CrN以及CrN/Cr涂层并研究了其在800和900℃空气中的等温氧化行为,结果显示O相钛合金表面施加单一的CrN涂层后,涂层表面在氧化时形成了保护性的氧化膜Cr2O3层,因此合金受到了良好的高温防护,但是涂层和基体合金之间发生了明显的互扩散;在CrN涂层和钛合金基体之间施加纯Cr扩散障层后形成的CrN/Cr涂层,其表面除了象单一CrN涂层那样氧化后形成了一层连续、致密、结合良好的保护性氧化膜Cr2O3层外,还能有效的抑制涂层与基体合金之间的互扩散,此外扩散障Cr层的存在使得靠近其基体的晶粒也出现了长大现象。     

超高氧高阻隔膜气调包装对鲜切胡萝卜品质的影响

高氧气调包装是近年来研究较多的气调包装方式之一.研究了在不同储藏温度(4,15,25℃)下,高阻隔膜超高氧气调包装的鲜切胡萝卜品质变化规律(对照空气包装).结果表明,超高氧气调包装显著增加了鲜切胡萝卜的失重率、呼吸强度,同时加速了维生素C、总胡萝卜素含量的损失,但能提高多酚类物质含量.总之,高阻隔膜超氧气调包装不能有效地维持鲜切胡萝卜的品质.     

林草交错带县域景观格局粒度效应研究

林草交错带作为生态系统过渡带,具有景观格局演替敏感、类型复杂多样等特点,呼伦贝尔林草交错带是我国北方重要的生态屏障,对其景观格局粒度效应的研究、识别景观格局研究的适宜粒度是建立合理生态安全格局的基础.本研究基于呼伦贝尔林草交错带-鄂温克自治旗2000-2015年土地利用数据,分析不同类型景观指数随粒度变化特征以及不同粒度下各景观指数的时间演替特征,并综合信息损失法识别区域的适宜研究粒度,分析不同景观指数的粒度敏感性,为进一步明晰不同景观指数适用范围提供基础.研究结果表明,呼伦贝尔林草交错带景观指数粒度变化特征可以分为Ⅰ型(随着粒度的粗化逐渐下降)、Ⅱ型(随着粒度的粗化逐渐升高)和Ⅲ型(先增加后下降的波动变化)指数,景观指数粒度效应敏感性差异显著,结合景观指数时空粒度效应分析和信息损失法确定区域景观格局研究适宜粒度为200 m,粒度效应的影响远远高于时间尺度对于景观指数变化趋势的影响,由此可见粒度效应对于景观指数应用的影响不容忽视,而根据景观指数粒度效应敏感性选取低敏感指数不失为一种高效便捷的手段.本研究推荐粒度敏感性较差的景观指标TA、PAFRAC、AWMPFP、SHDI、SHEI、C...     

氧化铜陶瓷的高介电性

采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。     

海南岛西北岸礁坪堆积物的粒度参数与分布特征

松散堆积物的粒度成分及分布规律与沉积环境息息相关,于潮间带以平台地形出现的现代礁坪对其上的松散堆积物的沉积过程施于深刻的影响.本文就海南岛西北岸邻昌、大铲离岸礁和小铲近岸滩礁礁坪上的松散堆积物的粒度参数和粒度分布的若干特征,探讨它们与沉积环境的关系.     

La2O3掺杂的TiO2电容—压敏电阻器特性研究

为改善ＴｉＯ２电容－压敏电阻器的非线性，文章通过添加少量Ｌａ２Ｏ３，使其非线性系数得到提高，并对其原因进行了分析．结果表明，Ｌａ２Ｏ３添加剂可提高材料晶界势垒高度，从而提高了其非线性系数．     

BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响

在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响．发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性．     

多孔阳极氧化铝形成过程的研究

研究了纯铝在3种不同电解液中的阳极氧化过程，通过分析阳极氧化曲线上不同阶段氧化膜的SEM照片，探讨了铝阳极氧化阻挡层的形成、阻挡层向多孔膜的转化、多孔膜的生长的过程。结果表明：多孔氧化膜不但产生于酸性溶解的电解液中，而且在非溶解性的电解液中也可以产生。提出了在阻挡层的生长过程中，氧气的析出是造成多孔产生的新观点，并从不同电解液角度进行了论证。不同的电解液体系中，氧气的析出电压不同，多孔氧化膜的孔径与电解液的种类有关。     

论杂交水稻的国际发展

杂交水稻是我国自主创新、国际领先的重大技术,对保障世界粮食安全具有重要意义。我国的杂交水稻技术输出与国际发展,形势较好、来势很旺,发展的市场潜力大、技术与人才优势强、基础条件好;但目前尚处于初级阶段,遇到了种子检疫限制、前期投入不足、技术本身缺陷、出口经营无序、出口限制过多等问题及制约因素。应采取优化策略、规范输出、破解壁垒、提高质量、政策扶持等推进发展的对策。