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通过递推关系和相应的初始条件,给出了梯形电容网络总等效电容随级数n变化的具体表达式,并通过讨论指出:当网络级数n足够大时,等效电容总可以趋近于一个与负载电容C0无关的稳定值;只有当网络中的C1、C2都很小,且级数n不太大的情形下,负载电容C0的影响才显著. 相似文献
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文盛乐 《湖南城市学院学报(自然科学版)》2005,14(3):50-53
讨论了含R、L、C元件的无穷梯形网络的复阻抗,指出了在一定的频率条件下,纯电感和纯电容元件组成的无穷网络也会消耗平均功率;探讨了R、L和R、C无穷网络中的相移问题. 相似文献
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三端梯形网络等效电阻的再研究 总被引:12,自引:1,他引:11
谭志中 《河北师范大学学报(自然科学版)》2004,28(5):480-482
对三端梯形电阻网络的等效电阻进行了再研究,通过构建非线性差分方程模型给出了不同于其他文献的研究方法,获得了三端梯形网络入端电阻的另一种表达结果,并与相关结果进行了比较. 相似文献
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本文研究非线性电阻性网络多值问题的求解理论,文中给出了一系列重要的定理及其证明,这些定理是构思种新算法的理论基础。 相似文献
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由递推关系推导出梯形电阻网络的等效电阻,并证得当级数满足一定的条件时,等效电阻的值在一定误差范围之内才能接近一个定值,并且由递推关系推导出梯形电阻网络的结点电压公式,这种分析方法可以应用在复杂电路网络及算法分析中. 相似文献
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研究了一类三维□×n阶网络的等效电阻,采用网络分析构建差分方程组模型的方法,经过数学推导与计算,给出了三维□×n阶网络具有普适性的等效电阻公式.作为引申与应用,发现所得到结论同样适用于一类日×n阶电阻网络的等效电阻,由此得到了日×n阶电阻网络等效电阻的普适公式.同时给出了无穷三维网络的等效电阻公式,研究发现无穷三维网络的等效电阻是由无理数表示的有限常数. 相似文献
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李京秀 《陕西理工学院学报(自然科学版)》2002,18(4):49-52
通过求解梯形电阻网络中的递推关系,推导出计算梯形电阻网络中等效电阻和节点电压的通项公式;证明了无穷梯形电阻网络等效电阻为常数,且给出其计算公式;提出梯形电阻网络等效电阻按无穷网络简化计算的条件。 相似文献
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三端梯形网络的等效电阻 总被引:19,自引:3,他引:16
对三端梯形网络的等效电阻进行了研究,应用虚拟电流法给出了三端梯形网络入端电阻的2个普适规律,并给出了三端无穷梯形网络等效电阻的2个极限规律. 相似文献
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对2×N阶梯形电阻网络的中轴线上2节点间的等效电阻进行了研究.应用网络分析法得到了电阻网络中的电流规律;通过构建关于电流规律的二阶线性差分方程模型,给出了2×N电阻网络中轴线等效电阻的一个普适规律,并且将所得结果与特殊情形的结果进行了比较与验证. 相似文献
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2×N阶梯形网络侧端等效电阻的普适规律 总被引:15,自引:2,他引:15
对2×N阶梯形网络侧端的等效电阻进行了研究,通过虚拟电流方法进行网络分析,构建了关于电流的差分方程模型,给出了2×N阶梯形网络侧端等效电阻的一个普适规律,并通过具体的特例进行了比较与验证. 相似文献
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5×n阶网络等效电阻的两个普适公式 总被引:1,自引:1,他引:0
针对5×n阶电阻网络的等效电阻计算尚未解决的问题,通过网络分析构建差分方程组模型.利用矩阵变换方法,给出5×n阶电阻网络节点间的电流通用规律,并且根据边界电流条件,获得了5×n阶电阻网络等效电阻的2个普适公式,给出了n→∞的结果.在n=0,1,2三种特例情形下的计算结果与实际相一致,验证了该公式的正确性. 相似文献
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梯形网络电阻等效值的计算机求解 总被引:1,自引:0,他引:1
研究梯形网络电阻等效值问题有许多解析方法,利用数学软件MATLAB对此问题进行数值分析研究,并与同类问题解析解进行了比较,为该类问题的研究提供了一种新的方法。 相似文献
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对2×N阶梯形电阻网络的中轴线上2节点间的等效电阻进行了研究.应用网络分析法得到了电阻网络中的电流规律;通过构建关于电流规律的二阶线性差分方程模型,给出了2×N电阻网络中轴线等效电阻的一个普适规律,并且将所得结果与特殊情形的结果进行了比较与验证. 相似文献
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根据PTCR半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果,对PTCR半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型,通过对阻抗-频率关系曲线的测量,求出了PTCR半导瓷的特性参数.计算结果表明,老化后室温阻值增加,这主要是电极氧化引起的.对实验结果进行了物理本质的初步探讨. 相似文献
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模拟了氧化物多晶材料中晶粒和晶界的介电响应,分析了电阻和电容与阻抗谱之间的关系,利用阻抗谱斜率的关系来验证拟合数据的正确性.用高温固相反应法制备了钙钛矿氧化物材料HoMnO3,利用复阻抗分析谱分析了该材料在650 Hz~1 MHz频率范围内的介电响应,结果表明:制备的氧化物材料是由晶粒和晶界组成的多晶材料,并且高频部分反映HoMnO3材料晶粒行为;低频部分反映HoMnO3材料的晶界行为.通过数据拟合可以得到其晶粒和晶界的电阻分别约为105Ω和106Ω;晶粒和晶界的电容均约为10-9F. 相似文献