纳米技术在军事领域上的应用展望

纳米技术具有前瞻性、战略性、基础性的特点，它在电子信息领域的应用与发展将使纳米电子学、纳米磁学及纳米光电子学成为21世纪信息技术的核心，将促使以微电子技术为代表的当代信息技术，向以纳米技术和分子器件为代表的智能信息技术快速转变。文章介绍了纳米技术及其产品在军事领域中的发展和应用前景。     

中美合作纳米线激光器研究获重大突破

湖南大学微纳技术研究中心邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学宁存政教授领衔的纳米光子学小组合作，将半导体激光芯片调谐范围扩大，成功演示出500nm绿光直至700nm红光，创下一个新的半导体激光器调谐范围的世界纪录，与原来调谐范围最长仅几十纳米相比实现了重大突破。     

OB纳米结构仿生及光学特性研究进展

纳米微结构具有对光线进行调制的能力,在新型光电子和光子器件方面已显示出广泛的应用前景,而不同类型光学尺度纳米微结构的人工制备却始终是一个难点．从纳米仿生角度对利用生物模板构筑人工纳米微结构的制备手段和研究现状进行分类阐述;随后着重介绍了近年来出现的一种新型纳米结构仿生制备方法,即利用原子层沉积技术实现对生物模板纳米结构的三维复制和原子尺度的精确生长控制;最后探讨了仿生纳米结构的光学特性和潜在光学应用．     

表面修饰MoS2纳米微粒的XPS研究

本文用Ｘ射线光电子能谱表征了ＭｏＳ２纳米微粒的结构及元素存在的化学状态。结果表明：不同合成条件和不同反应物对纳米微粒的结构和元素存在的化学状态有较大的影响。二烷基二硫代磷酸修饰于ＭｏＳ２纳米微粒的表面所形成的表面修饰层，有效地阻止了ＭｏＳ２纳米核的氧化。     

纳米二氧化硅粉体的表面改性研究

以乙醇作为分散介质用偶联剂KH-570对纳米二氧化硅进行了表面改性,通过透射电镜和光电子能谱对其改性效果进行了表征,研究发现纳米二氧化硅在乙醇中达到纳米级的分散;且偶联剂与纳米二氧化硅表面发生了化学反应.     

半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于Si基光电子材料设计方面的重要进展。着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望。最近关于Si纳米晶光增益和纳米硅/氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义。对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于Si/O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道。这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破。     

纳米粒子与职业健康

纳米科学与技术已经受到世界各国的重视，研究纳米科技的科学家数不胜数，纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米电子学等各个领域都有了长足的发展。本书选取的文章是关于纳米粒子毒理学的最新研究成果。     

Pseudomonas sp.J1生物合成纳米硒机制研究

为了探究Pseudomonas sp.J1生物合成纳米硒的机制,采用电镜技术、X射线能谱分析法(EDS)及X射线光电子能谱分析法(XPS)对Pseudomonas sp.J1合成纳米硒过程及产物进行表征;通过添加谷胱甘肽抑制剂、改变培养基中NO3-、亚硒酸钠浓度以及培养温度等条件研究各因素对生物合成纳米硒的影响.结果表...     

纳米莫来石的制备及其机理研究

以正硅酸乙酯(TEOS)、结晶氯化铝(A lC l3.6H2O)为主要原料制备纳米莫来石前驱体溶胶,然后采用超临界流体干燥处理(SCDF)技术制备了A l2O3-S iO2体系纳米超细粉体,经1 100℃热处理后全部转化为针状纳米莫来石。借助透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)和物理吸附仪等仪器对纳米莫来石进行了表征,并对其机理进行了探讨。     

纳米科技最新进展（下）

介绍了近年来在纳米科学与技术研究领域取得的一些主要进展。这些领域主要包括原子操纵与原子搬迁技术，纳米电子学与纳米电子技术，纳米生物学，纳米摩擦学，微米／纳米技术，原子团簇科学和纳米磁性功能材料等。     

基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超高对准度的方式集成在柔性基底上.本文针对"转印"(Transfer Printing)技术中纳米"构筑单元"向柔性衬底集成时的可控转移及确定性组装(Deterministic Assembly)等难题,提出了边缘剪切转移技术,实现了柔性硅纳米带阵列在柔性基底上的制备及确定性组装.结合悬臂梁模型及有限元模拟,得出悬空硅纳米带内部在边缘剪切转移过程中所产生的应力与其厚度、宽度之间的函数关系.此外,本文还研究了不同方向硅条带在边缘剪切转移的过程中所制备硅纳米带的边缘形貌,并优化初始硅条带的方向,得到边缘平整的硅纳米带.最终,利用该技术制备出柔性衬底上的硅基光波导.     

纳米Al2O3表面有机功能化改性及表征

为了改善α相纳米Al2O3在聚合物中的分散性和界面粘合力，用4，4＇-二苯基甲烷二异氰酸酯（MDI）对纳米Al2O3表面进行了有机功能化改性，采用X衍射光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱（FTIR）等手段，研究了在纳米Al2O3表面引入MDI对颗粒表面状态、分散性的影响．研究结果表明，改性后70％的纳米Al2O3表面被MDI包覆，颗粒主要以初级粒子的形式分散在乙醇中，并在理论上证明该反应机理为纳米Al2O3表面羟基与异氰酸酯基团中碳氮双键之间的加成反应．     

Ge纳米结构的制备技术与发光特性研究进展

Si基纳米发光材料与器件的研究是目前半导体光电子技术领域中的一个活跃前沿.除了Si纳米晶粒、Si量子点和Si/SiO2超晶格等Si纳米结构之外,属于同族元素的Ge纳米结构也因其所具有的优异特性,而呈现出良好的发光性能.评述了Ge纳米结构的制备方法与发光特性在近年内取得的研究进展.     

nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征

利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征。用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅薄膜在光电子方面的应用提供可靠的依据。     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

纳米硫化镍增感的卤化银感光特性

利用微波吸收介电谱检测技术,在超短脉冲激光作用下,检测了纳米硫化镍增感的AgBr立方体乳剂中光电子的时间分辨谱,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同化学增感条件下的时间行为.还对乳剂的感光性能进行了研究,得出了感光度与反差系数随增感条件的变化曲线,结合乳剂的光电性能和感光性能,对增感条件与乳剂性能的关系,以及微观和宏观两种不同角度下结论的一致性进行了探讨.     

电化学沉积法制备Cu_2O/CS纳米复合材料的机理研究

采用沉淀析出法,通过加入去溶剂化试剂硫酸钠制备壳聚糖(CS)纳米粒子;通过电化学沉积法制备了Cu2O/CS纳米复合材料.研究表明,随着反应条件的改变,Cu2O能够在CS纳米颗粒上形成针状或球形等不同形貌.电化学沉积机理通过透射电子显微镜、X射线光电子能谱技术对二者的结合机制进行了探讨,为Cu2O/CS纳米复合材料的制备和应用研究提供了理论依据.     

神奇的纳米技术新产品

利用纳米技术，或叫做分子制造技术，人们可以一个原子一个原子地以任何结构制造出任何物体。这将是一种根本性的变革，是一种“自下而上”而非传统的“自上而下”的变革。 实际上，大自然为我们提供了蓝图，ＤＮＡ就是管理各种生命自我复制的生物“纳米软件”，核糖体便是大型的分子构造器，酶即是分子大小的组装器。简言之，大自然已经存在纳米计算机。要想真正实现，还需要人类继续努力和开发。如今，随着科学技术的发展，人们利用纳米科学已经研制出各种纳米技术新产品。纳米交换机、纳米发动机、纳米电路、纳米齿轮甚至纳米吉他都已问…     

纳米技术手册

“纳米材料”是指在纳米尺度（0．1～100nm范围，1nm=10^-9m）上研究物质的特征和相互作用，以及利用纳米尺度的特征开发新产品的一门科学和技术。纳米科技包含纳米材料、纳米器件和对它们的检测与表征等应用性很强的研究和技术领域。通常说的纳米检测和表征是指在纳米尺度上分析纳米结构材料和器件的组成、构造，并且进一步探索新现象，作为发展新的器件和功能材料的手段。     

纳米材料及其复合技术

简述了纳米材料的特性，系统地论述了纳米材料、纳米涂层、纳米块体复合成型新技术，同时介绍了国内外籍此技术所取得的新成果。