窄能带系统的局域方法近似

本文把局域方法用于包括单电子能量 t、原子内电子的库仑作用 U、原子间电子的库仑作用W和交换作用J 的窄能带系统。在U,W,J 都是正值时,计算了顺磁相的相关能,局域磁矩和反铁磁极化。结果表明:对给定的电子密度 n,保持U与W不变,相关能随J 增加而增大;局域磁矩和反铁磁极化随J 增加而减小。如U及W给定,则 n越大,J 对三者的影响越明显。     

固体能带中的赝势理论

赝势(PseudoPotential)概念是50年代末提出来的[1],在最近的十多年中,赝势理论有了很大发展[2-3]。而且在应用赝势理论计算固体能带以及研究固体的其它性质方面,已经取得了相当多的成果[4-5]。本文将扼要地介绍和评述赝势理论的基本概念以及它的发展情况。     

固体能带计算方法

作者综述了固体能带常用的计算方法,并采用第一性原理赝势平面波方法计算了Si和Ge的电子能带,对计算结果进行了分析。     

半导体Ge的能带计算

用紧束缚[1]方法计算了Ge晶体能带Ge的点能量.计算结果与Chadi[2]的实验值及吻合较好,与K·C Pondoy[3]的计算值比较接近,比Cohen and TR·Bergstresser[4]的计算值精确.     

介子谱的非微扰势模型计算

本文对Fermi-Breit势的自旋交换项、自旋轨道耦合项和张量力项加上适当的收敛因子,连同谐振子禁闭势作为夸克-反夸克相互作用的等效势,对介子谱进行了较严格的计算,所得的结果与实验值基本相符。     

非局域流作为整体非局域变换产生的Noether流

杨—密尔斯场的规范不变守恒流假定时空的每一点存在着一个优先的同位旋方向n(x) n(x)=n~a(x)T~a,n~a(x)n~a(x)=1 (1.1) 这里符号a跑遍伴随空间g,T~a是g中基的矩阵表示(为了简单,这里我们限定到G=su(2),一般情况可参看[14]),椐此,我们把A_μ分解为h_μ和K_μ:     

用传递函数法研究三谐振局域共振的能带结构

利用传递函数研究局域共振声学超材料能带结构的形成,得到一维局域共振周期结构的递归方法.用传递函数的表达式确定有限超材料中带隙形成的机制.将有限声学超材料动力学分析与无限长超材料布洛赫定理分析进行比较,表明了用传递函数法计算带隙的正确性,得出系统极点作用产生了带隙和通过传递函数法改变原胞数目来调控带隙范围的结论.     

量子态的非局域关联性

在普遍的两个自旋1/2粒子量子态下证明了局域实在论与量子力学是不相容的,推广了Hardy在两个粒子非最大纠缠态下关于Bell 定理的证明.通过纠缠态下广义量子不可克隆定理中的正交条件的转移证明了量子力学非局域关联性.     

石墨烯电子能带结构的计算

基于碳原子的sp~2杂化理论和能带理论,运用紧束缚近似方法计算了石墨烯的能带结构,分析了石墨烯二维电子气的性质.     

GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中,Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑,自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度,得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

用分区变分法计算锗晶体的能带

本文介绍不计自旋轨道耦合,用分区变分法计算锗晶体的价带和低导带在布里渊区对称点Γ、Χ和L的能量,所得的能量值与主要能级间距数值同现有的理论计算与实验值基本相符。并讨论了原子球半径、球外势场在整个空间的平均值对计算结果的影响。     

金属镱能带结构的LCAO计算

1 引言稀土材料,有如光纤材料、陶瓷材料等,正越来越广泛地应用到各种科技领域。由稀土参与的材料性能,如电导率、透光窗口等的显著变化在很大程度上是对应了微观电子结构的变化,如能从微观角度对稀土材料性质预先进行计算设计,对性能预报和实验方面无疑有许多益处。对半导体等较轻元素材料的电子结构研究特别是晶体材料的能带计算,有很多有效     

非局域引力的宇宙动力学

研究了非局域修改引力的宇宙动力学.发现幂律解是稳定的,而作为幂律解的极限情况德西特(de Sitter)解也是稳定的.在平坦空间中,对于一般的非局域项f,宇宙动力学系统中总存在一个临界点,当态参数w>1/3时,它是吸引子,而w<1/3时,它是鞍点.在非平坦空间中,当物质满足强能量条件时,宇宙动力学系统还存在另一个稳定吸引子,它对应着稳定膨胀的宇宙.数值计算结果证实了上述定性分析的结论.     

反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活

本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。     

InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应

建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明，ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应，通过人工控制其平面内晶格常数（可由选择不同的衬底来实现），可使其成为Ⅰ型，Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋－轨道分裂的耦合，而流体静压和界面电荷的作用则相对很小．本文对以ＧａＡｓ为衬底情况下的计算结果与Ｘ射线光发射实验数据相一致。     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构

利用量子力学方法对低维半导体GaAs无限深势阱圆型量子线和有限深势阱矩型量子线的能带结构进行了详细的分析研究,分别得出系统各自的能量表式和波函数表式,并对其束缚态能量存在的必然性和物理意义进行了进一步的分析探讨。     

离子势计算的讨论

本文从离子的电子组态考虑离子的极化能力，导出了离子势的计算公式，并用此离子势数据计算了某些阳离子的水合能和某些氧化物的△H^φf，得到了满意的结果。     

用TT势计算氢分子的相互作用势

用Tang Toennies(TT)势模型计算了H2 H2的相互作用势,其结果与文献数据符合较好,说明TT势模型对于H2 H2的相互作用势也是适用的.