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相似文献
 共查询到15条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑i=0k (Biu(t-ri))+∫10 (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r0 < r1 < … < rk=r<∞)).  相似文献   

2.
在本文中,研究形如∫-11 k(t,s)y(s) ds=f(t),t∈[-1,1]的第一种Fredholm积分方程的数值解法,其中f(t)在[-1,1]上连续,核k(t,s)一般是弱奇性的,它可表为k(t,s)=h(t,s)m(t,s),这里h(t,s)具有形如h(t,s)=|t-s|α,α>-1的弱奇性,m(t,s)是连续函数.本文应用Lagrange多项式内插法,构造了一个近似解序列,并证明了它的收敛性.  相似文献   

3.
用电光晶体测量超快电磁辐射脉冲的几个问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论普遍情况下超快电磁辐射脉冲E0(t)(THz辐射场)及其电光采样测量值Em(t)的函数关系.并对THz辐射场与飞秒(fs)探测光束在同一介质内传播时的群速度失配以及辐射场自身色散效应的影响作了分析.  相似文献   

4.
利用随机加权法构造非参数回归函数的随机加权统计量,证明了用随机加权统计量的分布去逼近原估计量的误差分布,其精度可达到o(n-1/(d+2) lnnMn),a.s.,其中0<Mn→∞.该结果可以用于构造未知回归函数m(x)的置信区间.  相似文献   

5.
本文证明了位置集L=GF(2m)、生成多项式G(z)=z2+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S1=0,S3=a-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1,此外,还给出L=GF(2m)、G(z)=z2+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.  相似文献   

6.
用包埋法得到的固定化葡萄糖氧化酶,我们发现很难找到一个合适的体系,可用比色法从初速度测定它的活性.提出了一个模拟体系,并得到了该体系的吸收光密度与活性的校正曲线,以解析式A=A0(1-e-β[E])表示之.式中A为吸收光密度,[E]为葡萄糖氧化酶浓度(活性单位/毫升),A0β在给定体系下为常数.测得固定化葡萄糖氧化酶在该体系下的A值,便可从该式计算它的活性.  相似文献   

7.
考虑2×2方程组:ut+F(u)x=0,-∞ < x < ∞,t>0,(1-1)  相似文献   

8.
构造环和范式的两个改进算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
任一n元布尔函数f(x1,…,xn)的环和范式(RNF).  相似文献   

9.
本文考虑下列三个问题:估计dl(λ)=min|μi-λ|的上界,其中μi(i=1,2,…,n)是Bn的特征值.  相似文献   

10.
大家知道具有松弛效应非均匀介质中的KDV方程为ut+2au+(α+ax)ux-6uux+uxxx=0(1.1)  相似文献   

11.
指数和在扩频序列设计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ re-1,(r,e)=1,kp次本原单位根,q=pm,J:z→ktrm1(z)是有限域Fq上加法特征.对任意a,bFqe,定义指数和e(a,b)=∑xFqeJ[trmn(ax+bxqr+1)],其中trmn(°)表示从FqeFq上的迹函数.文中求出了指数和e(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用.  相似文献   

12.
本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式.  相似文献   

13.
近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.  相似文献   

14.
测量了Na|β-Al2O3|NaxHg1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γNa).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E0)的实验参数方程式.  相似文献   

15.
对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.  相似文献   

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