半导体大原子团：基础物理和量子器件应用

本书主要目标是讨论具有纳米尺度的半导体大原子团的基础物理和在发展新一代的量子器件中将它们当作构造模块的应用前景。书中评述了为发展量子信息处理和通信用的单电子/激子器件，当前正在进行的半导体量子点的制备和特性的研究现状。     

半导体辐射探测器——器件物理

该书从最基本的原理出发，对现代迅速发展的辐射半导体探测器及相关技术进行了系统和详细的论述。它首先对半导体辐射探测器的工作原理和应用等方面作了一个直观的描述，之后再引入比较严谨和定量的分析。     

Si基光子材料的探索

Ｓｉ基光子材料是以适应各种新型微电子、光电子器件的需要和发展的世界范围内半导体领域中出现的人工设计的材料，因此，对光子材料的探索引起了人们极大的兴趣。综述了二十世纪末Ｓｉ基光子材料的探索途径、现状与进展。     

电子学固态物理

本书是作者多年来讲授应用、材料及电子物理学研究生课程的讲义。描述了电子学中使用的材料的基础物理,使读者能深入地理解其理论基础和该学科主要的应用领域,对于材料物理性质的详尽综述将会有助于理解电子及光子器件制造中工艺过程。     

纳米器件与纳米结构中的量子力学问题（摘要）

纳米器件主要包括基于量子效应的纳米电子器件、纳米光电器件和纳米传感器等。当前信息技术的趋势要求器件和系统更小、速度更快、能耗更低。“更小”是指器件和电路的尺寸更小,对集成电路来说集成度更高。“更快”是指响应速度要快。“更低”是指单个器件的功耗要小。但是当硅集成电路的最小线宽为小到一定的程度时,如小于100纳米,研究表明量子效应     

纳米结构导电聚合物和半导体膜的组装和表征

简述了近年来新发展的几种纳米结构导电聚合物和半导体的构建方法,并对所制备的纳米结构导电聚合物和半导体进行表征,发现一些如光电化学纳米效应、光电流谱拓宽和量子尺寸效应等有趣的现象。     

“半导体物理”重点课程建设与教学探讨

重点课程建设的核心是教学内容与课程体系的建设。"半导体物理"教学实践中,本课程所涉及先修课程多、理论性强、学生不易掌握,教学模式单一,半导体物理学科领域发展迅速,教材内容更新较慢,针对这些特点,结合学校微电子专业建设重点课程的需要,我们作了切实可行的建设和改革,各章节教学内容强调前置课程的储备,将理论与实验、教学手段多样化融为一体,培养学生的积极性与创新意识.     

镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望

从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发，报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况，并对今后材料研究的主攻方向发表见解．     

半导体材料和器件的少子扩散长度随工艺跟踪测量

在同一设备上综合地应用表面光伏谱、结光伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测量．本方法具有设备简单、方法容易、不破坏样品等优点，可作为监测材料质量和器件工艺水平的重要手段．     

纳米器件中双势垒结构的散粒噪声分析及抑制

分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论,通过对电导问题和散射问题相似性的讨论,得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的方法。     

宽禁带半导体——基本性质和现代光子和电子器件

该书汇编了来自日本学术与工业界的宽禁带半导体领域的奠基人及开创者对氮化物半导体材料生长与应用等方面极其深入的阐述，同时该书也包含SiC，金刚石薄膜、ZnO的掺杂、Ⅱ-Ⅳ族半导体及BeZnSeTe／BAIGaAs材料体系的性质与应用等内容。     

零维纳米结构中的量子限制——光学和输运性质的探讨

本文在描述量子箱（点）的模型化和箱中受限激子的基础上，着重讨论了量子箱的光学性质和共振隧道效应。     

布洛赫线物理和纳米复合材料研究简述

简要介绍了布洛赫线物理和纳米复合材料研究的一些基本情况以及河北师范大学物理系磁学实验室开展这两方面研究的现状。     

纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究

在真空度为１３３．３μＰａ时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ,ＳＥＭ等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后,薄膜的电学特性增强,而掺Ｉｎ,Ｃｄ则影响不大。     

硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应

研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635nm,功率5mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844mV·mm-1,并且线性度较好.     

纳米分子化学系统——为分子器件的实现

本书为分子电子学应用的纳米分子系统的专著，即利用单分子作为电路的基本元件的分子电子学的基础。     

Si基光子材料的研究进展

评述了研究开发Si基光子材料的意义，简述了超晶格、能带工程和Si基层质结构的物理机制，介绍了Si基光子材料研究的进展。