以AAO模板为基底可控合成一维碳纳米材料

将不负载任何活性组分的阳极氧化铝模板分别放入两段炉中,700℃下催化裂解乙炔可控合成一维碳纳米材料,反应气氛分别为氩气和氢气;产物通过扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜进行了表征.结果表明:当反应气氛为氩气时,第一段炉中模板表面为相互缠绕的蠕虫状的碳纳米管,其直径在100nm左右,模板孔内为开口的碳纳米管,其直径约为50nm左右;第二段炉中模板表面沉积了密集的碳纳米棒,其形貌规整,棒体很直,散落在模板表面,粗的直径约200nm,细的约100nm,长度短的不到1μm,长的约2.5μm;当反应气氛为氢气时,模板表面沉积了规整的直立碳纳米棒,其长度长的约1μm,短的约为100nm,粒径约为50nm.所合成的碳纳米棒为实心的断断续续的石墨片层组成的波纹状结构.     

碲镉汞纳米材料与器件的LBIC检测技术

介绍一种可用于红外碲镉汞(HgCdTe)材料与器件研究的高分辨率、无损伤光学检测方法——激光诱导电流(LBIC)技术.该技术可以描绘出碲锅汞薄膜材料中具有电活性的缺陷分布图,也可以无须为列阵中的每个像元制作电极就用于探测器像元的检测.利用得到的数据可以推算出p-n结的扩散长度、结深和探测器的品质因子(R0A)及均匀性等许多参数.给出了碲镉汞一些典型参量的LBIC理论与实验结果,说明LBIC检测技术对碲镉汞材料与器件的特性表征起到了十分重要的作用.     

纳米材料制备技术研究进展

综述了近年来在纳米材料制备领域的一些最新研究进展，并对每种制备技术的优缺点进行了比较和评价 。     

CMOS集成电路设计技术探索和分析

CMOS集成电路其本身具有较强的工作性能,并且运行时功耗相对较低,被广泛地应用在电子元器件的设计中。在集成电路技术迅猛发展的情况下,随着芯片集成的强化与电路性能的提高,在对产品进行开发的过程中采用传统方法和手段显然已经不能与快速发展的现代社会相适应了。因此,对集成电路的设计技术进行探索和分析,并不断地进行升级、改造和完善,是其发展的必然要求。该文对CMOS集成电路的特点进行了分析,并且对于其设计技术进行了进一步的探索。     

CMOS射频集成电路的设计

本书是《10^9赫射频（RF）集成电路设计指南》修订后的第二版。自1998年第一版问世后，RFCMOS的商品化突飞猛进，不少公司用CMOS技术制造RF线路，大学也把CMOS作为教学内容，10^9赫频率上的噪声系数在实际线路中已低于1dB，优良的RF器件模型也相继出现……这些都为本书的适时修订提供了充分条件。     

纳米材料及其复合技术

简述了纳米材料的特性，系统地论述了纳米材料、纳米涂层、纳米块体复合成型新技术，同时介绍了国内外籍此技术所取得的新成果。     

基于CMOS晶体管的太赫兹探测器研究进展

随着太赫兹波的广泛应用,太赫兹探测技术成为研究的热点,探测器件主要以肖特基二极管,量子阱二极管,CMOS晶体管为主,CMOS晶体管探测器件具有响应度高,信噪比好,等效功率高等优点.首先介绍了太赫兹探测器的技术指标,接着从结构及材料两方面对近年来CMOS晶体管的改进方案进行了综述对比,最后介绍了太赫兹探测器的应用并对应用前景及未来发展方向进行了展望.     

基于CPLD的CMOS图像传感器的驱动电路设计

在分析CYPRESS公司的IBIS5-A-1300-CMOS驱动时序的基础上,设计了多斜率积分的驱动时序发生器。选用复杂可编程器件（CPLD）作为硬件设计载体,使用VHDL语言对驱动时序发生器进行了硬件描述。采用QuartusⅡ5．0软件对所做的设计进行了功能仿真,针对ALTERA公司的CPLD器件MAXⅡEPM570T144C3进行适配。系统测试结果表明,所设计的驱动时序发生器满足CMOS相机驱动要求,而且在同步快门下还能调节积分时间。     

纳米材料及其复合技术

简述了纳米材料的特性,系统地论述了纳米材料、纳米涂层、纳米块体复合成型新技术,同时介绍了国内外籍此技术所取得的新成果。     

纳米材料制备技术及其研究进展

系统介绍了纳米材料体系中的纳米微控,纳米薄膜和纳米复合材料的制备技术,对各种技术的特点进行了评述,并对纳米材料制备技术的发展趋势做出了展望。     

基于CCD与CMOS图像传感新技术的研究

介绍了CCD（电荷耦合器件）与CMOS图像传感器新技术,对两者的性能特点进行了比较。最后,预测图像传感技术的发展趋势。     

一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态的方法

在纳米CMOS器件中,负栅压温度不稳定性、热载流子注入效应和栅氧化层经时击穿等应力使得Si/SiO2界面产生界面态,引起器件参数的退化.随着CMOS器件不断缩小,这种退化将严重制约器件性能.提出了一种改进的计算纳米CMOS器件中应力产生界面态的方法,能够对应力产生的界面态进行定量描述.该方法在电荷泵基础上测量纳米小尺寸器件初始状态和应力状态下的衬底电流,提取电荷泵电流(Icp),计算出应力产生的界面态密度.测量过程中,脉冲频率固定不变,降低了频率变化所带来的误差.     

纳米时代的源漏Pn结技术

第4届结技术国际研讨会(The 4th International Workshop on Junction Technology：IWJT-2004)于2004年3月15～16日在上海举行。本届会议(IWJT-2004)，由中国电子学会和日本应用物理学会硅技术分会主办，在国家自然科学基金委、上海市科学技术委员会以及复旦大学微电子研究院等的支持下，由复旦大学负责筹办，首次在中国上海召开。随着CMOS器件进入纳米时代，     

基于CMOS图像传感器IBIS5-A-1300的时序设计

在分析CYPRESS公司的IBIS5-A-1300 CMOS时序的基础上,设计了串行、并行两种配置寄存器的模式,完成了多斜率积分、开窗口、亚采样功能.选用复杂可编程器件（CPLD）作为硬件设计载体,使用VHDL语言对驱动时序发生器进行了硬件描述.采用QuartusⅡ5.0软件对所做的设计进行了功能仿真,针对ALTERA公司的CPLD器件MAXⅡEPM570T144C3进行适配.系统测试结果表明,所设计的驱动时序发生器满足CMOS相机驱动要求.     

用于CMOS图像器件的超分辨率算法研究

提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高CMOS工艺水平的条件下,该算法能将重建的CMOS图像的分辨率提高到原图像的2×2倍.实现了CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法.对该算法进行了计算机仿真,结果同理论分析计算的结果完全一致,证明了所提出的CMOS图像器件超分辨率算法是正确的.     

基于CMOS电路的温度计的设计

<正>CMOS数字集成电路品种繁多,包括了各种门电路、编译码器、触发器、计数器和存贮器等上百种器件。1.常用特性(1)工作电源电压。常用的CMOS集成电路工作电压范围为3～18V(也有7～15V的,如国产的C000系列),因此使用该种器件时,电源电压灵活方便,甚至未加稳压的电源也可使用。(2)供电引脚。(3)输入阻抗高。CMOS电路的输入端均有保护二极管和串联电阻构成的保护电路,在正常工作范围内,保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入     

纳米材料在润滑技术中的应用

综述了润滑纳米粒子添加剂的相关特性、应用效果和抗磨减摩机理，并探讨了纳米材料在润滑技术领域析研究和应用进展。     

基于CMOS传感器的简易电子白板应用研究

提出了一种基于CMOS传感器技术来实现电子白板功能的设计方案。该方案以CMOS传感器与蓝牙为硬件平台,利用虹外定位技术实现电子白板功能。文中描述了该简易电子白板的硬件的设计,以及软件处理的主要流程。该装置具有体积小,成本低,使用灵活方便的特点。     

纳米结构与纳米材料：合成、性质与应用

本书介绍了纳米结构和纳米材料的合成与制造，包括性质与应用，特别是无机物纳米材料。对于零维、一维和二维的纳米结构以及特殊的纳米材料（碳纳米管、有序中间多孔氧化物），以及在化学工艺和光刻技术这两个方面的应用作了介绍。     

纳米材料在水处理中的应用

本文从纳米TiO2光催化技术、纳米TiO2光电催化技术两个方面介绍了纳米技术在水处理中应用的原理和特点,讨论了崭新的纳米水处理技术的应用前景。