BP神经网络的硬件实现

本文提出了一种采用MOS晶体管的电流模式连续时间模拟BP（Backward Propagation）神经网络的硬件实现新方法。硬件系统适合利用VLSI技术,具有片内误差反向传播学习功能,能简化BP新算法修正权值,对所设计的电路提供了PSPICE仿真结果,结果表明硬件实现方法的可行性。     

基于相似矩阵的OTA全集成有源滤波器的设计

研究了全集成连续时间有源滤波器的设计方法，给出了基于实对称相似矩阵理论的跨导运算放大器(OTA)有源滤波器设计方法、由于该方法基于双端接载的LC梯形原型和一般网络理论，所设计的电路主要由OTA和接地电容组成，不易受分布电容的影响，具有稳定性好、灵敏度低及集成度高等特点．给出的设计实例显示该方法可用于实现片上系统集成。     

电流模式双二阶滤波器的基本CMOS OTA实现

针对采用多输出跨导运算放大器(OTA)实现电流模式滤波器频率受限问题,提出了一种基于只有一个输出端的基本跨导运算放大器及电容的连续时间电流模式双二阶滤波器的最简实现方案;讨论了跨导运算放大器的非理想特性对电流模式滤波器的性能影响;面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真,仿真结果表明所提出的滤波器电路在不加任何补偿措施的条件下,其特征频率可以达到5 MHz.     

一种求解线性规划的神经网络

提出了一种新的求解线性规划的神经网络及其有源跨导－Ｃ实现。其特点是结构简单，便于采用ＣＭＯＳ工艺集成。     

无电流传感器的电流控制调宽式开关整流器

介绍一种新型单相开关整流器的控制方案。它采用有源电流波形整形技术，控制输入电流连续导通，其控制开关的周期是固定的，导通时间的大小是根据输入电流的斜率进行调控。它具有不需要电流传感器、线路功率因数高和电路简单等特点。该控制方案的理论分析和实验结果都证明其可行性。     

具有混合时变时滞不连续激活函数神经网络的耗散和有限时间同步研究

本文研究了具有混合时变时滞不连续激活函数神经网络的耗散性和有限时间同步问题。首先,在推广Filippov微分包含理论的框架下,利用广义Halanay不等式和矩阵测度的方法,证明了神经网络Filippov解的全局耗散性。其次,利用不等式和一些分析技术,设计了时滞无关不连续反馈控制器,实现了神经网络驱动系统与响应系统的有限时间同步。最后,通过几个算例验证了理论结果的有效性和正确性。     

全集成连续时间滤波器研究的进展

全集成连续时间滤波器是近年来模拟VLSI(超大规模集成电路)技术取得最重要进展的领域之一,也是当今国际上的前沿课题。它的诞生向传统的连续时间信号处理技术——开关电容技术和数字滤波技术,提出了强有力的挑战。本文综述了这一研究领域的发展现状;评述了近年来的新进展;并展望了这一研究领域的发展和应用前景。     

一种改进跨导运放的采样保持电路

摘 要：采样保持电路的信号精度和建立速度直接影响到整个流水线型模数转换器的分辨率和转换速率。本文改进了辅助运放的共模反馈结构,解决了传统结构中跨导运放连续时间共模反馈（CMFB）电路设计困难,偏置电路复杂的问题,使用工作在饱和区边沿的MOS管对实现反馈结构,使输出共模电平在1.65v快速稳定。该采样保持电路基于0.5μm 2P3M CMOS工艺,使ADC达到了10位,40MHz的性能,一级采样电路在3.3V的电压下其功耗为6mW。     

不连续时滞分数阶忆阻神经网络的非线性动力学分析

提出一个具有不连续忆导函数的时滞分数阶忆阻神经网络模型,通过数值仿真研究其复杂非线性动力学行为。首先提出了不连续分数阶忆阻神经网络的数学模型;其次,分别将初值、分数阶及开关阶跃作为分岔参数,通过分岔图、相图、庞加莱截面等数值分析手段验证了其典型的动力学行为。研究表明:不同于传统的倍周期分岔通向混沌的道路,该不连续忆阻神经网络通往混沌的道路为阵发混沌。另外,还揭示了不连续的忆导函数和开关阶跃对分数阶忆阻神经网络动力学行为的内在影响机制。     

集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考.     

一种改进跨导运放的采样保持电路

采样保持电路的信号精度和建立速度直接影响到整个流水线型模数转换器的分辨率和转换速率.本文改进了辅助运放的共模反馈结构,解决了传统结构中跨导运放连续时间共模反馈（CMFB）电路设计困难,偏置电路复杂的问题,使用工作在饱和区边沿的MOS管对实现反馈结构,使输出共模电平在1.65 v快速稳定.该采样保持电路基于0.5 μm 2P3M CMOS工艺,使ADC达到了10位,40 MHz的性能,一级采样电路在3.3 V的电压下其功耗为6 mW.     

300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺

本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V_(GS)=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。     

高阶神经网络与二阶隐马尔柯夫模型的统一的数学模型

随着VLSI技术的迅猛发展,对神经网络与隐马尔柯夫模型(HMM’s)之问的关系研究已成为信息处理领域的一个重要的研究方向.在分析高阶神经网络和二阶HMM’s的结构及算法的基础上,提出了这两种模型的统一数学模型,从而为这两种模型的systolic设计奠定了基础.     

一种高线性可调CMOS OTA的设计

基于理想MOS（金属氧化物半导体）模型的基础上设计一种高线性全差分对CMOS（互补金属氧化物半导体）OTA（跨导运算放大器）。这个电路主要由一个交叉耦合单元和一个源极耦合差分对构成,同时用到了电流镜技术。结果,它具有良好的线性输入和线性可调范围。此电路结构简单,便于集成。     

基于非连续控制协议的切换耦合神经网络有限时间二分同步

该文考虑了符号图下具有非连续激活函数的切换耦合神经网络有限时间二分同步问题.基于Lyapunov稳定性理论,针对结构平衡图和结构非平衡图,分别设计了相应的非连续控制协议,获得了耦合网络实现有限时间二分同步的判别准则.借助微分包含与集值李导数理论,保证了耦合非连续神经网络在非连续控制协议下的有限时间同步,获得了收敛时间的...     

基于噪声消除的低噪声放大器架构

提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.     

高增益、恒跨导Rail-Rail CMOS运算放大器设计

设计和研究了一种高增益恒跨导Rail-Rail CMOS运算放大器,输入级采用工作在亚阈值区的互补差分形式输入结构。与以往输入结构相比,不仅使输入共模电压达到Rail-Rail,而且降低了工作电压,提高了电源利用率。利用电流开关的作用使输入跨导在输入共模范围内恒定。中间级为MOS差分结构,并且同向驱动输出级使其具有推挽特性。采用嵌套米勒频率补偿使运算放大器稳定。整个电路采用华虹0.35μmCMOS工艺参数进行设计,工作电压为3.0 V。利用OrCAD HSPICE仿真结果显示,在10 kΩ电阻和5 pF电容的负载下,运算放大的直流开环增益为110 dB,相位裕度为70°,单位增益带宽为45 MHz。     

基于Oustaloup算法的分数高阶有源滤波器研究

在比较分析了连分数展开法和Oustaloup算法特点的基础上,提出了一种基于Oustaloup算法并利用电可调跨导运算放大器(EOTA)来实现的分数高阶有源滤波器设计方法.分数阶是用整数阶传递函数逼近分数阶拉普拉斯算子Sα的方法实现,0<α<1.将Oustaloup逼近算法用EOTA实现从而解决了连分数展开法的不稳定问题.仿真实现了α为2.2、2.5、2.8阶时的低通滤波器频率响应,通带内未出现尖峰,阻带内衰减误差小于2%,结果证实了理论分析的正确性,这为设计实现高精度有源滤波器提供了理论依据.     

参数不匹配的时滞忆阻神经网络的指数同步

研究了参数不匹配情况下时滞忆阻神经网络的指数同步控制问题。由于忆阻神经网络连接权重的切换特性,相较于传统的连续神经网络,其同步控制更加困难。首先利用微分包含和集值映射理论,将不连续的忆阻神经网络转化为带有区间参数的不确定系统。其次,设计了新的切换控制器,该切换控制器能够消除参数不匹配产生的同步误差。然后,通过选取合适的李雅普诺夫泛函,利用不等式放缩技术得到了两个忆阻神经网络取得指数同步的充分条件。最后,利用一个数值模拟算例验证了理论结果的正确性。     

液晶显示器和液晶电视

本文介绍了液晶显示器的基本结构和寻址方式。详细讨论了有源矩阵液晶显示屏的基本原理和特点,并对由MOS管寻址的液晶显示屏以及由其组成的液晶电视进行了分析和研究。