桐油酰胺的合成及温敏性谱学研究

以桐油和二乙醇胺为主要原料,反应制备桐油酰胺.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼光谱对桐油的结构进行表征,并进行了谱带归属;用傅里叶变温红外光谱(temperature-dependent FTIR)对合成产物的温敏性、谱带变化和双键变化进行了研究.结果表明:1630 cm~(-1)和991 cm~(-1)为桐油的红外和拉曼特征吸收峰;25～225℃范围内,桐油酰胺变温红外光谱在1737 cm~(-1)(—C=O—)处吸收峰的吸光度随着温度升高而逐渐增大;温度高于125℃,991 cm~(-1)处的—CH=CH_2键断裂,产物发生分解;找出了桐油酰胺应用的温度条件.     

L——鼠李糖的变温远红外光谱研究

用付立叶变换红外光谱研究了L—鼠李糖的变温远红外光谱,发现糖类分子在远红外区有许多特征吸收峰.当温度低到60℃时,光谱几乎无变化;65℃时,各峰强度大大减弱,但没有峰消失;75℃时,有7个峰消失.这些消失的峰与体系中氢键振动和晶格振动有关,反映了体系中分子的构象变化.     

多元醇PG-AMP二元体系相图的构筑

利用差示扫描量热(DSC)、X射线衍射和变温红外光谱技术对三羟甲基乙烷(PG)和2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇(AMP)构筑了二元体系相图.由PG-AMP二元相图可知,在一定的组成范围内相图中存在2个低共析温度和1个转熔温度,分别为51,62和137 ℃.随着温度的升高,多元醇发生固-固相变,分子间存在的氢键逐渐受到破坏,从而使得-OH伸缩振动的特征吸收波数向高波数发生突跃.变温红外光谱测得的-OH特征吸收峰位移发生突跃的温度区间恰好与体系各自DSC测得的相转变温度相吻合.     

Zn_2TiO_4晶体的原位变温拉曼研究

研究了Zn_2TiO_4晶体在不同温度(-166℃~544℃的温度范围)下的拉曼光谱,分析了Zn_2TiO_4晶体拉曼光谱随温度变化的规律.研究表明,Zn_2TiO_4晶体的拉曼谱峰位不同程度的向低波数频移,半峰宽逐渐变宽,相对强度发生改变,位于200~600 cm-1之间的拉曼振动模式由于共振相对强度增强,拉曼峰强占据了主导地位.此外,基于多面体的近似,通过变温拉曼谱研究了Zn_2TiO_4晶体的热膨胀系数.     

GaN基量子阱蓝光LED的光学特性研究

在5.6K和300K温度下,Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱表现出不同的发光特性。分析结果表明:5.6K温度下,量子限制斯塔克效应是Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因;300K温度下,非辐射复合首先影响Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱,非辐射复合被屏蔽后,量子限制斯塔克效应成为Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因。     

脂肪酸二元体系固-液相变热性质的研究

用 DSC和变温红外光谱技术研究了月桂酸、棕榈酸、硬脂酸及其二元体系的固 -液相变 .在固 -液相变温度范围内的红外光谱移动表明脂肪酸的固 -液相变与分子内的氢键有关 .其二元体系的固 -液相变温度为 ( 32 .84± 0 .71 )℃ ,转变热为 1 4 6.5～ 1 95.1 J/ g.     

CaAlSiN3:Eu红色荧光薄膜发光和热效应

基于高温热压工艺制备不同CaAlSiN3:Eu荧光粉浓度的红色荧光薄膜,与蓝光芯片封装成红膜LED.在环境温度为20℃条件下,采用紫外-可见-近红外光谱分析仪研究红膜LED光色参数随荧光粉浓度和芯片输入功率的变化规律,并进行理论分析,进一步基于有限元仿真FloEFD与红外测温仪研究薄膜温度随荧光粉浓度和芯片输入功率的变...     

不同温度对沙棘种子发芽率和胚根生长量的影响

为了解不同温度对沙棘种子发芽率和胚根生长量的影响,本实验在水、气、光照等适宜条件下,在20℃2、5℃、30℃恒温条件和20~30℃变温条件对沙棘种子分组培养,记录始发芽天数和对应的胚芽长度,并进行生物统计学分析。结果表明,沙棘种子最适萌发温度为20~30℃的变温;就根生长量来看,在20~30℃时,沙棘种子随温度的升高,胚根生长加快。本实验摸索出沙棘种子最佳发芽率及胚根生长长度与温度的关系,为生产指导提供依据。     

基于半导体制冷的大功率LED温度控制系统

采用半导体制冷技术对大功率LED主动散热,设计并搭建了以微控制器(STC89C52)和半导体制冷器(TEC1-12703)为核心的大功率LED温度控制系统,实现了温度的测量、显示、设置及控制。该温控系统的控制部分输出不同占空比的PWM波,控制半导体制冷片驱动电流的大小,从而达到不同的制冷效果,完成温度控制。实验结果表明,当环境温度为22~25℃时使用该系统对7×3 W的LED模组进行温度控制,可使LED模组的基板温度稳定在40~70℃。LED基板的上、下极限温度分别设置为64℃和65℃时,实际制冷所消耗的功率只有LED工作功率的27%。该系统制冷速度可达14℃/min,温度波动仅为±0.5℃,满足LED散热的需要。     

多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究

【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构GaN材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构GaN的发光机制。【方法】对样品进行变温光致发光谱测试,从发光强度和发光峰位两个角度研究样品的发光机制。【结果】在10～300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K时出现峰值波长为361nm的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm附近带边发光光子能量与温度的变化规律与Vanshni经验公式吻合,369nm附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈"S"型。