电化学C-V测量AlGaInP LED 外延片中载流子浓度的分布

在实验的基础上，总结了电化学C-V的一些测试经验，提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液-0.5mol HCl浓液，综合利用平带电位值(F.B.P），耗散因子和测量电流等3个测量判据，合理选取测量电压，腐蚀电流等测量参数，获得了速度快，重复性好和数据准确可靠的测试效果。     

硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响

采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD 法生长金刚石薄膜.对CVD 金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表明:金刚石膜结构致密,硼掺杂有利于改善膜质量,膜中载流子浓度随着掺杂浓度的提高不断提高.     

磷砷化镓外延层中磷含量的光电压法测定

磷砷化镓外延片是当前电注入发光器件的主要材料。它的磷与砷克分子比,对所作发光器件的特性,特别是发光的波长与亮度,有很大的影响。由于磷砷化镓外延层中的磷是取代了砷的位置,形成置换式固溶体。因此,通常只要测出磷的百分比,即可获知磷砷的克分子比值。     

减小载流子浓度波导的特点

本文介绍了集成光学的基本设想,讨论了集成光路中简单而最为常用的、利用减小载流子浓度的方法制作的平板波导的结构、原理及其特点,说明了GaAs材料在集成光路中,是实现全部光学功能的优质材料,具有广阔的发展前景。     

压力波动吸附过程中变压时间对气相浓度的影响

本文从理论上考察了压力波动吸附过程中变压时间效应，在简单初始条件下推导了其气相浓度的数学表达式，与用正交排列法所求解值相符。此次，我们使用了线性推力模型。与此，详细考察了变压时间是否影响各种传质系数下的气相浓度研究。研究表明，时间并不影响气相中两种极端情况下，即很大或很小传质系数的浓度作用，但时间对于小的传质系数影响较大。同时还详细讨论了变压步骤情况。     

退火对p 型GaP 和p 型AlGaInP载流子浓度的影响

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.     

载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响

采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。     

空穴浓度和基底对金属基外延石墨烯态密度的影响

以吸附在金属铜基底上的外延石墨烯为例, 研究了空穴浓度随温度的变化,探讨了空穴浓度和基底以及温度对金属基外延石墨烯态密度的影响。结果表明：(1)空穴浓度随温度升高而非线性增大,铜基底外延石墨烯的空穴浓度随温度的变化率小于石墨烯的相应值;(2)与石墨烯相比,基底的存在使铜基外延石墨烯的空穴浓度随温度的变化要迅速增大,态密度在电子能量为0时的值要增大,而态密度极大值相应的电子能量（称为最可几能量）变小;(3)铜基外延石墨烯的态密度随空穴浓度的增大和温度的升高而减小,其中,随空穴浓度的变化为线性,而随温度的变化为非线性。     

电致发光有机薄膜中空间电荷对载流子密度的影响

通过对有机半导体发光器件(ITO／PPV／AL)中载流子传输特性的研究，分析了空间电荷对器件中电流的影响。对电流密度J与薄膜厚度d的关系进行了分析。并讨论了获得较高的电致发光效率所用的薄膜的厚度变化范围和掺杂的影响。     

电致发光有机薄膜中空间电荷对载流子密度的影响

通过对有机半导体发光器件(ITO/PPV/AL)中载流子传输特性的研究,分析了空间电荷对器件中电流的影响,对电流密度J与薄膜厚度d的关系进行了分析,并讨论了获得较高的电致发光效率所用的薄膜的厚度变化范围和掺杂的影响．     

半导体PN结与晶体管中载流子运动形式的讨论

晶体管中ＰＮ结的Ｐ型区和Ｎ型区载流子浓度差别很大，从这一事实出发分析晶体三极管的电流放大作用，提出了载流子在基区的运动是漂移而不是扩散的观点。     

不同活性污泥中污泥质量浓度对沉降性的影响

为了考察污泥质量浓度对活性污泥沉降性的影响,采用100 mL量筒进行批沉降试验,分别研究了不膨胀污泥、丝状菌膨胀污泥和非丝状菌膨胀污泥在不同质量浓度下的沉降性能.结果表明,当质量浓度过低时,所有污泥都具有沉速快,泥水分界面模糊,沉后上清液浑浊的特性.当质量浓度升高时,沉速都会减慢,且泥水分界面分别因拥挤沉淀(不膨胀污泥)和交联分离(膨胀污泥)作用而变得清晰.当用污泥沉降比(SV)来表征沉降性时,不膨胀污泥对质量浓度变化敏感,而膨胀污泥则一直保持在90%以上.当用污泥容积指数(SVI)来表征沉降性时,对不膨胀污泥取沉降60 min的SVI可消除质量浓度的影响.对膨胀污泥需要设定一个特定质量浓度下的标准值,其他质量浓度下的SVI按照反比例关系换算到该质量浓度下再进行比较.     

硅外延工艺中HCl气相腐蚀技术研究

主要对硅外延工艺中的HCl气相腐蚀原理以及HCl气腐对外延工艺的作用进行了分析。从HCl腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCl气腐对外延层影响的规律。     

硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究

主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律.     

一种复合掺杂方式对石墨烯载流子浓度的调制

石墨烯显著的优点是其载流子浓度极易调控.目前已经发展出很多载流子浓度调控方法,其中栅压调节是应用最广的一种手段.但是在实际应用中,栅压也有一定的局限性.例如一些设计电路、测试仪器并不能承受几十甚至上百伏的高压.最近出现一种电子束辐照掺杂的方式,可以局域、连续地调控石墨烯载流子浓度,但调控范围较小.这里应用硝酸掺杂结合电子束辐照的复合方式,实现了石墨烯载流子浓度的大范围、连续调控.通过分析扫描近场光学显微镜和电输运测试结果,发现此复合方式可以将石墨烯载流子浓度从2.15×10¹³ cm^-2调控至-1.49×10¹² cm^-2,效果相当于常用的300 nm二氧化硅介电层320 V的栅压变化.另外,通过电子束曝光可以将石墨烯加工成预设的电子图案.这种简单、高效的复合掺杂方式有着非常广泛的应用前景.     

混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算

针对混合掺杂情况下的半导体材料,运用费米分布函数对其载流子浓度进行计算,推导出了一般情况下的电中性方程,对所推导出的电中性方程进行计算机数值求解,得到了对应不同材料、不同掺杂浓度、不同温度时的载流子浓度。对于计算中可能出现的溢出问题进行了妥善处理,并采用预划分积分区间的办法,加快了费米积分的计算速度。文中所提出的计算方法对于简并半导体和非简并半导体均适用。     

不同浓度乙醇对总黄酮提取率的影响

菊花总黄酮具有降压、降脂作用,本文采用水、70%、95%乙醇热回流法、对菊花中的总黄酮进行了提取,及含量测定。结果表明:95%乙醇提取效率最高,70%乙醇及水提取效率尚可。     

不同运动形式对血清睾酮的影响

本文的研究目的是调查体育系和其他男大学生在耐力练习(1500m)和力量练习时的血清睾酮浓度的反应及差异,以探讨不同体能水平,不同运动形式对运动时垂体—睾丸系统的影响。     

不同浓度肥料对一品红生长的影响

通过调查株高、茎粗、分枝数、叶片数、红叶片数等生长指标,对4种不同浓度肥料的施用对一品红生长发育的影响进行了对比试验。结果表明:4种不同浓度肥料的施用对一品红生长发育的影响有明显差异,其中以N-P-K(mg/L)=260-80-200浓度的肥料配比栽培效果最好。