新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境     

CZ3-1、CZ3-3复合型缓蚀剂的研制与应用

为解决磨溪气田的腐蚀问题,研制了油溶性成膜缓蚀剂ＣＺ３－１与水溶挥发性缓蚀剂ＣＺ３—３,并将其复配使用．在室内采用常压、８０℃静态试验和高压（高Ｈ２Ｓ气体分压、高ＣＯ２气体分压）、８０℃静态试验评价了ＣＺ３—１和ＣＺ３—３复合使用时于含Ｈ２Ｓ、ＣＯ２、Ｃｌ－及高矿化度等腐蚀介质中的缓蚀作用;在现场试验中采用了加拿大卡普罗克（ＣａＰｒｏｃｏ）腐蚀监测系统考察了ＣＺ３—１和ＣＺ３—３复合使用时对气井地下管串及井口设施的缓蚀效果．室内评价及现场监测均表明ＣＺ３—１和ＣＺ３—３复合使用时在含Ｈ２Ｓ、ＣＯ２、Ｃｌ－及高矿化度等腐蚀介质中有良好的缓蚀效果．     

葡萄糖氧化酶发酵工艺的研究

本文通过摇瓶实验确定了自选青霉菌株Ｚ—Ｉ—Ｃ分批发酵生产葡萄糖氧化酶（ＧＯＤ）的适宜工艺条件，并在２．６立升台式发酵罐中进行了小试，监测了发酵过程中溶氧（ＤＯ）、ｐＨ、还原糖、菌体干重（ＤＣＷ）、氨基氮（ＮＨ２－Ｎ）和酶活等工艺参数的变化规律，为进一步提高ＧＯＤ的发酵产率提供了依据。     

Sol－Gel法制备ZrO_2超微粉末的反应机理研究

以自制Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４和Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３为原料，应用溶胶－凝胶法（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）制备了ＹＳＺ（ＺｒＯ２－９ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）凝胶和超细粉末．研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ形成机理以及ｐＨ值对胶凝时间和凝胶结构的影响．通过ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ等分析手段，研究了从干凝胶到ＹＳＺ超细粉末过程中的反应机理．实验证明：反应可分为３个阶段，钇稳定立方相ＺｒＯ２的合成温度在４７０℃左右     

SiCp／ZA-27复合材料SiC颗粒预处理工艺研究

对ＳｉＣ粒子进行子多种预处理工艺试验,得出ＳｉＣ粒了在９２０℃高温焙烧氧化,再在ＨＦ酸（１．５ｖｏｌ．）％）与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺,处理后的ＳｉＣ颗粒能较易分散到含镁的ＺＡ－２７合金流中,用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ测定和分析了预处理前后ＳｉＣ表面状态,得出ＳｉＣ颗粒表面物理,化学吸附的气体是阻止其分散进入ＺＡ－２７合金流的主要原因,ＳｉＣ表面的微     

新型双氧钒─西佛碱配合物的合成及晶体结构研究

本文以苯甲酰丙酮、吉拉尔特试剂Ｔ及（Ｃ２Ｈ５）４ＮＶＯ３为原料在无水乙醇溶液中合成了一种新型的钒─西佛碱配合物，用ＤＭＤＭＳＯ溶剂进行重结晶，得到结构式为［ＶＯ２（ＰｈＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＣＨ３）ＮＮＣ（Ｏ）ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）３）］０．５ＤＭＳＯ的黄色晶体。该晶体属三斜晶系，空间群为Ｐ１，晶胞参数α＝９．８４３（２），ｂ＝１４．１３０（２），ｃ＝１５．９４０（３）Ａ；α＝６７．３７（２），β＝８０．０８（３），γ＝８９．２４（３）°；Ｖ＝２０１２．２Ａ３，Ｚ＝４．结果表明，配合物分子中存在一个顺式构型的ＶＯ＋２基团，其中钒原子与配体的两个氧原子及一个氮原子配位，分别形成了一个五员环及一个六员环，使中心离子以（ｖ）的配位数达到５，形成畸变的三角双锥构型。     

八丁氧基2,3-萘酞菁钴(Ⅱ)配合物的光谱与电化学性质

测定了八丁氧基萘酞菁钴（Ⅱ）配合物（Ｃ４Ｈ９Ｏ）８ＮＰｃＣｏ（Ⅱ）在５种有机溶剂（ＤＭＳＯ、Ｐｙ、ＤＭＦ、ＣＨ２Ｃｌ２、Ｃ６Ｈ１２）中的电子吸收光谱和荧光光谱,以及在ＣＨ２Ｃｌ２中的循环伏安图,并研究了该化合物的光谱性质与其结构的关系．     

助剂及载体对MoO3.MxOy／SiO2催化剂性能及甲烷部？…

在常压下,以氧气为氧化剂,用两种不同制法的载体分别制备催化剂,用于甲烷部分氧化反应,对比结果表明用醇盐法所制ＳｉＯ２（ＺＳｉＯ２）做成的催化剂比用市售ＳｉＯ２（ＱＳｉＯ２）做成的催化剂反应活性和选择性好,助剂Ｖ２Ｏ５加入提高了ＣＨ４转化率和ＣＯ２,ＣＯ选择性,降低了ＨＣＨＯ产率和选择性,Ｂ２Ｏ３加入提高了ＣＨ４转化率,ＨＣＨＯ产率和其选择Ｖ２Ｏ５和Ｂ２Ｏ３的加入使ＭｏＯ３与ＺＳｉＯ３发生了不同的相     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

烯甲酰化反应及其立体化学的再研究

用ＤＭＦＳＯＣｌ２和ＤＭＦＰＯＣｌ３均能使莰烯甲酰化，所得ω甲酰基莰烯中均以Ｅ型异构体为主．随着甲酰化反应温度降低，Ｚ型ω甲酰基莰烯的得率有所增加．     

异Vc生产中双效蒸发器化学清洗新工艺

针对异Ｖｃ生产中双效蒸发器上料垢不易清洗的问题，采用淋膜式清洗与浸泡式清洗相结合，用两种清洗剂交替进行，完成化学清洗的新工艺。清洗剂用量仅为全浸式清洗的３０％，清洗工作在２４ｈ内完成，清洗率达１００％。     

谈我国北方城市冬季压实积雪清除工作现状及发展

在我国，城市道路压实积雪的清除一直是一个没有很好解决的问题．目前除雪工作仍要靠人工劳动．近几年虽然先后有一些除雪机问世，但由于种种原因并没有形成产品投入生产和使用．本文对我国目前除雪工作现状及发展提出几点看法，同时对国外情况作一简单介绍．     

双风道清选装置在轴流脱粒机上的应用

本文介绍了双风道清选装置（由一个带双出风道的离心风机和一层筛子组成）在轴流脱粒机上的应用，试验表明：这种清造装置结构简单，清选性能好。     

(非水溶液)干洗洗涤剂的研制

研制了一种以表面活性剂为主的(非水溶液)干洗洗涤剂,通过比较,测试,证明该干洗剂具有良好的去污能力和较理想的色泽外观及安全性能.     

顶送单侧下回气流组织在1000级洁净室中的应用

结合一工程实例，本文提出了１０００级洁净室采用顶送单侧下回气流组织的设想，给出了该气流组织下换气次数和常规气流组织下换气次数的关系，分析了该气流组织用于小面积１０００级洁净室的经济性、实用性和节能性。根据实测结果，描述了新型气流组织下洁净室浓度场和净化效果，并对适合于这种气流组织的１０００级洁净室面积作了计算。     

长输管线清洗研究与应用

对卞杨长输管线污垢类型进行分析,并从化学清洗方法的角度对清洗剂的组成作了讨论。室内实验结果表明:低浓度无机酸—盐酸对污垢有较好的清洗能力;酸液浓度,清洗温度等对清洗有很大影响;清洗剂中氧化剂的添加可有效控制有害气体—硫化氢的生成。     

氧化铝生产过程结疤溶解的研究

以长城铝业公司全国科技招标项目“氧化铝生产过程结疤高效、快速清理技术”为研究课题，采用不同溶剂进行正交实验对结疤试样进行溶解，研制出一种高效溶剂，并对溶剂使用温度、流速缓蚀剂进行实验，确定了最佳工艺条件。该化学清洗结疤技术与传统处理方法相比，清洗彻底，溶垢率达95％以上；清洗时间缩短，10h即可完成；清洗效果符合《工业设备化学清洗质量标准》。该项技术应用于氧化铝生产，可显提高劳动生产率和经济效益。     

一种可方便壳程清洗的管壳式换热器

该文提出了一种可方便壳程清洗的管壳式换热器,该换热器用喷淋定距管取代定距杆,并加装了排污短接管,从而实现壳程的不抽芯清洗,克服了普通管壳换热器壳程难于清洗的难题.因而,对于换热器提高使用效率、降低清洗维护成本、延长使用寿命具有重要意义.     

陶瓷过滤器脉冲反吹过程中流动参数的测量与分析

在由三根陶瓷滤管组成的过滤器实验装置上，采用压电式压力传感器和热线风速仪分别测定了脉冲反吹过程中滤管内、外动态压力和滤管外瞬态流场。实验结果表明，在脉冲反吹即将终止而过滤过程尚未开始的过渡过程中，滤管内存在严重的低压区，滤管外存在较大的回流区，此时部分原已离开滤管壁的粉尘重新沉降在滤管壁上甚至穿嵌于滤管壁内，严重妨碍了刚性陶瓷过滤器的长周期稳定运行     

测试井数据资料的数据清洗技术研究

针对测井和试井资料中存在数据质量的问题,提出了一种基于聚类分析和神经网络预测技术的数据清洗新方法。该方法首先检测测试井数据中存在空缺项的记录数据,对无空缺数据项的记录数据采用模糊聚类分析技术进行数据分类,再对各类数据分别进行蚁群聚类分析和神经网络学习并矫正噪声数据。将该数据清洗方法运用到试井分析中进行检验,取得了良好的效果。为提高测试井数据质量进行正确的解释评价提供了保证。