高压硅整流元件高温耐压影响因素的研究

本文分析了硅整流元件的基区电阻率、基区厚度和反向漏电流对高压硅整流元件高温耐压特性的影响,提出了改善高温耐压特性的关键是降低表面漏电流、正确选用基区电阻率及及采用归一化基区的设计思想.文中还对不同归一化基区元件在不同温度下的击穿机理进行了分析。     

获得高耐压P—n结的有关工艺技术

从节省能源的意义出发,大功率硅整流元件和晶闸管的制造及应用在国民经济中占有不可低估的作用。元件的高压化、大电流化、快的开关速度化将成为今后大功率半导体器件的明确发展方向。在高耐压化、大电流化、快的开关速度化特性中,其中高耐压化受工艺技术难度的影响比较大。目前,就国际水平范围内,超4000伏耐压也还很不普遍。为了突破大功率半导体元件高耐压的问题,我们的实验室试做了3000—4000伏耐压的 p-n 结,并以此为基础,对有关工艺技术问题做些探讨。     

硅整流发电机的电压调节器

JFT201C 晶体管电压调节器,是我厂 JF1000Y 型硅整流发电机的配套产品。二年来,经几次改进,在长期的实船使用中证明该调节器具有稳压性能好,调节方便,维护检修简单等一系列优点,配合发电机能满足渔船的蓄电池充电,直接对鱼探仪和照明供电等多用途的需要。硅整流发电机由于本身的饱和特性和硅整流元件的单向导电性,过流和倒流的情况不会     

10KV以下的变配电安装工程

变配电工程主要是对所安装的全部电器设备而言,包括变压器、各种高压电器和低压电器.高压电器包括高压开关柜、高压断路器、高压隔离开关、高压负荷开关、高压熔断器、高压避雷器等;低压电器包括低压配电屏、继电器屏、直流屏、控制屏、硅整流柜等,还包括室内电缆、接地母线等.     

状态变量分析法在整流系统谐波分析中的应用

本文采用将线性系统和非线性系统撕裂开来的方法,应用网络拓扑理论分别对线性电网系统和非线性整流器子网络进行了状态分析,建立了各自的状态方程,并综合形成了可控硅整流系统的电子计算机传真模型,通过对整流系统高次谐波电流。电压的分析计算,作出了在满足规定的电压畸变率要求下,整流装置容量与系统短路容量配合的关系曲线,并且得到了含容性元件的整流系统中,系统谐波电流畸变率DFI_n与整流装置换向角u的关系的新概念。     

JFT1401型晶体管电压调节器

本产品配合硅整流发电机共同工作,能将发电机输出电压稳定在特定的范围内,是电磁式电压调节器更新换代的理想产品。它具有无机械触点,无磨损,经久耐用,能自动调节对蓄电池的充电电流,延长蓄电池的使用寿命等特点。能与JF132、JF112、JF11、JF15、JF21、JF13等14伏硅整流发电机配     

油气分离器内整流元件分离流场的数值模拟

为探讨分离器内整流元件的性能优劣,应用标准к-ε模型和多相混合模型,对油气分离器内整流元件分离流场进行了三维数值模拟.通过比较含有4种不同整流元件的分离器内部流场中速度矢量和各相体积分数分布,并与没有整流元件的分离流场进行对比,得到了不同构件的整流特性.研究结果表明,整流元件具有稳定流场、降低流速、抑制涡流的优点,其中田字型板整流元件效果最优,横向平行板次之,而同心圆筒板整流元件的整流效果较差.     

提高500A 2KV风冷硅整流元件质量的若干问题

本文阐述了提高500A、2KV风冷硅整流元件质量的三个问题:提高500A、2KV以上管芯成品率;提高整流元件表面的稳定性;提高整流元件的电流过载能力。应用电子计算机计算分析了元件功率损耗及结构参数对过载瞬时最高结温的影响。根据过载瞬时最高结温和元件的高温特性,初步分析了元件的极限过载能力。     

聚吡咯-聚苯胺同型异质结的整流特性

在电化学氧化聚合的p-型聚吡咯薄膜与化学氧化聚合的可溶性p-型聚苯胺涂层之间的接触界面处,观察到了同型异质结整流效应,整流比为30(0.8V),其伏-安特性符合电子扩散理论结果。     

高压控制装置在多晶硅还原炉的设计及应用

介绍了一种用于多晶硅生产用的还原炉高压控制装置。该装置能够实时检测硅芯中的电流和其变化趋势,自动调整施加在硅芯上的电压,从而实现多晶硅生产中高压控制和预加热阶段的自动化控制,并最终实现与中压加热设备的可靠衔接。     

电子管伏-安特性曲面部份区域表示法

1、前言每一电子管有一伏-安特性曲面。通常为使用方便起見,就将这一伏-安特性曲面上的某一伏-安特性曲线族实測出来,描繪在一平面上,以便使用。用图解法可以在伏-安特性曲綫族上求得某些問題的結果。但对于理論研究,则用图解法殊难滿足要求,因此不得不将电子管的伏-安特性曲面用数学式代表之。电子管(自此以下都是指真空管)的伏-安特性曲面的数学表示式有很多种,散見于各有     

高压硅整流变压器常见故障分析

本文简要的对现代火力发电企业中普遍采用的高压硅整流变压器常见故障、原因和检查方法作了阐述。     

1OKV以下的变配电安装工程

变配电工程主要是对所安装的全部电器设备而言，包括变压器、各种高压电器和低压电器。高压电器包括高压开关柜、高压断路器、高压隔离开关、高压负荷开关、高压熔断器、高压避雷器等；低压电器包括低压配电屏、继电器屏、直流屏、控制屏、硅整流柜等，还包括室内电缆、接地母线等。     

风冷高压、大电流硅元件热管散热器设计与性能试验

本文新设计的纤维干道吸液芯热管,液体传输和传热性能高,热管工作特性有满意的再现性和制作工艺上的仿制性。这种大功率硅元件用风冷热管散热器经过热性能试验,同硅元件匹配进行动态、半动态试验,振动和冷热循环等一系列试验表明,完全符合设计要求。热管散热器的热阻、重量、尺寸等主要性能指标,已赶上国外同类热管散热器的研制水平。文中还提供了热管变工况下的一系列热性能试验数据,对于应用有重要的实际意义。热管散热器的研制成功,为高压、大电流硅元件的风冷散热开辟了新的途径。     

一种新型的整流元件均流在线测试方法

应用温度均流系数计算法判别整流柜桥臂整流元件的出力状况,研究了在实际操作中与传统的测量快速熔断器两端电压降相比,具有较高的安全性及可靠性,同时与在线均流测试仪相比,具有成本低及稳定性高等特点.整流元件均流系数是衡量整流柜元件出力能力及均匀度的重要指标.通过多年的摸索研究,以及对相关数据的采集分析对比,提出温度均流系数的理念,以整流元件测量的温度,根据计算公式,可方便地推导出桥臂元件以及整流柜出力状况,是一种判别整流柜元件均流出力状况的有效方法.     

20千周100安高频可控硅研制工作中的一些问题

本文讨论了２０千周正弦波１００安可控硅元件的关断和开通时间的对立统一关系和要求。 当关断时间控制在３到５微秒，开通时间控制在２微秒时，多数元件都能满意地工作。为增 加阴极面积，介绍了一个简单的控制极结构，测定了扩金后管芯长基区电阻率的增长情况， 选用厚度２５０微米、２０欧姆·厘米的硅片制成元件后的阻断电压达到１２００伏。     

高立夫振荡回路的建立和使用经验

利用6.6仟伏功率因数补偿用的电容器(工厂的不合格产品)建成了单相容量为10 MVA 和电压等级为10 KV 的单频振荡回路.在这回路上对10 KV 的少油式断路器用简接方法进行了断流试验,试验时电流的范围为50安～12000安.在试验中,还对振荡频率的影响进行了局部的研究.一、概述二、建立高立夫振荡回路的简介三、在试品上进行试验的实例四、结束语     

交直交主传动装置谐波分析及治理

以新型供电整流变压器的绕组结线组别、主传动装置配置的可关断功率元件IGCT(integrated gate commutated thrusters)或IEGT(injection enhanced gate transistor)和主动整流前端装置(active rectifier unit,ARU)的并联脉动组合接线型式特性为基础,提出了新型中压交直交主传动装置超高次谐波电流计算分析和治理方案.分析超高次谐波电流的特性,对电气设备和生产运行的危害,以及对其进行治理的必要性,提出基于超高次调谐频率的谐波滤波装置(HF-typefilter),用以解决工程实际中出现的问题.供轧钢供配电系统及谐波滤波装置设计制造参考.     

一种小型化的高效率微波整流电路分析与设计

提出一种新颖的微带线结构微波整流电路.用ADS 2006A软件进行分析和设计,整流电路在5.80 GHz工作频率,负载为320 Ω时,微波 直流转换效率达到81.4%,转换效率75%以上的频带带宽为300 MHz.实验结果表明,负载为298 Ω时测得最高电压为4.57 V,转换效率达到68.5%.该整流电路具有小型化、高转换效率、易集成的特点,可应用到射频识别（radio frequency identification,RFID）系统和无线传感器的能量供给中.     

50kV直流高压电源系统

本系统采用交流220V供电,经过将压、整流、升频、升压后,倍压整流,达到产生直流高压的目的。系统采用单片机控制,可远程操作。本文对系统各环节的设计原理作出了详细说明。