CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。     

PZT／Si异质结的电特性研究

采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．     

热壁外延PbTe／Si异质结带偏移的研究

本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ＰｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后，所得内建电势差修正值接近理想ＨＪ的计算值。基于此修正值，计算的带偏移△Ｅｖ和△Ｅｃ十分接近国外文献所报导的结果。     

高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器

利用Ｓｉ分子束外延技术，及硅平面器件工艺，制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。     

SiGeC/Si异质结光电探测器

ＴｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆＳｉ-ｂａｓｅＳｉ1-ｘＧｅｘａｌｌｏｙｃａｎｃｈａｎｇｅａｌｏｎｇｗｉｔｈｃｏｎｔｅｎｔｘａｎｄｓｔｒａｉｎ ,ｔｈｅｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌｓｃａｎｂｅｍｏｄｕｌａｔｅｄａｃｃｏｒｄ ｉｎｇｌｙｆｒｏｍ 0 .8μｍｔｏ 1 .6 μｍ .Ｓｉ-ｂａｓｅＳｉＧｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｒｅｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＳｉｖｅｒｙｌａｒｇｅ -ｓｃａｌｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ (ＶＬＳ…     

Si—GaP（110）异质结形成过程中能带偏移的变化

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化，能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层后趋于最终值。     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。     

AlN／GaN异质结的价带偏移计算

用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长、以ＡｌＮ为衬底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移．着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的△Ｅｖ值．由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果，为检验平均键能方法计算的可靠性，又采用能同时计入各种影响△Ｅｖ因素的较严格的超原胞（ＡｌＮ）ｎ（ＧａＮ）ｎ（００１），（ｎ＝１．３，５）界面自洽计算方法，验证超晶格中平均键能Ｅｍ的“对齐”程度和价带偏移△Ｅｖ的计算结果．     

一维异质结的能带

本文从简化模型出发,用量子力学分析方法对一维有限异质结的能带结构进行了探讨。     

不同衬底材料的ZnO／Si异质结I-V及光电特性

采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p )异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

聚乙炔／SnO2异质结的光电流密度

用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ法在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接聚合成聚乙炔膜，制成ｐ－（ＣＨ）ｘ／ｎ－ＳｎＯ２异质结，用氩离子激光器作光源，测量了光电流密度与入射光强度的关系曲线．在仅考虑聚乙炔吸收光的情况下，从理论上导出聚乙炔基异质结的光电流密度公式，与实验结果相符合     

屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入了三角势近似异质结势，考虑电子对杂质库伦势的屏蔽影响，利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量，对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

P—AlGaAs／n—GaAs异质结载流子输运机理

在20～300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。     

SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性研究

对SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性从理论和实验上进行了研究．建立了SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性灰色系统GM(1．1)模型．模型与实验数据符合良好．精确度较高．     

Si－GaP（110）异质结形成过程中能带偏移的变化

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化·能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层后趋于最终值．     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。